作為目前SSD和多數存儲設備的技術基礎，閃存顆粒的價格隨著技術的進步必然是朝著更加低廉的方向前進的。不久的過去，當TLC閃存面世之后，曾經引發過一場持續至今的爭論。而就在我們還沉浸在MLC還是TLC的選擇問題時，更加“喪心病狂”的QLC閃存已經來到了我們的面前。我們剛剛拿到了一款來自三星的860QVO 容量為1TB，這是三星首款QLC閃存顆粒的SSD產品。那么它的表現究竟如何呢？

什么是QLC？

NAND閃存的基礎單元被稱作Cell，如果每個Cell只存儲一個bit的數據也就是傳統的SLC（Single-Level Cell ）顆粒，如果存儲2bit數據則稱為MLC（Multi-Level Cell）顆粒，以此類推，TLC（Trinary-Level Cell）則為3bit，而QLC每個Cell中的數據達到了4bit。隨著bit數量的增加，帶來的好處是同樣規模的顆粒可以存儲更多的數據，從而實現SSD容量上的大規模提升。而這樣帶來的副作用是更繁瑣的尋址帶來的快速老化和同容量下更低的性能。

三星首款QLC SSD ——860QVO

860QVO是三星首款QLC閃存的產品，考慮到QLC的特性，所以為了實現比較高的性能，三星選擇了大容量策略，容量1TB起步，最高達到4TB。

目前上市的僅有2.5英寸SATA3接口的版本，M.2接口和MSATA接口的版本暫未上市。

拆開外殼我們可以看到這款容量高達1TB的SSD產品僅采用了一塊大小僅相當于兩張多一點標準SD卡大小的PCB。而更夸張的是使用單芯片封裝實現了1TB的容量。

這顆64層堆疊的4bit MLC（QLC）NAND芯片的容量達到了1TB！官方質保的壽命為360TBW或三年，也就是360次全盤寫入，是相同容量860EVO 600TBW的一半。但如果算下來的話，每天的寫入量需要達到328GB才可以在三年內消耗完，這樣的壽命很顯然還是非常夠用的。

背部還預留了一個空焊的位置，估計2TB版本將共享同款PCB。

主控采用了三星的MJX主控，基于ARM架構，與860evo使用的為同系列產品。

860QVO采用了一顆1GB的DDR4緩存。除此之外，三星還準備了6GB的模擬SLC緩存和36GB-72GB的智能緩存來保證日常速度。

官方標稱數據方面，1TB版的持續讀取性能為550MB/s，持續寫入性能為520MB/s。4K隨機讀寫（QD32）性能達到96K和86K IOPS。

基準性能測試

可以看到，支持了S.M.A.R.T，NCQ以及TRIM功能，DevSleep也沒有缺席。

首先是娛樂性質的ASSD Benchmark，可以看到持續寫入和4K性能都和普通的SATA TLC產品沒什么兩樣。

可以看到，4K性能約91K和86K IOPS，與標稱值比較接近。

而在CrystalDiskMark 中，性能表現也相當一致，560 MB/s和528MB/s的跑分超過了官方數據。

TxBench的跑分同樣是560MB/s和528MB/s。4K性能也達到了標稱值。

ATTO的測試成績同樣是560MB和528MB/s，表現非常一致。

三星的Magician工具還提供了RAPID模式的選項，將一部分內存用作SSD緩存使用，從而實現大幅度的性能提升。

開啟RAPID模式之后，持續讀寫和4K性能都有著非常夸張的性能提升。

大容量寫入性能測試

以上就是我們日常對SSD的一些日常跑分，但這都是在SLC緩存和智能緩存的范圍內進行的測試，成績表現不錯意味著可以保證日常使用的良好體驗。但如果超出了這部分緩存之后，QLC的性能是否能夠滿足需求呢？我們來進行一下相關的測試。

首先我們進行全盤寫入，可以看到在80GB左右出現了大幅度的寫入性能衰減，這意味著已經超出了模擬緩存的范圍，在寫滿SLC緩存之后，三星860QVO的寫入性能降低到了在75MB/s左右。

我們將一個含有154個文件共50.3GB的文件夾從高性能的NVME SSD拷貝到860QVO中，可以看到，在7GB左右出現了顯著的寫入性能下降，從500MB左右的速度降低到了75.8MB/s，QLC顆粒的性能被真實的展現了出來。

總結

通過我們的測試來看，如果是日常的小文件讀寫以及游戲、軟件所需要的零碎文件讀寫工作，有智能緩存技術加持的860QVO可以滿足需要。且與普通的TLC SSD并不會有顯著的區別。但不可否認的是，QLC顆粒本身的特質決定了在超出SLC緩存區之后的寫入性能僅與機械硬盤相當，并不適合大型文件的連續寫入。比較適合作為倉庫盤存儲冷數據。