英飛凌工業半導體文章

• 英飛凌與陽光同行，助力第十一屆高校電力電子應用設計大賽完美收官2025-12-01 12:04

  

  2025年11月5-7日，作為中國大學電力電子應用設計大賽的一部分，第十一屆“英飛凌杯”先進功率轉換技術大賽決賽和“陽光杯”新能源和儲能大賽決賽在廣東深圳市舉行。這項久負盛名的比賽由英飛凌冠名贊助，自2015年以來由中國電源學會主辦，是中國電力電子行業最高級別的學生比賽。觀看了解活動精彩片段其中，“陽光杯”比賽的核心是使用英飛凌最新的WBG器件設計用于儲能的

  電力電子 英飛凌 轉換器 625瀏覽量

• 英飛凌3.3kV SiC XHP2模塊：重新定義高壓牽引系統的性能標桿2025-11-27 17:29

  

  在軌道交通、風電變流器等高壓大功率應用中，提升功率密度和系統效率是關鍵挑戰。傳統硅基IGBT模塊雖成熟可靠，但受限于材料特性，難以滿足高頻、高效的新需求。英飛凌推出的3.3kVCoolSiCMOSFETXHP2模塊，結合創新的“.XT互連技術”，為高壓牽引系統提供了更高性能的解決方案。模塊核心優勢：性能與可靠性01高電流密度與低損耗額定電流1000A，導通電

  MOSFET 牽引系統 英飛凌 1464瀏覽量

• 英飛凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ MOSFET 1200V模塊榮獲2025全球電子成就獎2025-11-26 09:32

  

  11月25日，英飛凌科技EconoDUAL3CoolSiCMOSFET1200V模塊榮獲2025年全球電子成就獎（WorldElectronicsAchievementAwards）年度功率半導體/驅動器獎項，再次彰顯英飛凌在功率半導體領域的卓越實力和領先地位。英飛凌科技工業與基礎設施業務市場經理劉倩出席頒獎典禮并領獎英飛凌EconoDUAL3CoolSiC

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• 新品 | 采用.XT擴散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列2025-11-24 17:05

  

  新品采用.XT擴散焊和第二代1200VSiCMOSFET的EasyC系列EasyPACK2C1200V8mΩ三電平模塊、EasyPACK2C1200V8mΩ四單元模塊以及EasyPACK1C1200V13mΩ四單元模塊，搭載第二代CoolSiCMOSFET技術，集成NTC溫度傳感器，采用大電流PressFIT引腳，并預涂2.0代導熱界面材料。產品型號：■F4

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• 應用實例——如何解決雙管反激變換器中的關斷電壓不均衡2025-11-20 17:04

  

  反激變換器作為電源產品中幾乎不可缺少的一個拓撲，從事電力電子產品開發的工程師是相當的熟悉，尤其是單管反激變換器，更是工程師從小白開始修煉的起點，萬丈高樓平地起嘛。在經典的單管反激變換器上，又衍生出各種各樣的變化，開關方式從硬開關變化為準諧振（QR），有源鉗位(ACF)，零電壓開通（ZVS）等，以及拓撲的演變，從單管反激變為雙管反激。簡單講，這些演變都是基于經

  關斷電壓 反激變換器 變換器 電源產品 6679瀏覽量

• 新品 | 第二代CoolSiC™ MOSFET G2 1400V，TO-247PLUS-4回流焊封裝2025-11-17 17:02

  

  新品第二代CoolSiCMOSFETG21400V,TO-247PLUS-4回流焊封裝采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiCMOSFETG21400V功率器件，是電動汽車充電、儲能系統、工業變頻器等大功率輸出應用的理想選擇。第二代1400VCoolSiCMOSFET前沿技術具有前沿性，可顯著提升熱管理性能、功率密度及系統可靠性。其封裝支持回流

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• ANPC拓撲調制策略特點及損耗分析(下)2025-11-12 17:02

  

  上篇（ANPC拓撲調制策略特點及損耗分析(上)）我們討論了ANPC的基本原理，換流路徑及調制策略，本文通過PLECS仿真工具來分析在不同的調制方式和工況下ANPC各位置芯片的開關狀態和損耗分布情況。ANPC-PWM1設計實例由于不同特性和規格的芯片各自靜態和動態參數不同，使用相規格的芯片便于分析損耗分布，在這里選用Econodual3半橋模塊FF900R12

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• 英飛凌攜手SolarEdge共同推進AI數據中心高效電力基礎設施的發展2025-11-07 13:21

  

  英飛凌攜手SolarEdge，推動面向人工智能（AI）及超大規模數據中心的新一代高效固態變壓器（SST）技術發展。全新的固態變壓器（SST）專為實現在中壓至800–1500伏直流電（DC）轉換而設計，其轉換效率超過99%，同時減小設備體積、降低重量，并有效減少了碳排放足跡。此次合作將SolarEdge在直流電（DC）領域的專業技術與英飛凌的半導體創新相結合，

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• ANPC拓撲調制策略特點及損耗分析 (上)2025-11-05 17:06

  

  ANPC（ActiveNeutralPointClamped）拓撲即有源中點鉗位技術，是基于NPC型三電平拓撲改進而來，最早提出是用來克服NPC三電平拓撲損耗分布不均勻和中點電位問題。從結構上看，ANPC是將NPC1的鉗位二極管替換為IGBT與二極管反并聯鉗位的結構，與NPC1一樣可以實現三電平輸出以降低諧波，且器件耐壓和NPC1相同。通過增加兩個IGBT，

  ANPC 變流器 鉗位二極管 1632瀏覽量

• 新品 | 第五代CoolGaN™ 650-700V氮化鎵功率晶體管G52025-11-03 18:18

  

  新品第五代CoolGaN650-700V氮化鎵功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化鎵功率晶體管可實現高頻工況下的效率提升，并滿足最高質量標準，能夠打造具有超高效率的高可靠性設計。該系列GaN氮化鎵晶體管現新增底部散熱型ThinPAK8x8和DPAK封裝版本，專為各種工業與消費類應用中的最優散熱性能而設計。產品型號：■IGD70R500D2■IGD7

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