英飛凌工業半導體文章

• 新品 | 采用6500V IGBT 4溝槽柵場截止技術的IHV-A模塊2026-02-02 17:09

  

  新品采用6500VIGBT4溝槽柵場截止技術的IHV-A模塊IHV系列6500V/675A/130mmIGBT模塊，應用了IGBT4溝槽柵場截止技術，是高壓直流輸電用電壓源換流器、牽引傳動及工業應用的理想解決方案。產品型號：■FZ675R65KE4產品特性低飽和壓降VCEsat鋁碳化硅AlSiC基板存儲溫度下限可達-55°C封裝材料CTI>600應用價值助力

  IGBT 英飛凌 逆變器 1825瀏覽量

• 新品 | Q-DPAK封裝的碳化硅CoolSiC™ 750V MOSFET評估板2026-01-29 17:07

  

  新品Q-DPAK封裝的碳化硅CoolSiC750VMOSFET評估板EVAL_QDPAK_FB_V2_1評估板旨在評估采用Q-DPAK封裝的CoolSiC750VMOSFET的開關性能。該板集成了四顆SiCMOSFET及與之配套的EiceDRIVER隔離柵極驅動芯片。通過優化的功率回路設計實現高速開關，本評估板完美展示了如何在Q-DPAK封裝中最佳地應用高速

  MOSFET 碳化硅 評估板 1197瀏覽量

• 白皮書下載｜使用PSOC™ Control C3和CoolGaN™解決方案，打造可靠、節能、安全的家電設計2026-01-28 17:08

  

  在家電應用中，可靠性、安全性和使用壽命至關重要。隨著開關頻率和功率密度不斷提升，短路、過電流以及電壓尖峰帶來的災難性故障的風險也隨之增加。為了避免MOSFET、IGBT、GaN等敏感器件因過熱而受損，系統必須在亞微秒級完成故障檢測與隔離。英飛凌PSOCControlC3微控制器（MCU）以其無以倫比的性價比應用于實時電機控制和功率轉換領域。該產品基于單核Ar

  GaN PSoC 家電設計 996瀏覽量

• 新品 | 碳化硅SiC 5.5kW三相交錯并聯LLC諧振變換器評估板2026-01-26 18:42

  

  新品碳化硅SiC5.5kW三相交錯并聯LLC諧振變換器評估板EVAL_5K5W_3PH_LLC_SiC5.5kW三相交錯并聯LLC諧振變換器，能將400V直流輸入電壓轉換為穩定的50V直流輸出電壓。得益于CoolSiC器件的卓越性能與頂部散熱封裝方案，該板實現了接近99%的效率與170W/in³的超高功率密度。產品型號：■EVAL_5K5W_3PH_LLC_

  LLC諧振 變換器 碳化硅 447瀏覽量

• 新品 | CoolSiC™ 碳化硅MOSFET M1H EasyDUAL™ 1200V2026-01-22 17:05

  

  新品CoolSiC碳化硅MOSFETM1HEasyDUAL1200VEasyDUAL2BCoolSiCMOSFET半橋模塊通過AQG324認證，采用PressFIT引腳和預涂導熱界面材料，集成NTC溫度傳感器，具有1200V耐壓和4mΩ導通電阻，專為電動汽車電驅動系統與電動航空生態系統中的功率轉換應用而設計。產品型號：■FF4MR12W2M1HP_B11_A

  MOSFET SiC 碳化硅 1229瀏覽量

• 新品 | 英飛凌第五代CoolGaN™ BDS 650V 氮化鎵雙向開關2026-01-19 17:14

  

  新品英飛凌第五代CoolGaNBDS650V氮化鎵雙向開關CoolGaNG5系列650V雙向開關（BDS）是一款單片集成器件，能夠在兩個方向上主動阻斷電壓和電流。它在電力電子領域，特別是在實現單級功率變換方面，是一項卓越的創新。該器件采用TOLT封裝，能夠實現高功率密度設計，是多種應用場景下的通用化優選方案，并可助力實現具備成本優勢的創新拓撲結構。產品型號：

  雙向開關 氮化鎵 英飛凌 2563瀏覽量

• 新品 | 第五代氮化鎵CoolGaN™ 650V G5雙通道晶體管2026-01-15 17:09

  

  新品第五代氮化鎵CoolGaN650VG5雙通道晶體管第五代氮化鎵CoolGaN650VG5雙通道晶體管將半橋功率級集成于小型6×8mmQFN-32封裝中，該功率級由兩個導通電阻典型值140mΩ、耐壓650V的增強型CoolGaN晶體管組成。該產品憑借CoolGaN晶體管卓越的開關特性，非常適合用于實現AC-DC充電器與適配器的高功率密度設計，以及低功率電機

  GaN 晶體管 氮化鎵 2640瀏覽量

• 新品 | CoolSiC™ MOSFET 650V第二代產品，新增75m?型號2026-01-12 17:03

  

  新品CoolSiCMOSFET650V第二代產品，新增75m?型號CoolSiCMOSFET650V第二代器件基于性能卓越的第一代溝槽SiCMOSFET技術打造，通過提升性能、增強設計靈活性及魯棒性，實現系統性價比的飛躍。該系列在硬開關與軟開關拓撲中均能實現頂級的效率、高頻開關特性及可靠性。產品型號：■IMBG65R075M2H■IMW65R075M2H■I

  MOSFET SiC 器件 308瀏覽量

• 新品 | 采用半橋架構的 1ED3330MC12M 隔離式柵極驅動的評估板設計2026-01-07 17:06

  

  新品采用半橋架構的1ED3330MC12M隔離式柵極驅動的評估板設計該評估板用于在半橋配置下評估1ED3330MC12M隔離柵極驅動芯片與分立功率開關。該評估板搭載兩枚1ED3330MC12M芯片，并采用2EP130R變壓器驅動芯片構建隔離式板載電源。板上預留兩個TO247-4封裝的IMZC120R012M2HCoolSiC1200VSiCMOSFET位置（

  變壓器 評估板 驅動芯片 903瀏覽量

• 重磅干貨 | 英飛凌工業半導體年度十大熱門技術文章2026-01-05 17:14

  

  1英飛凌IGBT7系列芯片大解析IGBT7從2019年問世至今，從首發的T7，到成為擁有S7，H7，T7，E7，P7等完整系列的大家族。這幾大系列之間，究竟有何區別？它們各自的適用領域又都在哪里？今天這篇文章就帶大家一起來解析一下。2IGBT的電流是如何定義的英飛凌IGBT模塊型號上

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