軟開(kāi)關(guān)分為ZVS（零電壓開(kāi)關(guān)）和ZCS（零電流開(kāi)關(guān)），由于ZVS一般無(wú)需外加輔助器件，容易實(shí)現(xiàn)所以在隔離DC-DC變換器中得到了廣泛的運(yùn)用（以移相全橋（Full Bridge Phase-shift）和LLC為代表）。

下面主要來(lái)講講開(kāi)關(guān)管ZVS的實(shí)現(xiàn)，下圖是MOSFET及其在分析ZVS時(shí)的等效模型。全控開(kāi)關(guān)用一個(gè)理想開(kāi)關(guān)及一個(gè)串聯(lián)導(dǎo)通內(nèi)阻RDS_on代替。無(wú)論是移相全橋（FBPS）還是諧振變換器（LLC），其ZVS短暫的過(guò)程都是一樣的，均是利用諧振電感Lr有序地“充”/“放”橋臂上下管MOSFET結(jié)電容上的電荷。

為了便于理解，此處簡(jiǎn)化講解ZVS橋臂上下管MOSFET的換流過(guò)程： 1、[~,t0]穩(wěn)態(tài) t0之前，MOS管S1一直通，S2一直斷。電流流經(jīng)RDSon1和諧振電感Lr。

2、[t0,t1]橋臂換流 t0時(shí)刻，MOS管S1關(guān)斷，此時(shí)S1、S2均關(guān)斷，沒(méi)有通路。諧振電流iLr被迫給S1結(jié)電容C1充電，并抽走S2結(jié)電容C2上的電荷。直到Vc1被充到Vin，Vc2被抽到0V，一旦Vc2降到0V，諧振電流iLr就流經(jīng)S2的體二極管（續(xù)流），此時(shí)諧振電流iLr才重新找到一條穩(wěn)定的通路。

3、[t1,~]——t1 時(shí)刻S2軟開(kāi)（ZVS零電壓開(kāi)通），維持穩(wěn)態(tài) t1時(shí)刻，S1的驅(qū)動(dòng)電平變高，此時(shí)MOS管S2合上，由于RDSon2上的壓降要比體二極管的導(dǎo)通壓降更小，所以電流流經(jīng)RDSon2（MOSFET具有雙向?qū)щ娦裕藭r(shí)MOSFET工作在同步整流狀態(tài)，這個(gè)特性是IGBT所不具備的，這也是MOSFET在ZVS變換器中的天然優(yōu)勢(shì)，電流幾乎時(shí)時(shí)刻刻都流經(jīng)RDSon，通態(tài)損耗很小）。

到此，S1關(guān)斷到S2開(kāi)通的過(guò)程已經(jīng)講完，分析整個(gè)過(guò)程可以發(fā)現(xiàn)，是S1的關(guān)斷成全了S2的軟開(kāi)，要是沒(méi)有S1的關(guān)斷，迫使諧振電流iLr為找到新的通路而“充”/“放”橋臂上下管結(jié)電容電荷，S2的續(xù)流二極管也不可能在S2驅(qū)動(dòng)高電平（t1時(shí)刻）來(lái)之前就導(dǎo)通續(xù)流。所以S2的軟開(kāi)全靠S1的硬關(guān)成全（ZVS的特點(diǎn)，硬關(guān)軟開(kāi)）。 送一幅MOSFET的ZVS波形圖（Vgs&Vds），可以清楚地看清軟開(kāi)（開(kāi)通無(wú)米勒平臺(tái)）硬關(guān)（關(guān)斷有米勒平臺(tái)）。

而S2關(guān)斷到S1開(kāi)通的過(guò)程與上述過(guò)程完全一致，不在重復(fù)。

關(guān)于硬開(kāi)，硬開(kāi)是在MOSFET關(guān)斷的情況下（Vc1=Vin），直接通過(guò)RDSon把結(jié)電容上的電荷消耗掉，從而導(dǎo)通管子，顯然要比軟開(kāi)EMI及開(kāi)通損耗要大很多。