英飛凌工業半導體文章

• 新品 | 英飛凌無芯變壓器固態隔離器交流固態開關評估板2024-09-19 08:03

  

  新品英飛凌無芯變壓器固態隔離器交流固態開關評估板英飛凌固態隔離器高壓側不需要輔助電源供電就可以驅動功率晶體管，如CoolMOS、OptiMOS或TRENCHSTOPIGBT。英飛凌SSI系列提供快速開通/關斷、過流保護和過溫保護等控制功能，驅動功率半導體實現固態繼電器。產品特點評估板用于8引腳固態隔離器的快速評估和設計評估板為交流固態開關配置快速開通過流/過

  英飛凌 評估板 隔離器 2366瀏覽量

• 英飛凌助力奇點能源，打造高效可靠的工商業儲能解決方案2024-09-14 08:04

  

  近日，英飛凌宣布攜手西安奇點能源股份有限公司，將為其提供業界領先的1200V450AEconoDUAL3功率模塊，用于215kW工商業及源網側eblock儲能應用，依托于英飛凌TRENCHSTOPIGBT7創新的產品，助力奇點能源打造高可靠、高效率的儲能PCS系統。英飛凌推出的EconoDUAL3中功率IGBT模塊封裝，自面世以來，迅速贏得業界認可，成為市場

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• 英飛凌率先開發全球首項300mm氮化鎵功率半導體技術，推動行業變革2024-09-13 08:04

  

  ●憑借這一突破性的300mmGaN技術，英飛凌將推動GaN市場快速增長●利用現有的大規模300mm硅制造設施，英飛凌將最大化GaN生產的資本效率●300mmGaN的成本將逐漸與硅的成本持平英飛凌科技股份公司今天宣布，已成功開發出全球首項300mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓技術。英飛凌是全球首家在現有且可擴展的大規模生產環境中掌握這一突破性技術的企業。這項

  半導體 氮化鎵 英飛凌 1038瀏覽量

• 直播預告 | 電氣隔離新勢力——英飛凌新型SSI系列固態隔離器的創新技術與應用設計2024-09-12 08:04

  

  英飛凌最新推出的SSI系列固態隔離器面向交流和直流固態繼電器、可編程邏輯控制器、智能樓宇和家庭自動化系統（溫控器、照明、供暖控制）、工業自動化和控制、儀器設備、電池管理系統、配電柜等等多個領域。其創新技術在兼顧可靠性和穩定性的同時，并實現電路設計簡化和成本降低。通過研討會，您將了解：技術革新亮點：詳細介紹英飛凌最新固態隔離器的核心技術優勢，以及在快速開通和關

  電氣 英飛凌 隔離器 807瀏覽量

• 新品 | 6500V、1000A 單開關 IGBT 模塊 FZ1000R65KE42024-09-10 08:03

  

  新品6500V、1000A單開關IGBT模塊FZ1000R65KE46500V1000A，190mmIHV單開關IGBT模塊采用IGBT4溝槽柵場終止技術，是HVDC-VSC、牽引和工業應用的最佳解決方案。產品特點低VCEsat碳化硅鋁基板存儲溫度低至-55°CCTI600應用價值實現緊湊型逆變器設計低功率損耗標準化封裝競爭優勢高性能堅固可靠低功率損耗應用領

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• 新品 | 采用第二代1200V CoolSiC™ MOSFET的集成伺服電機的驅動器2024-09-05 08:03

  

  新品采用第二代1200VCoolSiCMOSFET的集成伺服電機的驅動器REF-DR3KIMBGSIC2MA是為集成伺服電機的驅動器應用而開發的升級版逆變器和柵極驅動器板。設計用于評估采用TO-263-7封裝的第二代1200VCoolSiCMOSFET。采用IMBG120R040M2H作為三相逆變器板的功率開關。驅動電路采用了具有米勒鉗位功能的EiceDRI

  MOSFET 伺服電機 驅動器 1086瀏覽量

• 兩位IEEE Fellow授課│第三代半導體器件技術與應用高級研修班10月上海開班2024-09-04 08:02

  

  來源：內容來自中國電源學會01組織機構主辦單位：中國電源學會承辦單位：中國電源學會科普工作委員會、英飛凌-上海海事大學功率器件應用培訓和實驗中心、上海臨港電力電子研究院02培訓時間地點2024年10月11-13日中國(上海)自由貿易試驗區臨港新片區上海海事大學物流工程學院03培訓介紹培訓內容本課程旨在全面系統深入地介紹第三代功率半導體新技術的發展，重點講授碳

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• 新品 | 600V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列2024-09-03 08:02

  

  新品600VCoolMOS8SJMOSFET系列英飛凌最新推出的600VCoolMOS8引領著全球高壓超級結MOSFET技術的發展，在全球范圍內樹立了技術和性價比標準。CoolMOS8是英飛凌新一代硅基MOSFET技術，旨在取代現有的高/低功率開關電源（SMPS）的CoolMOS7產品系列（包括P7、S7、CFD7、C7、G7和PFD7）。它也是CoolGa

  MOS MOSFET 英飛凌 1175瀏覽量

• 離網場景下SiC MOSFETs應用于三相四橋臂變流器的優勢2024-08-30 12:25

  

  *本論文摘要由PCIM官方授權發布/摘要/工商業側儲能正以其經濟性，電網友好性等特點蓬勃發展，其中離網應用場景下，不平衡負載帶載能力，諧波畸變度等都是其PCS的重要指標。三相四橋臂（3P4L）變流器具有最強的不平衡負載能力，但對比三相三線（3P3W）系統，成本增加，諧波畸變度更高。SiCMOSFETs由于其優越的材料特性與器件特性，相較IGBT可大幅提升開關

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• 新品 | EiceDRIVER™ 2ED314xMC12L 6.5 A、5.7 kV（有效值）雙通道隔離柵極驅動器2024-08-30 12:24

  

  新品EiceDRIVER2ED314xMC12L6.5A、5.7kV（有效值）雙通道隔離柵極驅動器EiceDRIVER2ED314xMC12L是一個雙通道隔離柵極驅動器IC系列，用于驅動SiMOSFET、IGBT和SiCMOSFET。所有產品均采用14引腳DSO封裝，輸入-輸出爬電間距為8mm，加強絕緣。所有型號都具有死區時間控制（DTC）功能和獨立驅動通道

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