軟錯誤是指RAM或FF中非由硬錯誤引起的位翻轉，因此在斷電再重啟后會消失。以前，軟錯誤在很大程度上被忽略了，可靠性預測主要集中在硬錯誤上，但在IEC 61508-2:2010提到軟錯誤后，人們再也不能忽略軟錯誤了。這是好現象，因為在有很大RAM的器件中，軟錯誤率可能輕而易舉地比硬錯誤率高出三個數量級。另一方面，器件即使沒有RAM，也可能存在大量FF，因此每個器件都會有一定程度的軟錯誤。甚至模擬電路（例如使用開關電容架構的那些電路）也可能發生軟錯誤，但考慮到問題的相對規模，這個問題在很大程度上被忽略了。

軟錯誤主要是由封裝材料中的α粒子和源于銀河系的中子引起的。在地面高度，二者的貢獻大致相同。α粒子不能深深地滲透到硅中，但它們來自芯片頂部，因此難以屏蔽，不過有文獻表明，聚酰胺可以幫助解決這個問題。另一方面，不使用幾米厚的水泥或鉛的話，很難屏蔽中子。因此，需要在CMOS器件層次、IC上的模塊層次、IC上的系統層次或高級系統層次采取措施予以解決。

如果您沒有更好的信息，可以使用IEC 61508-7:2010第7部分倡導的值——1000 FIT/兆位。廣泛接受的Siemens SN29500系列標準倡導的值是1200 FIT/兆位。實際上，1000 FIT/兆位已被廣為接受。最佳方案是測試每個IC，但這仍然不是沒有爭議，因為你會遇到與典型器件中使用的許多不同類型FF相關的問題，與加速測試和山頂測試相關的問題，以及關于AVF（架構漏洞因子）的討論，許多軟錯誤可能永遠不會傳播出去造成系統故障。

在CMOS器件層次，您可以使用加固器件（三阱、SOI、額外電容），但處理軟件錯誤最常見的方法是在硅模塊層次給RAM增加奇偶校驗或ECC。奇偶校驗位檢測受保護的字節或字中是否有一位發生翻轉。但是，它無法檢測兩位翻轉的情況。如果奇偶校驗與邏輯連續位物理分隔相結合，就可以解決這個問題，因為一個粒子不再能翻轉同一個字中的兩位。另一方面，ECC通?？梢詸z測所有一位、兩位錯誤和大部分更多位錯誤。ECC優于奇偶校驗的一大優勢實際上是它可以從一位錯誤中恢復而無需干預。對于奇偶校驗錯誤，通常需要重啟系統才能清除錯誤，但這取決于最終應用。如果ECC或奇偶校驗不可用，應用設計人員仍能解決軟錯誤，方法是將關鍵值存儲在兩個存儲器位置，使用之前比較這兩個結果。然而，這往往會擾亂應用代碼。其他方案包括使用雙通道系統進行比較。這有點類似于ISO 13849中的典型CAT 3或CAT 4架構。雙核同步架構具有類似的優點。

諸如ADI的ADSP-CM417F等器件有助于實現上述幾種解決方案。片內RAM具有ECC和物理分隔，RAM由多個獨立的32k模塊組成，其包含兩個核心，可提供充分的隔離。而AD7124（24位Σ-Δ ADC）之類的器件包含一個片內狀態機，它在配置狀態結束時會存儲一個標準CRC，然后狀態機以不到500uS的間隔重新計算CRC，檢查是否有任何配置位翻轉。這兩者還說明了安全數據手冊的價值，最終用戶可以獲得額外信息以幫助進行安全分析，例如：關于RAM中邏輯連續位的物理分隔的信息；RAM不是作為一個大模塊實現的，而是作為幾個較小模塊實現的......

近來最著名的軟錯誤案例來自汽車，人們質疑一位翻轉便可能導致意外加速。其他案例包括投票機錯誤和變電站關閉。