引言

QDR-IV 實現了 QDR (四倍數據速率) SRAM 的最高 RTR (隨機事務處理速率)，可為高帶寬網絡、高性能計算和密集型數據處理應用提供高達 400Gbps 的數據傳輸。在這些較快數據速率下的一項主要挑戰是保持在 SRAM 與高速 FPGA 和處理器等器件之間傳輸之數據的完整性。

一種良好的解決方案是把 SRAM (例如：QDR-IV、QDR 或 DDR) 布設得非常靠近 PCB 正面的接口器件。為節省 PCB 面積并最大限度地抑制數據總線線路上的感應 PCB 寄生噪聲，應將給 QDR-IV SRAM 數據總線驅動器供電的 DC/DC 穩壓器電路安置在近旁。面臨的難題是在高安裝密度的 PCB 上找到安放該穩壓器的空間。

采用一個具片內電感器和 MOSFET 并內置于緊湊型封裝中的完整 DC/DC 穩壓器是一種解決方案。不過，即使是緊湊的解決方案，要面對 PCB 正面上稀缺的可用面積也會有難度。如果 DC/DC 穩壓器解決方案的占板面積、高度和重量能夠有足夠的削減，則其就能安放在具有可用面積的 PCB 之背面。

在一個纖巧的超薄型封裝中從 12VIN 獲得 VTT、VDDQ、VREF

LTM4632 是一款完整的三路輸出降壓型 μModule? 穩壓器，專為支持新型 QDR-IV 和較老式的 DDR RAM 所需要的全部三個電壓軌而設計，其采用一個重 0.21g、外形超薄的微型 LGA 封裝 (6.25mm × 6.25mm × 1.82mm)。

封裝中內置了開關控制器、電壓除二電路、功率 FET、電感器和支持組件。其纖巧的占板面積和低外部組件數 (少至一個電阻器和三個電容器) 僅占用 0.5cm2 (雙面) 或 1cm2 (單面)，而它扁薄的外形則使其能安裝在 PCB 的背面，這樣就可騰出 PCB 正面的空間以實現超緊湊的電路板設計。

LTM4632 采用一個介于 3.3V 和 15V 之間的輸入電壓工作，可提供 0.6V 至 2.5V 的精準輸出軌電壓。該器件的兩個開關穩壓器輸出 VOUT1 和 VOUT2 分別為 VDDQ 提供高達 3A 和 VTT 總線終端軌提供高達 ±3A。它的第三個輸出為跟蹤電壓的終端基準 (VTTR) 提供一個低噪聲緩沖 10mA 輸出。圖 1 示出了一種典型 DDR3 應用中的 LTM4632 電路，顯現了其簡單的解決方案和小的組件數目。

圖1：典型的LTM4632 DDR3應用

給更多的 SRAM 模塊供電

LTM4632 的設計靈活性使其能夠支持眾多的應用要求。例如：VDDQIN 輸入允許 VTT 和 VREF 軌電壓設定為一個典型的 1/2 x VDDQ 電壓，或由一個外部基準電壓設置為其他數值。在那些需要大于 ±3A 終端軌電流的應用中，LTM4632 可配置為一個用于 VTT 的兩相單路輸出軌。這些特性使得 LTM4632 能夠支持許多不同 SRAM 的電壓要求以及較大存儲器陣列的增加負載電流要求。

圖 2 示出了 LTM4632 的靈活性。LTM4632 的兩個開關穩壓器輸出采用一種 PolyPhase? 均流配置進行連接，以為較大的存儲器組提供高達 ±6A VTT。對于超過 6A 的 VDDQ，LTM4632 可與其他的 μModule 穩壓器 (例如：LTM4630) 相組合以給大型 SRAM 陣列提供高達 36A。LTM4632 的效率和功率損耗曲線示于圖 3，而其熱性能則在圖 4 中示出。

圖2：LTM4632兩相單路輸出±6A VTT (采用36A LTM4630 VDDQ電源)

圖3：LTM4632的效率和功率損耗。12V為輸入。(針對圖2的設計)

圖4：LTM4632的熱性能。12V輸入，3A電流。(針對圖2的設計)

嚴緊的調節和快速瞬態響應

LTM4632 獨特的受控導通時間電流模式架構和內部環路補償可在很寬的工作條件和輸出電容范圍內實現快速瞬態響應和優良的環路穩定性。針對其開關穩壓器輸出的電壓調節是精準的，可在整個電壓、負載和溫度范圍內保證具有低的 ±1.5% 最大總 DC 輸出電壓誤差。

圖 5 和圖 6 示出了 LTM4632 VTT 電壓軌的快速瞬態性能和嚴緊的負載調節 (針對圖 2 電路)。

圖5：VTT負載階躍，-3A至3A (針對圖2的設計)

圖6：VTT負載調節(針對圖2的設計)

結論

超薄型 LTM4632 提供了一款用于 DDR / QDR RAM 應用中所需的全部三個電壓軌之完整高性能穩壓器解決方案。該器件的寬工作范圍、眾多特點和緊湊的解決方案尺寸使其高度靈活和堅固，并能安裝在 PCB 正面和背面上極其狹小致密的可用空間中。