碳化硅功率器件技術可靠性！
前言：碳化硅產業鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅....
碳化硅和氮化鎵的特性、優勢及應用范圍
與硅相比，SiC和GaN（不僅作為寬帶隙半導體，而且作為材料本身）在品質因數（εμeEc3）方面顯示....
碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）
一旦硅開始達不到電路需求，碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導體材料浮出水面。與單獨的硅相比，這兩種化....
氮化鎵的優勢特點！
傳統上，半導體生產中最常用的材料是硅（Si），因為它豐富且價格合理。但是，半導體制造商可以使用許多其....
氮化鎵半導體的興起！
氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬、機械穩定的寬帶隙半導體。基于GaN的功率器件具有更高的擊穿強度、更快....
第三代化合物半導體材料有利于5G基站的應用
與第一代硅（Si）半導體材料和第二代砷化鎵（GaAs）半導體材料相比，碳化硅（SiC）或氮化鎵（Ga....
SiC功率器件的主要特點
基于以日本、美國和歐洲為中心對生長、材料特性和器件加工技術的廣泛研究，SiC SBD和金屬氧化物半導....
AFE拓撲的應用優勢
針對任何應用領域的工程師都加入了他們對效率、功率密度和成本的擔憂。而且，即使他們還沒有用它進行設計....
工商網監