TS3DDR4000 TS3DDR4000 12 位 1:2 高速 DDR2/DDR3/DDR4 開關(guān)/多路復(fù)用器

數(shù)據(jù)： TS3DDR4000 12 位 1:2 高速 DDR2/DDR3/DDR4 開關(guān)/多路復(fù)用器數(shù)據(jù)表 (Rev. B)

描述

TS3DDR4000是一款1：2或2：1高速DDR2 /DDR3 /DDR4開關(guān)，可實(shí)現(xiàn)12位寬總線切換。該器件可針對所有位同時(shí)將A端口切換為B或C端口.TS3DDR4000設(shè)計(jì)用于DDR2，DDR3和DDR4存儲器總線系統(tǒng)，并且采用一種專有架構(gòu)，可提供高帶寬（單端5.6GHz下的帶寬為-3dB），這個，TS3DDR4000還具有低功耗模式。所有通道均呈高阻態(tài)且器件功耗最低。

特性

寬V _DD范圍：2.375V至3.6V
高帶寬：5.6GHz （單端典型值）; 6.0GHz（差分典型值）
低開關(guān)導(dǎo)通電阻（R _ON）：8Ω（典型值）
低位間偏差：3ps（典型值）;所有通道的最大值為6ps
低串?dāng)_：1067MHz下的典型值為-34dB
低工作電流：40μA（典型值
具有低功耗模式，電流消耗極低：2μA（典型值）
I _OFF保護(hù)防止斷電狀態(tài)（V _CC = 0V）下的電流泄漏
支持POD_12，SSTL_12，SSTL_15和SSTL_18信令
靜電放電（ESD）性能：
- 3kV人體放電模式（A114B，II類）
- 1kV組件充電模式（C101）
8mm x 3mm 48焊球0.65mm間距ZBA封裝< /li>

所有商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比特定于協(xié)議的開關(guān)/多路復(fù)用器


Protocols
Configuration
Number of Channels (#)
VCC (Min) (V)
VCC (Max) (V)
Ron (Typ) (Ohms)
Input/Ouput Voltage (Min) (V)
Input/Ouput Voltage (Max) (V)
ICC (Max) (uA)
Bandwidth (MHz)
ESD HBM (Typ) (kV)
Operating Temperature Range (C)
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Package Group
Crosstalk (dB)
ESD Charged Device Model (kV)
ICC (Typ) (uA)
Input/Output OFF-state Capacitance (Typ) (pF)
Input/Output ON-state Capacitance (Typ) (pF)
OFF-state leakage current (Max) (µA)
Propagation Delay (ns)
Ron (Max) (Ohms)
Ron Channel Match (Max) (?)
RON Flatness (Typ) (Ohms)
Turn off Time (Disable) (Max) (ns)
Turn on Time (Enable) (Max) (ns)
VIH (Min) (V)
VIL (Max) (V)