英飛凌工業半導體文章

• 英飛凌CoolSiC™ MOSFET 2000V再獲殊榮，榮獲極光獎兩項大獎2024-12-17 17:03

  

  英飛凌的CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件再度贏得行業殊榮，榮獲2024年度極光獎“年度影響力產品”獎項。與此同時，憑借其在碳化硅技術領域的持續創新突破及產品性能的顯著提升，英飛凌被授予“第三代半導體年度標桿領軍企業”的榮譽。點擊可查看大圖此外，作為功率半導體行業的領導者，英飛凌持續致力于碳化硅技術的革新與發展，推動市場向更高功率等級與更高能

  MOSFET 半導體 英飛凌 1284瀏覽量

• 功率器件熱設計基礎（九）——功率半導體模塊的熱擴散2024-12-16 17:22

  

  樣品活動進行中，掃碼了解詳情/前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。任何導熱材料都有熱阻，而且熱阻與材料面積成反比，與厚度成正比。按道理

  功率半導體 功率器件 測量 熱設計 1712瀏覽量

• 新品 | 6EDL04x065xR 和 6EDL04N03PR 系列三相柵極驅動器2024-12-13 17:04

  

  新品6EDL04x065xR和6EDL04N03PR系列三相柵極驅動器650V和300V三相柵極驅動器，帶過電流保護(OCP)、使能(EN)、故障檢測和集成自舉二極管(BSD)產品型號：■6EDL04I065NR■6EDL04I065PR■6EDL04N065PR■6EDL04N03PR產品特點英飛凌薄膜-SOI技術最大阻斷電壓+650V輸出源/吸收電流+0

  BSD 二極管 驅動器 1137瀏覽量

• 新品 | 3300V,1600A二極管IHV B模塊2024-12-12 17:03

  

  新品3300V,1600A二極管IHVB模塊知名的IHVBIHVB3.3kV單開關IGBT模塊經過了重大改進，以滿足牽引和工業應用（如中壓傳動或HVDC）當前和未來的要求。這是首次擴展二極管產品組合，DD1600S33HE4是同類最佳的3.3kV二極管模塊，足以取代原來2個雙二極管3.3kV模塊。它采用發射極可控EmCon4二極管，功率循環能力更強，標準封裝

  二極管 模塊 993瀏覽量

• 深度 | GaN還是SiC，電氣工程師該如何選擇？2024-12-11 17:04

  

  /編輯推薦/氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來新興的功率半導體，相比于傳統的硅材料功率半導體，他們都具有許多非常優異的特性：耐壓高，導通電阻小，寄生參數小等。他們也有各自與眾不同的特性：氮化鎵晶體管的極小寄生參數，極快開關速度使其特別適合高頻應用。碳化硅MOSFET的易驅動，高可靠等特性使其適合于高性能開關電源中。本文基于英飛凌科技有限公司的氮化鎵晶體

  GaN SiC 功率半導體 半導體 開關電源 1881瀏覽量

• 功率器件熱設計基礎（八）——利用瞬態熱阻計算二極管浪涌電流2024-12-11 01:03

  

  /前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。上一篇講了兩種熱等效電路模型，Cauer模型和Foster模型，這一篇以二極管的浪涌電流為例，講

  二極管 功率器件 浪涌電流 熱設計 1293瀏覽量

• 英飛凌推出新型EiceDRIVER™ Power全橋變壓器驅動器系列，適用于結構緊湊、經濟高效的柵極驅動器電源2024-12-10 01:00

  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出適用于IGBT、SiC和GaN柵極驅動器電源的EiceDRIVERPower2EP1xxR全橋變壓器驅動器系列。2EP1xxR系列擴大了英飛凌功率器件產品陣容，為設計人員提供了隔離式柵極驅動器電源解決方案。該系列半導體器件可以幫助實現非對稱輸出電壓，以經濟高效、節省空間的方式為隔離式柵極

  電源 英飛凌 驅動器 1179瀏覽量

• 新品 | 電動汽車充電直流-直流變換器次級用Easy模塊2024-12-07 01:05

  

  新品電動汽車充電直流——直流變換器次級用Easy模塊DDB2U60N07W1RF_B58和DDB2U60N12W3RF_C39EasyPACK封裝圖DDB2U60N12W3RF_C39EasyBRIDGE為1200V、60A整流模塊，采用溝槽柵場終止技術IGBT7和CoolSiC肖特基二極管G51200V芯片，帶NTC和PressFIT壓接針腳技術。DDB2

  變換器 電動汽車 直流 726瀏覽量

• 英飛凌全新一代氮化鎵產品重磅發布，電壓覆蓋700V！2024-12-06 01:02

  

  作為第三代半導體材料的代表者，氮化鎵(GaN)憑借其優異的電氣性能、高熱導率、電子飽和率和耐輻射性等特性，引領了全球功率半導體產業革新，隨著氮化鎵技術的不斷成熟和應用領域的不斷拓展，其市場規模正呈現出爆發式增長態勢。英飛凌長期深耕氮化鎵領域，再次推動了氮化鎵革命，率先成功開發出了全球首個300mm氮化鎵(GaN)功率半導體晶圓技術，是全球首家在現有且可擴展的

  氮化鎵 電壓 英飛凌 1520瀏覽量

• 新品 | Easy2B Easy3B 1200V IGBT7 H7高速芯片的T型三電平模塊的先導產品2024-12-04 01:04

  

  新品Easy2BEasy3B1200VIGBT7H7高速芯片的T型三電平模塊的先導產品EasyPACK封裝圖采用最新一代TRENCHSTOPIGBTH7芯片的FS3L40R12W2H7P_B11和F3L500R12W3H7_H11擴展了Easy系列在1000VDC系統中產品組合，可以實現高開關頻率應用。FS3L40R12W2H7P_B11EasyPACK2B

  三電平 高速芯片 2247瀏覽量