英飛凌工業半導體文章

• 新品 | QDPAK TSC頂部散熱封裝工業和汽車級CoolSiC™ MOSFET G1 8-140mΩ 750V2025-01-17 17:03

  

  新品QDPAKTSC頂部散熱封裝工業和汽車級CoolSiCMOSFETG18-140mΩ750V新推出的CoolSiCMOSFET750VG1是一個高度可靠的SiCMOSFET系列，具有最佳的系統性能和可靠性。CoolSiCMOSFET750V充分利用了英飛凌20多年的SiC經驗。它在性能、可靠性和魯棒性方面都具有優勢，并具有柵極驅動靈活性，從而簡化了系統設

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• 2025新年啟航，贏取好禮：IPAC直播首秀聚焦光伏行業新趨勢2025-01-16 17:02

  

  隨著新年的鐘聲敲響，光伏行業正迎來前所未有的發展機遇。市場規模持續擴大，據S&PGlobal最新預測，戶用光伏與中小型工商業光伏市場有望在2025年迎來筑底反彈，未來五年將以穩健的6%年復合增長率蓬勃發展。面對這一趨勢，行業對光伏提出了更高要求：更大電流、更高電壓，更高功率密度，以及更高的可靠性，這已然成為行業前行的必然趨勢。如何通過英飛凌最新一代CoolS

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• 英飛凌IGBT7系列芯片大解析2025-01-15 18:05

  

  上回書(英飛凌芯片簡史)說到，IGBT自面世以來，歷經數代技術更迭，標志性的技術包括平面柵+NPT結構的IGBT2，溝槽柵+場截止結構的IGBT3和IGBT4，表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等。現今，英飛凌IGBT芯片的“當家掌門”已由IGBT7接任。IGBT7采用微溝槽（micropatterntrench）技術，溝道密度更高，元胞間距也經過精心設計，并且

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• 新品 | 用于交直流固態斷路器評估的高效套件（CoolSiC™版本）2025-01-14 17:35

  

  新品用于交直流固態斷路器評估的高效套件（CoolSiC版本）REF_SSCB_AC_DC_1PH_SIC固態斷路器(SSCB)套件用于快速評估交流和直流斷路器，帶交互式圖形用戶界面GUI。該套件支持110VAC、230VAC或350VDC工作電壓和16A額定電流，自然冷卻，采用頂部散熱(TSC)MOSFET封裝上的非隔離式散熱器。它可支持不同的SSCB應用場

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• 功率器件熱設計基礎（十二）——功率半導體器件的PCB設計2025-01-13 17:36

  

  /前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。功率半導體的電流密度隨著功率半導體芯片損耗降低，最高工作結溫提升，器件的功率密度越來越高，也就是

  PCB設計 功率半導體器件 功率器件 2034瀏覽量

• 第二屆電力電子科普作品創作大賽斬獲殊榮——榮獲2024年全國科普日優秀活動表彰2025-01-11 09:05

  

  2024年12月27日，中國科協辦公廳正式發布了《關于表彰2024年全國科普日優秀組織單位與活動的通知》，由中國電源學會科普工作委員會攜手英飛凌科技（中國）有限公司精心策劃的第二屆電力電子科普作品創作大賽，斬獲“2024年全國科普日優秀活動”殊榮。第二屆大賽，我們鼓勵參賽者圍繞自身工作、學習及興趣，用文字、視頻、動漫等多種形式，展示電力電子技術在電源管理、電

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• 新品 | 670V TRENCHSTOP™ IGBT7 PR7帶反并聯二極管TO-247-3大爬電距離和電氣間隙封裝2025-01-09 17:06

  

  670VTRENCHSTOPIGBT7PR7帶反并聯二極管TO-247-3大爬電距離和電氣間隙封裝該產品專門針對RAC/CAC和HVAC等升壓PFC電路進行了優化。它是TRENCHSTOPIGBT5的后續產品，具有更好的EMI特性、同類最佳的可靠性和堅固性，可為大功率和高開關頻率應用提供先進的性能和更高的性價比。產品型號：■KW30N67PR7■IKW40N

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• 英飛凌一站式方案助力熱泵系統，全新高效功率器件震撼首秀2025-01-08 17:03

  

  隨著全球能源轉型和低碳經濟的發展，建筑節能成為重要議題，熱泵系統作為一種高效的供暖、制冷和熱水供應方式，能夠顯著降低建筑能耗，提高能源利用效率，在現代社會中有著廣泛的應用需求。然而，人們對居住環境舒適度的要求日益提高，熱泵行業面臨著一個共同挑戰：如何實現安靜、高效且可靠的熱泵系統。英飛凌憑借多年的豐富經驗，提供MCU控制器，不同封裝的功率器件，以及GateD

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• 功率器件熱設計基礎（十一）——功率半導體器件的功率端子2025-01-06 17:05

  

  /前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。功率器件的輸出電流能力器件的輸出電流能力首先是由芯片決定的，但是IGBT芯片的關斷電流能力很強，

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• 應用指南導讀 | 優化HV CoolGaN™功率晶體管的PCB布局2025-01-03 17:31

  

  作為寬禁帶半導體，氮化鎵（GaN）以其前所未有的速度、效率和可靠性迅速成為現代功率電子領域的新寵。然而，GaN器件的高速開關行為也對PCB布局設計提出了巨大挑戰。因此想要充分發揮GaN的潛力，我們必須理解和管理PCB布局產生的寄生阻抗，確保電路正常、可靠地運行，并且不會引起不必要的電磁干擾（EMI）。《優化HVCoolGaN功率晶體管的PCB布局》應用指南，

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