英飛凌工業半導體文章

• QDPAK頂部散熱封裝簡介2025-12-18 17:08

  

  QDPAK頂部散熱器件是一種表貼器件產品。相對于傳統表貼產品只能從底部進行散熱的方式，頂部散熱器件分離了電氣路徑和熱流路徑，尤其適合在高功率密度的應用，如AI服務器電源和車載充電器等應用。而英飛凌不久前推出的QDPAK封裝也是目前英飛凌量產的封裝中最大尺寸的頂部散熱產品。QDPAK封裝目前包含600V，650V，750V，1200V電壓等級的SiCMOSFE

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• 新聞速遞丨英飛凌高功率碳化硅技術升級優化，助力 Electreon 動態無線充電道路系統升級2025-12-15 17:17

  

  動態無線充電道路系統可在客車與卡車行駛于道路及高速公路上時為其充電英飛凌定制碳化硅模塊可大幅提高功率密度，使電動汽車搭載更小的電池，實現24小時全天候運行動態無線充電道路系統解決方案是減少交通運輸領域碳排放的一項關鍵創新英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）將為領先的電動汽車（EV）無線充電解決方案提供商Electreon（TA

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• 來看看你上榜了嗎？第三屆電力電子科普作品創作大賽獲獎公布2025-12-13 08:49

  

  電力電子技術，這一在新能源發電、輸配電及高效用電領域扮演著舉足輕重角色的科技力量，憑借高效的功率變換技術，不僅推動了生產活動的綠色節能轉型，更讓我們的生活變得更加舒適便捷，出行方式也更加環保無憂。為此，中國電源學會科普工作委員會與英飛凌科技（中國）有限公司共同主辦了第三屆電力電子科普作品創作大賽，鼓勵用多種形式、多個角度詮釋電力電子極其相關技術的應用，讓更多

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• 新品 | 搭載2.2kV整流器的EconoPIM™ 3模塊 - FP75R17N3E4_B202025-12-08 17:04

  

  新品搭載2.2kV整流器的EconoPIM3模塊-FP75R17N3E4_B20FP75R17N3E4_B20是一款EconoPIM3IGBT模塊，采用TRENCHSTOPIGBT4技術、發射極控制4代（EC4）二極管并集成NTC。該模塊適用于690V驅動系統，通過內置2.2kV整流器和制動斬波器，降低系統成本。產品型號：■FP75R17N3E4_B20產品

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• 深入解析IPM器件數據手冊中的電流定義：Ic、Icp、Io(peak)和Io(rms)2025-12-03 17:07

  

  在設計和應用IPM器件時，電流參數是影響性能的關鍵指標之一。然而，不同電流參數的含義可能會對應用設計產生重要影響。本文將詳細解析IPM數據手冊中常見的幾種電流定義，包括IC、ICP、IO(peak)和IO(RMS)的具體意義、測試條件及其設計建議。為了更清晰地展示各電流參數的定義及其在實際應用中的差異，下面提供了一張直觀的圖示供參考：1IC：額定連續集電極電

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• 英飛凌與陽光同行，助力第十一屆高校電力電子應用設計大賽完美收官2025-12-01 12:04

  

  2025年11月5-7日，作為中國大學電力電子應用設計大賽的一部分，第十一屆“英飛凌杯”先進功率轉換技術大賽決賽和“陽光杯”新能源和儲能大賽決賽在廣東深圳市舉行。這項久負盛名的比賽由英飛凌冠名贊助，自2015年以來由中國電源學會主辦，是中國電力電子行業最高級別的學生比賽。觀看了解活動精彩片段其中，“陽光杯”比賽的核心是使用英飛凌最新的WBG器件設計用于儲能的

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• 英飛凌3.3kV SiC XHP2模塊：重新定義高壓牽引系統的性能標桿2025-11-27 17:29

  

  在軌道交通、風電變流器等高壓大功率應用中，提升功率密度和系統效率是關鍵挑戰。傳統硅基IGBT模塊雖成熟可靠，但受限于材料特性，難以滿足高頻、高效的新需求。英飛凌推出的3.3kVCoolSiCMOSFETXHP2模塊，結合創新的“.XT互連技術”，為高壓牽引系統提供了更高性能的解決方案。模塊核心優勢：性能與可靠性01高電流密度與低損耗額定電流1000A，導通電

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• 英飛凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ MOSFET 1200V模塊榮獲2025全球電子成就獎2025-11-26 09:32

  

  11月25日，英飛凌科技EconoDUAL3CoolSiCMOSFET1200V模塊榮獲2025年全球電子成就獎（WorldElectronicsAchievementAwards）年度功率半導體/驅動器獎項，再次彰顯英飛凌在功率半導體領域的卓越實力和領先地位。英飛凌科技工業與基礎設施業務市場經理劉倩出席頒獎典禮并領獎英飛凌EconoDUAL3CoolSiC

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• 新品 | 采用.XT擴散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列2025-11-24 17:05

  

  新品采用.XT擴散焊和第二代1200VSiCMOSFET的EasyC系列EasyPACK2C1200V8mΩ三電平模塊、EasyPACK2C1200V8mΩ四單元模塊以及EasyPACK1C1200V13mΩ四單元模塊，搭載第二代CoolSiCMOSFET技術，集成NTC溫度傳感器，采用大電流PressFIT引腳，并預涂2.0代導熱界面材料。產品型號：■F4

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• 應用實例——如何解決雙管反激變換器中的關斷電壓不均衡2025-11-20 17:04

  

  反激變換器作為電源產品中幾乎不可缺少的一個拓撲，從事電力電子產品開發的工程師是相當的熟悉，尤其是單管反激變換器，更是工程師從小白開始修煉的起點，萬丈高樓平地起嘛。在經典的單管反激變換器上，又衍生出各種各樣的變化，開關方式從硬開關變化為準諧振（QR），有源鉗位(ACF)，零電壓開通（ZVS）等，以及拓撲的演變，從單管反激變為雙管反激。簡單講，這些演變都是基于經

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