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• 低導(dǎo)通電阻：125 （典型值）超過15 V _pp 信號輸入范圍V _DD - V _SS = 15 V
• 高OFF電阻：溝道泄漏±10 pA（典型值）@ V _DD - V _SS = 10 V
• 匹配開關(guān)特性：R _ON = 5 （典型值）V _DD - V _SS = 15 V
• 在所有數(shù)字控制輸入和供電條件下，靜態(tài)功耗極低：0.2 uW（典型值）@ V _DD - V _SS = 10 V
• 芯片上的二進(jìn)制地址解碼
• 5 V，10 V和15 V參數(shù)額定值
• 100％測試20 V時(shí)的靜態(tài)電流
• 在整個(gè)封裝溫度范圍內(nèi)，18 V時(shí)的最大輸入電流為1μA;在18 V和25°C時(shí)100nA
• 符合JEDEC暫定標(biāo)準(zhǔn)No. 13A“'B'系列CMOS器件描述的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范”的所有要求
• 應(yīng)用：
  • 模擬和數(shù)字多路復(fù)用和多路分解
  • A /D和D /A轉(zhuǎn)換
  • Siganl gating

*當(dāng)這些設(shè)備用作多路分解器時(shí)，通道輸入/輸出端子是輸出，公共輸出/輸入端子是輸入。