英飛凌工業半導體文章

• 數據為王，硬核開講丨2025 IPAC英飛凌零碳工業應用技術大會倒計時4天！2025-08-14 17:03

  

  一年一度的英飛凌零碳工業應用技術大會（IPAC）下周二震撼啟幕！用數據說話，以硬核案例破解行業難題！核心亮點搶先劇透CoolSiCMOSFETG2設計全攻略光儲應用：選型黃金標準+結溫&EMI關鍵設計參數充電模塊：功率段精準匹配+效率提升技巧：實戰技巧：死區時間與驅動電阻如何優化最新產品解決方案首發最新EasyHD封裝方案優勢對比開關損耗銳減秘籍逆變工況下仿

  英飛凌 零碳城市 914瀏覽量

• 新品 | 第二代CoolSiC™ MOSFET 1200V Q-DPAK封裝分立器件產品擴展2025-08-11 17:04

  

  新品第二代CoolSiCMOSFET1200VQ-DPAK封裝分立器件產品擴展CoolSiC1200VMOSFET（頂部散熱Q-DPAK單管封裝）專為工業應用設計，適用于電動汽車充電、光伏、不間斷電源（UPS）、固態斷路器（SSCB）、工業驅動、人工智能（AI）及網聯自動駕駛汽車（CAV）等領域。Q-DPAK封裝通過簡化組裝流程并保持卓越的散熱性能，幫助客戶

  MOSFET SiC 分立器件 1295瀏覽量

• 手機的200W快充是如何實現的？2025-08-09 08:33

  

  來自上海科技大學李澤暉的投稿。你是否還記得你的第一部手機？我的第一部手機功能不多，反應遲鈍，樣子也不太好看，各方面都不如現在手邊的這位。無線通信技術的快速發展推動了智能手機的更新換代，電力電子技術也在這一進程中扮演了極重要的角色。當我們回顧手機的發展歷程時，充電速度無疑是其中一項令人矚目的進步。從最初的“5V1A”到

  充電 快充 手機快充 1657瀏覽量

• 新品 | 英飛凌CoolSiC™ 第五代1200 V碳化硅肖特基二極管2025-08-07 17:06

  

  新品第五代碳化硅CoolSiC肖特基二極管1200VCoolSiC1200V肖特基二極管采用TO-247-2封裝，可實現高效緊湊設計，具有增強的魯棒性和可靠性。該產品通過了雪崩測試驗證，電流等級高達150A，采用.XT擴散焊技術，擁有豐富的產品組合。產品型號：■IDWD50G120C5■IDWD60G120C5■IDWD75G120C5■IDWD150G12

  二極管 碳化硅 英飛凌 937瀏覽量

• LLC輕載下輸出特性分析及保持輸出電壓可控的解決方案2025-08-05 17:04

  

  摘要LLC拓撲廣泛應用于各種功率轉換設備中，然而LLC拓撲在輕載及空載情況下，即使工作頻率范圍很寬，往往仍然出現輸出電壓超出規格要求的現象。本文從理論上對引起該問題的原因進行了深入分析，證明變壓器原邊等效并聯電容和原邊MOSFET的輸出電容時造成該問題的根本原因，并針對根因提出了減小等效電容，原邊MOSFET并聯電容，諧振電感并聯電容，增加變壓器原副邊匝比，

  LLC 變換器 電壓 1701瀏覽量

• 新品 | EconoDUAL™ 3 IGBT 7 1700V 900A半橋模塊帶EC8二極管2025-08-04 18:10

  

  新品EconoDUAL3IGBT71700V900A半橋模塊帶EC8二極管通過EconoDUAL3TRENCHSTOPIGBT71700V半橋模塊實現可再生能源轉換效率最大化，助力脫碳進程產品型號：■FF900R17ME7C框圖產品特點持續運行工況Tvj(op)max175℃功率端子載流能力提升，輸出電流900A集成1700VEmCon8MePo二極管3.4

  IGBT 二極管 再生能源 2028瀏覽量

• 英飛凌推出采用Q-DPAK 封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2，將工業應用功率密度提升至新高度2025-08-01 17:05

  

  【2025年8月1日，德國慕尼黑訊】全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日推出了采用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝的CoolSiCMOSFET1200VG2。這款新型半導體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統效率和功率密度，專為應對工業應用的高性能和高可靠性要求而設計，例如電動汽車充電

  MOSFET 工業 英飛凌 1595瀏覽量

• 新品 | 針對車載充電和電動汽車應用的EasyPACK™ CoolSiC™ 1200V和硅基模塊2025-07-31 17:04

  

  新品針對車載充電和電動汽車應用的EasyPACKCoolSiC1200V和硅基模塊英飛凌推出針對車載充電和電動汽車應用的EasyPACK2B模塊，采用六單元配置，通過AQG324認證。一個模塊采用CoolSiCMOSFET技術1200V、17mΩ，配備NTC和PressFIT壓接技術。另一個模塊基于TRENCHSTOPIGBT7技術1200V、100A，配備

  SiC 電動汽車 車載充電器 955瀏覽量

• 1700V EconoDUAL™ 3 IGBT7助力690V變頻器擴容提頻2025-07-30 17:30

  

  隨著國家“雙碳”政策的推進，大力推廣節能減排技術已經在各行業逐步深化。在高能耗的工業應用中，通過變頻器控制電機調速可以節能大約15-40%，有著巨大的經濟效益，因此一直是節能減排的重要措施。作為通用變頻器重要的細分產品，690V變頻器主要應用于冶金、石油、造紙、港口大型起重設備和船舶等領域。英飛凌上一代的1700VEconoDUAL3IGBT4模塊已經在69

  變頻器 芯片 1205瀏覽量

• 新品 | 第二代CoolSiC™ MOSFET G2 750V - 工業級與車規級碳化硅功率器件2025-07-28 17:06

  

  新品第二代CoolSiCMOSFETG2750V-工業級與車規級碳化硅功率器件第二代750VCoolSiCMOSFET憑借成熟的柵極氧化層技術，在抗寄生導通方面展現出業界領先的可靠性。該器件在圖騰柱、有源中性點鉗位（ANPC）、維也納整流器和飛跨電容（FCC）等硬開關拓撲中表現卓越。更值得注意的是，第二代產品顯著降低了輸出電容（Coss），使其在循環變流器、

  MOSFET SiC 功率器件 975瀏覽量