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      TS3DDR32611 1A 峰值灌/拉 PCDDR3 終端穩壓器

      數據：

      描述

      TS3DDR32611是一款灌電流/拉電流雙倍數據速率類型III（PCDDR3）端接穩壓器，此穩壓器具有一個精度為1％的經緩沖基準輸出。它具有內置的端接單刀單擲（SPST）開關，此開關可在內存系統經歷較低速運行時被斷開，而無需電壓端接。關閉這些開關可在很大程度上節約內存系統的能耗。此開關具有一個典型值為1.75Ω的導通電阻，這有助于保持信號線路上的信號完整性。

      TS3DDR32611由一個3.3V電源供電.V DDQ 引腳汲取的輸入電壓范圍為1.2V至1.8V，而V TT 引腳上的輸出電壓隨1/2×V DDQ 的變化而變化。穩壓器的V TT 輸出能夠灌入/拉出高達1A的電流，而V REF 引腳輸出是1 /2V DDQ ±1％×V DDQ ，具有5mA電流灌入/拉出能力.TS3DDR32611具有4個運行模式：高速，低速，V REF 模式和斷電模式，這些運行模式取決于控制信號VTT_EN和ODT_EN。這些不同的運行模式提供了建立一個內存系統的性能和功耗的靈活性。

      TS3DDR32611采用一個尺寸只有4mm x 4mm的小型48焊球球狀引腳柵格陣列（BGA）封裝，這使得此器件成為移動應用的理想選擇。

      特性

      • VDD范圍 - 3.0V至3.6V
      • R ON 1.75Ω典型值< /li>
      • 通道計數 - 26
      • V DDQ - 輸入電壓1.2V至3.5V
      • V TT - V DDQ /2典型值1A的灌電流/拉電流能力
      • V REF - V DDQ /2 ±1％×V DDQ
      • 開關時間 - （T 開/關）最大值100ns
      • I DD 電源電流
        • 高速模式（I DD，HS ）最大值220μA
        • 低速模式（I DD，LS ）最大值220μA
        • 斷電模式（I DD，PD ）最大值5μA
      • 特殊特性< ul>
      • 1.8V兼容控制輸入（VTT_EN，ODT_EN）
      • 高電流灌入/拉出能力：最大值1A
      • 48焊球ZQC封裝（4mm x 4mm，0.5mm焊球間距）

      應用范圍

      • 移動器件中雙倍數據速率類型3（PCDDR3）端接和穩壓

      參數 與其它產品相比 特定于協議的開關/多路復用器

       
      Protocols
      Configuration
      Number of Channels (#)
      VCC (Min) (V)
      VCC (Max) (V)
      Ron (Typ) (Ohms)
      Input/Ouput Voltage (Min) (V)
      Input/Ouput Voltage (Max) (V)
      ICC (Max) (uA)
      Package Size: mm2:W x L (PKG)
      Package Group
      ESD Charged Device Model (kV)
      Ron (Max) (Ohms)
      Ron Channel Match (Max) (?)
      Turn on Time (Enable) (Max) (ns)
      VIH (Min) (V)
      VIL (Max) (V)
      TS3DDR32611
      DDR3    
      1:1 SPST    
      26    
      3    
      3.6    
      1.75    
      0    
      3.6    
      220    
      48BGA MICROSTAR JUNIOR: 16 mm2: 4 x 4(BGA MICROSTAR JUNIOR)    
      BGA MICROSTAR JUNIOR    
      0.5    
      4    
      0.2    
      100    
      1.3    
      0.6    

      技術文檔

      數據手冊（1）
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