霍耳器件
Hall device

　　利用霍耳效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件稱為霍耳器件。它是一塊有四個(gè)歐姆接觸的長(zhǎng)方形半導(dǎo)體晶片，稱為霍耳片。其中兩個(gè)歐姆接觸在霍耳片的兩端，稱為控制電流極，另外兩個(gè)點(diǎn)狀歐姆接觸對(duì)稱地位于兩側(cè)面的中點(diǎn)，稱為霍耳電勢(shì)極。當(dāng)從控制電流極通以電流（稱為控制電流），并在霍耳片的垂直方向加磁場(chǎng)時(shí)，則在霍耳電勢(shì)極之間產(chǎn)生電勢(shì)，稱為霍耳電勢(shì)。

　　霍耳器件所用的材料有：鍺、硅、銻化銦、砷化銦、砷化鎵等?；舳骷粗谱鞴に嚳煞譃閮纱箢悾阂活愂怯冒雽?dǎo)體單晶加工而成，稱為體型霍耳器件；另一類是利用真空蒸發(fā)或外延、擴(kuò)散等工藝在適當(dāng)襯底上制成半導(dǎo)體單晶或多晶薄膜，稱為薄膜霍耳器件。薄膜霍耳器件并可制作在集成電路中。

　　霍耳器件具有以下的功能：（1）磁場(chǎng)比例性：它能夠在靜止?fàn)顟B(tài)下感受磁場(chǎng)的大小及方向，并且在控制電流恒定時(shí)，霍耳電壓與外加磁感應(yīng)強(qiáng)度成正比；（2）乘法作用：當(dāng)控制電流和外加磁場(chǎng)都可改變時(shí)，霍耳電壓與控制電流和外加磁感應(yīng)強(qiáng)度之積成正比；（3）非互易性：其控制電流與霍耳電壓之間具有非可逆性。因此，霍耳器件在測(cè)量技術(shù)、自動(dòng)控制及信息處理等方面有廣泛的用途。

　　霍耳器件的優(yōu)點(diǎn)是：結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、堅(jiān)固、體積小、壽命長(zhǎng)、頻率響應(yīng)寬（從直流到微波）、動(dòng)態(tài)范圍大；其缺點(diǎn)是：轉(zhuǎn)換效率低、溫度影響大、要求高時(shí)必須進(jìn)行溫度補(bǔ)償。