有STM32用戶反饋，他在使用STM32H750VB編寫用戶引導程序【BOOT CODE】和應用程序【APP CODE】。根據數據手冊描述，STM32H750有128K Bytes的片內flash，地址是從0x0800 0000~~0x0801 FFFF。他將用戶bootloader放在0x0800 0000~0x0800 2FFF，應用程序放在0x08003000~0x0801 FFFF。但當他按照這樣的存儲分配設計時，發現總是沒法實現從BOOT區到APP區的跳轉。

基于該用戶的反饋信息，給他做了些提醒，比如中斷矢量表定位問題，客戶都說已經注意到了，代碼應該沒有問題。我這邊就客戶反饋的問題找了塊STM32H743的板做了驗證測試。發現從BOOT區到APP區的跳轉并沒有異常，那么客戶怎么又有問題呢？

再次查看了客戶郵件的反饋信息。他用的默認內部SRAM區為AXI SRAM,地址區間在0x24000000 --0x2407FFFF,即下面表格中的A區，而我使用的默認內部SRAM區是DTCM SRAM，地址區間在0x20000000 -0x2001FFFF，即下面表格中的B區。

難道是這個差別導致跳轉的不同結果？當然，這兩個SRAM區在使用上還是有差異的。

我嘗試著將測試工程的默認SRAM區從TCM RAM也改成AXI SRAM進行測試。果真沒法實現從BOOT區到APP區的跳轉！看來跳轉失敗跟選擇這個默認SRAM區有關系。也就是說當我默認使用DTCM RAM時跳轉正常,如果默認使用AXI SRAM時會跳轉失敗。

我們知道，STM32H7系列芯片支持D-CACHE/I-CACHE。具體到這里，如果使用AXI SRAM往往會用到D-CACHE。我們的工程代碼里也的確開啟了D-CACHE,如果是因為這個原因，如果在做跳轉操作之前關閉D-CACHE應該就能實現正常跳轉。 于是對代碼稍加調整，實際上也就是加了句關閉D-CACHE的代碼。【紅色方框處】

再次進行測試，此時即使使用AXI RAM做為默認內存空間，從用戶BOOT區也能可靠跳轉到APP區，完美實現。

這里涉及到STM32H7系列芯片內部不同存儲區的訪問特性和D-Cache相關知識，細節還是挺多的。有興趣的話，可以自行查看相關技術手冊做進一步的了解和探究。有時間，后續將在這里做進一步交流。此時分享該應用案例，一做應用提醒，二做拋磚引玉。