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延長FLASH和EEPROM芯片寫入次數的小方法

聚豐開發 ? 2018-10-26 13:35 ? 次閱讀
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注:本文是作者以前發表在其個人博客,現在發布到“聚豐開發”專欄



開發電子產品時,常常需要斷電后保存某些數據,這就需要使用 FLASH或EEPROM芯片,這兩種芯片,可擦除的次數是有限制的,通常FLASH為10萬次,EEPROM要多一點,為100萬甚至1000萬次。 FLASH的擦除不能單個字節進行,有一個最小單位,存儲容量相對比較大,適合大量數據的存儲;EEPROM可以單個字節進行擦除,存儲容量不大,只適合存儲少量的設置數據。


先以FLASH和EEPROM需要寫入一個字節為例來說明新數據是如何寫入的。假定都是在首地址要寫入新數據0x55。不管是FLASH還是EEPROM。 對于FLASH,寫操作只能將數據位從1改寫為0,如果想要將數據位從0改為1,就需要進行擦除操作,而且這個擦除最小單位是page(可能是256字節或更多)。



現在要在首地址寫入0x55,穩妥的方法是先擦除這個地方,也就是要擦除第一個page,擦除操作會一并將首地址后面的另外255個字節也擦除掉,如果這255個字節保存有其它數據,還需要把這些數據先進行備份,擦除第一個page后再將0x55和備份的255個字節寫進去。也不是必須擦除第一個page,寫操作可以完成數據位1到0的轉變,利用這一特性結合首地址原來的內容,我們就有可能不用進行擦除操作,比如原來內容為0xFF,顯然可以直接寫入0x55,原內容為0xF5,同樣也可以寫入0x55,但如果原內容為0xAA,執行寫0x55則會得到完全錯誤的結果,寫完后內容依然為 0x00,因為對于0x55所有需要保持為1的位數據0xAA都是0,寫0x55會把0xAA為1的位全清0,原來為0的位不會改變。


對于EEPROM,寫操作既可以將數據位從1改寫為0,也可以將數據位從0改寫為1,不需要進行單獨的擦除操作,要寫0x55直接將0x55寫到首地址,不管原來內容為什么,完成寫操作后內容都是0x55。


一開始我們說了FLASH和EEPROM都有可擦除的最大次數(EEPROM實際上沒有擦除操作),雖然這個數字看著不小,但對于程序來說并不大,比如EEPROM為10萬次,如果我們以每秒一次的間隔依次寫入0xFF和0x00,則只能維持 100000/3600=27.78小時,也就是一天多就可以超出其最大壽命次數,不能再可靠寫入所需的內容。


這種可寫入的最大次數是芯片的特性決定的,我們無法改變,所以在使用這些芯片時,我們應充分考慮最大寫入次數這一參數,要確保產品在實際工作中不超過這一參數。實際上許多時候只要程序做出針對性處理,有可能讓產品的最大寫入次數超過芯片的壽命,還是以EEPROM來做說明。


假定現在有一個產品,需要保存一些參數,參數的個數并不多,總共為10個字節,用EEPROM來保存就可以滿足需求,我們選用了容量為256字節的 EEPROM,如果我們不做過多考慮,很有可能就是直接將這10個字節從EEPROM的首地址開始保存,每次改寫也是直接修改這部分內容,這樣我們最多可以保存參數10萬次。只要我們做一點簡單處理,就可以將保存參數的次數成倍增加,來看看我們應該如何實現。



直接保存的最簡方法:

地址 0x00 0x01 0x02 ... 0x09

內容 data1 data2 data3 ... data10

改進的保存方法:

處理方法是將256字節按16字節大小分成16等份,按后面格式存儲參數

地址 0x10*n +0x00 +0x01 +0x02 ... +0x09 +0x0A +0x0B +0x0C +0x0D +0x0E +0x0F

內容 flag data1 data2 ... data9 data10 保留1 保留2 保留3 保留4 check_sum

check_sum=(flag+data1+data2+...+data10+保留1+...+保留4 )&0xFF

flag為0xA5表示當前16個字節為正在使用的記錄,為其它值表示當前16字節已經丟棄。


讀取參數的時候先從地址0x10*n+0x00讀flag,如果為0xA5表明當前記錄為正在使用中,讀出全部內容,并按前面公式進行校驗,如果校驗出錯,則當前參數不可靠,直接使用默認參數,并將當前區域的flag改寫為0,同時在地址0x10*(n+1)位置開始將默認參數寫入,地址0x10* (n+1)寫入內容為0xA5。如果所有區域都沒有發現有效記錄,在地址0寫入默認參數。


每次需要更改參數設定時,先將當前記錄位置的flag改為0,然后再下一條記錄位置寫入新的參數,這個順序可以做出適當改進,比如對寫入時斷電等意外情況做出考慮,從而得到更可靠的寫入結果,不過就按此方法也都可以滿足應用需求



再來對比一下兩種方法,最簡方法只能保存10萬次,改進的方法理論上增加了16倍,達到160萬次,如果預估最簡方法產品是3年內絕對不會出錯,現在就增加到了48年,一個電子產品使用超過3年還是有可能,但用48年的可能性就非常之小,可以視同為0。對于FLASH芯片也是同樣道理,這里就不重復舉例說明,在應用中也應該做出同樣的處理。


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