9月30日，中國領先的嵌入式存儲芯片設計公司東芯半導體與紫光宏茂微電子共同宣布，雙方初步達成了建立戰略合作關系的一致共識，將就嵌入式存儲芯片的封裝測試進行全面合作，促進行業發展。

東芯半導體總經理王超等一行于9月29日與紫光宏茂董事長和總經理等舉行了會晤，在互相介紹了雙方公司近況后，雙方就構建戰略合作伙伴關系達成一致共識。并就雙方的合作項目進行了細致的磋商。

據悉，后續雙方簽署了正式的戰略合作協議后，東芯半導體將與紫光宏茂在嵌入式存儲領域封裝測試展開全面的合作。

東芯半導體總經理王超表示，本次與紫光宏茂達成戰略合作，極大地豐富了公司在國內封裝測試領域生產環節，保障了公司在國內從設計、制造到封測的全產業鏈能力。本次合作不僅能夠幫助雙方進一步提升整體運營效率、降低運營成本、優化產業模式，還將提升公司在存儲行業的地位，加快推動國產嵌入式存儲的大規模應用，加快國家存儲器戰略的實施。

紫光宏茂表示很高興與東芯開展合作，共同推動國內嵌入式存儲芯片產業的發展，實現雙贏。

關于東芯半導體

作為我國領先的嵌入式存儲芯片設計公司，東芯半導體聚焦于中小容量的NOR Flash、NAND Flash芯片的設計、生產和銷售，并具有DRAM產品設計能力，是目前國內唯一可以同時提供NAND、NOR、DRAM設計工藝和產品方案的本土存儲芯片設計公司，專注于為移動及消費類需求提供多樣化的產品解決方案。

東芯半導體成立于2014年11月，注冊資金約2.8億元，在中國大陸、中國香港、韓國都設有研發及分支機構，控股股東為東方恒信。公司于2015年4月收購了韓國知名存儲芯片廠商Fidelix25.28%股權，成為其第一大股東。目前，公司已完成A輪融資，引入了中芯聚源、中金鋒泰等戰略股東。

產品方面，東芯半導體于2014年12月聯合中芯國際共同開發了24nm的NAND Flash，于2015年10月成功流片國內首顆38nm 1G SPI NAND芯片，于2016年7月成功流片國內首顆24nm 4G SLC NAND芯片，于2017年9月成功流片國內首顆38nm 2G SPI NAND，使得中國存儲芯片設計能力與國際先進的差距不斷縮小。

關于紫光宏茂

紫光宏茂微電子為紫光集團與南茂科技的合資公司，其于2002年起便專注于存儲器的封裝與測試，有多樣化的封測程解決方案，先進的生產工藝及豐富的技術團隊，具有完善的品質體系，公司成立初期便通過汽車質量體系認證，并擁有十余年的車規產品生產經驗，完備的可靠性及失效分析的實驗能力。