英飛凌工業(yè)半導體文章

• 應用指南導讀 | 優(yōu)化HV CoolGaN™功率晶體管的PCB布局2025-01-03 17:31

  

  作為寬禁帶半導體，氮化鎵（GaN）以其前所未有的速度、效率和可靠性迅速成為現(xiàn)代功率電子領域的新寵。然而，GaN器件的高速開關行為也對PCB布局設計提出了巨大挑戰(zhàn)。因此想要充分發(fā)揮GaN的潛力，我們必須理解和管理PCB布局產(chǎn)生的寄生阻抗，確保電路正常、可靠地運行，并且不會引起不必要的電磁干擾（EMI）。《優(yōu)化HVCoolGaN功率晶體管的PCB布局》應用指南，

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• 新品 | 3300V，1200A IGBT4 IHV B模塊2025-01-02 17:41

  

  3300V,1200AIGBT4IHVB模塊知名的IHVB3.3kV單開關IGBT模塊經(jīng)過了重大改進，以滿足牽引和工業(yè)應用（如中壓傳動或HVDC）當前和未來的要求。其最新推出的產(chǎn)品組合類型是經(jīng)過優(yōu)化的IGBT和二極管比率，F(xiàn)Z1200R33HE4D_B9足以取代英飛凌和競爭對手的1500A3.3kV單開關。它采用TRENCHSTOPIGBT4和發(fā)射極可控EC

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• 2024年度盤點：創(chuàng)新賦能，銳意前行2024-12-31 17:06

  

  2024年，面對充滿挑戰(zhàn)且不確定的市場環(huán)境，英飛凌始終秉持創(chuàng)新驅(qū)動技術領先的原則，不斷突破技術與產(chǎn)品性能的邊界，接連推出了多款重量級產(chǎn)品。今日，小編帶你一起盤點2024年的高光時刻。全新2000VCoolSiCMOSFET和二極管，業(yè)界首發(fā)作為市面上第一款擊穿電壓達到2000V的碳化硅分立器件，全新推出的CoolSiCMOSFET2000V采用TO-247P

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• 2024年度盤點：步履不停，載譽前行2024-12-30 19:33

  

  在充滿挑戰(zhàn)和不確定的2024年，英飛凌始終堅守以客戶為中心的核心價值觀，將滿足客戶需求作為企業(yè)發(fā)展的根本動力。這一年，英飛凌憑借創(chuàng)新的技術實力、可靠的產(chǎn)品質(zhì)量，專業(yè)的客戶支持，以及穩(wěn)健的運營管理，贏得了客戶的認可與贊譽。今日，小編帶你一起盤點2024年的榮耀時刻。維諦技術：最佳產(chǎn)品質(zhì)量獎特變電工：金牌戰(zhàn)略合作伙伴獎株洲中車時代電氣:技術協(xié)作獎施耐德電氣:最佳

  施耐德電氣 特變電工 英飛凌 653瀏覽量

• 新品 | CoolSiC™ MOSFET 3.3 kV XHP™ 2半橋模塊2024-12-27 17:07

  

  新品CoolSiCMOSFET3.3kVXHP2半橋模塊XHP2CoolSiCMOSFET3.3kV集成體二極管、XHP2封裝，采用.XT互聯(lián)技術。產(chǎn)品型號：■FF2000UXTR33T2M1■FF2600UXTR33T2M1■FF4000UXTR33T2M1產(chǎn)品特點Inom大損耗低高開關頻率體積小.XT連接技術I2t浪涌電流穩(wěn)健性應用價值能源效率高功率密度

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• 英飛凌：30年持續(xù)領跑碳化硅技術，成為首選的零碳技術創(chuàng)新伙伴2024-12-26 17:06

  

  2024年，全球極端天氣頻發(fā)，成為有氣象記錄以來最熱的一年，颶風、干旱等災害比往年更加嚴重。在此背景下，推動社會的綠色低碳轉(zhuǎn)型，提升發(fā)展的“綠色含量”已成為廣泛共識。在經(jīng)濟社會踏“綠”前行的過程中，第三代半導體尤其是碳化硅作為關鍵支撐，如何破局飛速發(fā)展的市場與價格戰(zhàn)的矛盾，除了當下熱門的新能源汽車應用，如何在工業(yè)儲能等其他應用市場多點開花？在日前舉辦的年度碳

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• 白皮書導讀 | 電機驅(qū)動系統(tǒng)中的寬禁帶開關器件2024-12-25 17:30

  

  樣品活動進行中，掃碼了解詳情近年來，電動汽車的興起帶動了寬禁帶器件的應用，并逐漸滲透到各個市場。目前，工業(yè)電機主要使用逆變器來提高能效等級，這些逆變器在使用傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT作為功率開關時存在一些限制，如總體損耗較高、開關頻率和功率輸送受限等。隨著第三代半導體的興起，寬禁帶器件的應用使得提高電機的功率密度、功率輸送能力和效率成為可能。《電機驅(qū)動系統(tǒng)

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• 功率器件熱設計基礎（十）——功率半導體器件的結構函數(shù)2024-12-23 17:31

  

  樣品活動進行中，掃碼了解詳情/前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。為什么引入結構函數(shù)？在功率器件的熱設計基礎系列文章《功率半導體殼溫和

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• 新品 | 750V 8mΩ CoolSiC™ MOSFET2024-12-20 17:04

  

  750V8mΩCoolSiCMOSFET采用TO-247-4封裝的新型CoolSiCMOSFET750VG1是高度堅固的SiCMOSFET，具有最佳的系統(tǒng)性能和可靠性。CoolSiCMOSFET750V充分利用了英飛凌20多年的SiC經(jīng)驗。它在性能、可靠性和堅固性方面都具有優(yōu)勢，并具有柵極驅(qū)動靈活性，從而簡化了系統(tǒng)設計，提高了成本效益，實現(xiàn)了最高的效率和功率

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• 新品 | 6EDL04x065xT 系列三相柵極驅(qū)動器2024-12-19 19:00

  

  樣品活動進行中，掃碼了解詳情新品6EDL04x065xT系列三相柵極驅(qū)動器650V三相柵極驅(qū)動器，帶過電流保護(OCP)、使能(EN)、故障檢測和集成自舉二極管(BSD)產(chǎn)品型號：■6EDL04I065NT■6EDL04I065PT■6EDL04N065PT產(chǎn)品特點英飛凌薄膜-SOI技術最大阻斷電壓+650V輸出源/吸收電流+0.165A/-0.375A集成

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