英飛凌工業半導體文章

• 英飛凌碳化硅產品創新的四大支柱綜述(二)2025-05-19 17:32

  

  本文是作者2024年“第十八屆中國半導體行業協會半導體分立器件年會”演講稿第二部分，第一部分請見《英飛凌碳化硅SiC技術創新的四大支柱綜述（一）》。英飛凌SiC技術創新到豐富產品的四大支柱SiC技術創新到豐富產品的四個支柱簡單講，就是技術，質量，產量和產品。技術優勢要做好碳化硅MOSFET，在技術上需要做好兩件事情：性能穩定的體二極管垂直結構的功率MOSFE

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• 電力電子中的“摩爾定律”(2)2025-05-17 08:33

  

  04平面磁集成技術的發展在此基礎上，平面磁集成技術開始廣泛應用于高功率密度場景，通過將變壓器的繞組(winding)設計在pcb電路板上從而代替利茲線，從而極大降低了變壓器的高度。然而pcb的銅帶厚度并不大，一般不會超過4oz（140μm）,因此想要通過pcb傳輸大電流會有極大的損耗。為

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• 新品 | 儲能用1200V 500A NPC2 三電平IGBT EasyPACK™ 3B模塊2025-05-16 17:08

  

  新品儲能用1200V500ANPC2三電平IGBTEasyPACK3B模塊1200V500ANPC2三電平模塊，采用EasyPACK3B封裝和最新開發的1200VTRENCHSTOPIGBTH7和Emcon7芯片技術。該模塊采用大電流PressFIT壓接式引腳，配備NTC溫度傳感器，并針對儲能應用進行了優化，非常適用于1000VDC100kW功率變換系統。產

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• IPAC碳化硅直播季倒計時丨溝槽柵VS平面柵，孰是王者？2025-05-15 17:05

  

  直播時間：5月20日14:00直播主題：溝槽柵VS平面柵，孰是王者？立即掃碼報名吧！直播間不定時會有禮品掉落，速速掃碼預約！520碳化硅首場直播，帶你直擊可靠性核心戰場！平面柵和溝槽柵，簡約設計與繁復工藝的碰撞，單元均勻性與底部電場聚焦的較量，溝槽柵緣何在可靠性領域持續“占鰲”，成為行業標桿？高溫下溝槽柵SiC電阻漂移，真的會成為其可靠性路上的“絆腳石”？低

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• 英飛凌與美的簽署戰略合作協議：聚焦技術創新與智能綠色生活2025-05-14 10:08

  

  近期，英飛凌科技與美的集團簽署戰略合作協議。通過深度整合各自優勢資源，雙方將在智能家電、新能源以及全球供應等多維度加深合作，共同為消費者提供綠色、安全、高效的產品與服務。英飛凌科技高級副總裁、工業與基礎設施業務大中華區負責人于代輝，美的集團副總裁兼首席可持續發展官李國林代表雙方正式簽署戰略合作協議。英飛凌科技高級副總裁、工業與基礎設施業務大中華區負責人于代輝

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• 新品 | EasyDUAL™ 1B和2B，1200V共發射極IGBT模塊2025-05-13 17:04

  

  新品EasyDUAL1B和2B，1200V共發射極IGBT模塊EasyDUAL1B，2B1200V共發射極模塊采用成熟的TRENCHSTOPIGBTT7和Emcon7芯片技術，電流等級涵蓋75A、100A、150A、200A至300A。模塊采用PressFIT針腳技術和NTC。EasyDUAL1B和2B共發射極產品系列非常適合矩陣變換器的電機驅動應用。產品型

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• 英飛凌碳化硅SiC技術創新的四大支柱綜述（一）2025-05-12 17:06

  

  本文是按照2024年“第十八屆中國半導體行業協會半導體分立器件年會”演講稿整理碳化硅為提升綠色能源鏈中的各種應用提供了巨大潛力IGBT在大功率電力電子行業的應用是在20年前發展起來的，當年主要應用在工業電源、UPS和變頻器等有限領域。但到了今天，整個電能生態鏈——新能源發電、輸配電、電能質量改善等都成了IGBT的應用大戶。而且，用電領域的范圍還在拓展，如熱泵

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• 電力電子中的“摩爾定律”(1)2025-05-10 08:32

  

  本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品，來自上海科技大學劉賾源的投稿。著名的摩爾定律中指出，集成電路每過一定時間就會性能翻倍，成本減半。那么電力電子當中是否也存在著摩爾定律呢？1965年，英特爾創始人之一的戈登·摩爾(GordonMoore)在《電子器件會議記錄》中提出，集成電路芯片上所能容納的晶體管數量每隔大約18至24個月會翻倍，同時成本也會相應下降

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• 英飛凌SiC超結技術樹立新標準，加速電動汽車普及與工業效率提升2025-05-08 17:05

  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）作為碳化硅（SiC）功率器件及SiCMOSFET溝槽柵技術的領導者，始終以卓越性能與高可靠性相結合的解決方案引領行業。目前，CoolSiC產品系列覆蓋了400V至3.3kV的電壓范圍，應用領域包括汽車動力傳動系統、電動汽車充電、光伏系統、儲能及高功率牽引逆變器等。現在，英飛凌又憑借豐富的Si

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• 英飛凌推出新型CoolSiC™ JFET技術，實現更加智能、快速的固態配電2025-05-07 17:03

  

  為推動下一代固態配電系統的發展，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）正在擴展其碳化硅（SiC）產品組合，推出了新型CoolSiCJFET產品系列。新系列產品擁有極低的導通損耗、出色的關斷能力和高可靠性，使其成為先進固態保護與配電系統的理想之選。憑借強大的短路能力、線性模式下的熱穩定性以及精確的過壓控制，CoolSiCJFET可

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