英飛凌工業半導體文章

• 新品 | 采用高爬電距離TO-247-4引腳封裝的CoolSiC™ 1400V MOSFET G22026-01-04 17:06

  

  新品采用高爬電距離TO-247-4引腳封裝的CoolSiC1400VMOSFETG2CoolSiC1400VMOSFETG2器件采用TO-247-4引腳封裝，兼具前沿的SiC技術與高爬電距離的堅固封裝特性。該器件支持直流母線電壓超過1000V的系統設計，既為現有應用提供額外的電壓裕量與增強的可靠性，又能實現更高的開關速度，從而提升系統效率。其引腳與現有封裝完

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• 新品 | CoolSiC™ MOSFET 400V與440V第二代器件2025-12-31 09:05

  

  新品CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件兼具高魯棒性、超低開關損耗與低通態電阻等優勢，同時有助于優化系統成本。該系列400V與440V碳化硅MOSFET可在兩電平和三電平的硬開關與軟開關拓撲中，提供卓越的功率密度和系統效率，主要面向人工智能服務器電源、開關電源、電機控制、可再生能源與儲能

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• 年終盤點：2025載譽而歸，2026蓄力向新2025-12-30 09:04

  

  在2025年行業和科技浪潮中，英飛凌再次憑借卓越技術、創新產品與優質服務，于客戶與行業層面收獲滿滿、載譽而歸。英飛凌始終堅持以客戶為中心，將客戶的需求作為業務發展的核心驅動力。這一年的客戶信賴與行業認可。不僅是對過往努力的高度肯定，更激勵著全體英飛凌人在2026年新征程蓄力向新，砥礪前行。*以下獎項排名不分先后大洋電機：30周年特別貢獻獎德業科技：2025年

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• 年終盤點：英飛凌2025年碳化硅領域重磅產品與技術驚艷亮相2025-12-23 18:04

  

  歲末將至，回顧2025年科技領域，英飛凌在碳化硅（SiC）賽道成績斐然，憑借一系列創新產品與前沿技術，為行業發展注入強勁動力，成為行業矚目的焦點。小編貼心地按照產品發布和技術發布這兩大板塊，給大家挑選部分亮點產品，方便各位看官全方位了解，咱們這就開整！01產品發布：多元布局，精準覆蓋多領域需求1CoolSiCMOSFETG21200V和1400V單管：多種封

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• 頂部散熱封裝QDPAK安裝指南2025-12-22 18:26

  

  由于QDPAK封裝是英飛凌新一代大功率產品的表貼頂部散熱產品，其安裝方式有所不同，所以針對其安裝方式做一些詳細的介紹。如下圖，英飛凌針對600V以上高壓器件推出了HDSOP封裝系列(D-DPAK,TOLT,及QDPAK)。如下圖列出了該系列已發布的封裝型號及其關鍵參數信息。所有封裝均具有統一的2.3mm標準本體厚度，這一特性使得不同分立器件（如650V碳化硅

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• QDPAK頂部散熱封裝簡介2025-12-18 17:08

  

  QDPAK頂部散熱器件是一種表貼器件產品。相對于傳統表貼產品只能從底部進行散熱的方式，頂部散熱器件分離了電氣路徑和熱流路徑，尤其適合在高功率密度的應用，如AI服務器電源和車載充電器等應用。而英飛凌不久前推出的QDPAK封裝也是目前英飛凌量產的封裝中最大尺寸的頂部散熱產品。QDPAK封裝目前包含600V，650V，750V，1200V電壓等級的SiCMOSFE

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• 新聞速遞丨英飛凌高功率碳化硅技術升級優化，助力 Electreon 動態無線充電道路系統升級2025-12-15 17:17

  

  動態無線充電道路系統可在客車與卡車行駛于道路及高速公路上時為其充電英飛凌定制碳化硅模塊可大幅提高功率密度，使電動汽車搭載更小的電池，實現24小時全天候運行動態無線充電道路系統解決方案是減少交通運輸領域碳排放的一項關鍵創新英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）將為領先的電動汽車（EV）無線充電解決方案提供商Electreon（TA

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• 來看看你上榜了嗎？第三屆電力電子科普作品創作大賽獲獎公布2025-12-13 08:49

  

  電力電子技術，這一在新能源發電、輸配電及高效用電領域扮演著舉足輕重角色的科技力量，憑借高效的功率變換技術，不僅推動了生產活動的綠色節能轉型，更讓我們的生活變得更加舒適便捷，出行方式也更加環保無憂。為此，中國電源學會科普工作委員會與英飛凌科技（中國）有限公司共同主辦了第三屆電力電子科普作品創作大賽，鼓勵用多種形式、多個角度詮釋電力電子極其相關技術的應用，讓更多

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• 新品 | 搭載2.2kV整流器的EconoPIM™ 3模塊 - FP75R17N3E4_B202025-12-08 17:04

  

  新品搭載2.2kV整流器的EconoPIM3模塊-FP75R17N3E4_B20FP75R17N3E4_B20是一款EconoPIM3IGBT模塊，采用TRENCHSTOPIGBT4技術、發射極控制4代（EC4）二極管并集成NTC。該模塊適用于690V驅動系統，通過內置2.2kV整流器和制動斬波器，降低系統成本。產品型號：■FP75R17N3E4_B20產品

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• 深入解析IPM器件數據手冊中的電流定義：Ic、Icp、Io(peak)和Io(rms)2025-12-03 17:07

  

  在設計和應用IPM器件時，電流參數是影響性能的關鍵指標之一。然而，不同電流參數的含義可能會對應用設計產生重要影響。本文將詳細解析IPM數據手冊中常見的幾種電流定義，包括IC、ICP、IO(peak)和IO(RMS)的具體意義、測試條件及其設計建議。為了更清晰地展示各電流參數的定義及其在實際應用中的差異，下面提供了一張直觀的圖示供參考：1IC：額定連續集電極電

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