MOSFET的主要參數(shù)有哪些，都有何含義
MOSFET它用一塊P型硅半導(dǎo)體材料作襯底，在其面上擴(kuò)散了兩個(gè)N型區(qū)，再在上面覆蓋一層二氧化硅(SiO2）絕緣層，最后在N區(qū)上方用腐蝕的方法做成兩個(gè)孔，用金屬化的方法分別在絕緣層上及兩個(gè)孔內(nèi)做成三個(gè)電極：G(柵極）、S（源極）及D（漏極）
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MOSFET相關(guān)問題分享
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MOSFET關(guān)鍵參數(shù)選型依據(jù)
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發(fā)表于 07-10 14:25
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了主要的電路寄生參數(shù)以及 RC 電路。圖中，Vds 為 SiC-MOSFET 模塊關(guān)斷電壓；Vdc 為雙脈沖實(shí)驗(yàn)電源電壓；Lds 為 SiC-MOSFET 模塊內(nèi)部寄生電感；L 表示負(fù)
發(fā)表于 04-23 11:25
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