對于電子線路中所標稱的噪聲，可以概括地認為，它是對目的信號以外的所有信號的一個總稱。噪聲是一種電子信號，而干擾是指的某種效應，是由于噪聲原因對電路造成的一種不良反應。

在數(shù)字電路中，普遍存在高頻的數(shù)字電平，這些電平可以產生兩種噪聲：

1、電磁輻射，就像電視的天線一樣，通過發(fā)射電磁波來干擾旁邊的電路，也就是你說的噪聲。

2、耦合噪聲，指數(shù)字電路和旁邊的電路存在一定的耦合，噪聲可以直接在電器上直接影響其他的電路，這種噪聲更厲害。

在設計低噪聲前置放大器之前，工程師必須仔細審視源自放大器的噪聲，一般來說，運算放大器的噪聲主要來自四個方面：

1、熱噪聲：由于電導體內電流的電子能量不規(guī)則波動產生的具有寬帶特性的熱噪聲，其電壓均方根值的正方與帶寬、電導體電阻及絕對溫度有直接的關系。對于電阻及晶體管（例如雙極及場效應晶體管）來說，由于其電阻值并非為零，因此這類噪聲影響不能忽視。

2、閃爍噪聲：由于晶體表面不斷產生或整合載流子而產生的噪聲。在低頻范圍內，這類閃爍以低頻噪聲的形態(tài)出現(xiàn)，一旦進入高頻范圍，這些噪聲便會變成“白噪聲”。閃爍噪聲大多集中在低頻范圍，對電阻器及半導體會造成干擾，而雙極芯片所受的干擾比場效應晶體管大。

3、射擊噪聲：肖特基噪聲由半導體內具有粒子特性的電流載流子所產生，其電流的均方根值正方與芯片的平均偏壓電流及帶寬有直接的關系。這種噪聲具有寬帶的特性。

4、爆玉米噪聲：半導體的表面若受到污染便會產生這種噪聲，其影響長達幾毫秒至幾秒，噪聲產生的原因仍然未明，在正常情況下，并無一定的模式。生產半導體時若采用較為潔凈的工藝，會有助減少這類噪聲。

此外，由于不同運算放大器的輸入級采用不同的結構，因此晶體管結構上的差異令不同放大器的噪聲量也大不相同。

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