6H14п+6H8C+6P1膽前級制作,6H14п+6H8C+6P1 preamplifier

關鍵字：6H14п+6H8C+6P1膽前級制作

6H14п+6H8C+6P1膽前級制作

前級放大器在音響系統中的作用舉足輕重。筆者心中理想的前級放大器是：具有較高解析力，捕捉每一個音符和細節，充分領略音源的精彩，同時具有逼真的音場表現力、強烈的音樂感染力；樂聲和諧自然，優美而含蓄，符合東方人的審美情趣，不經意間透露幾分嫵媚。略通音律而高燒不止的筆者一日大悟：何不制造“理想”前級放大器?空想不做有什么用?為了夢中的“橄欖樹”，于是筆者的6H14п+6H8C+6P1膽前級就這樣誕生了。

一、電路原理
1.放大部分
圖1是本機放大部分的原理圖。輸入級兼電壓放大由OTK生產的6H14п擔任，為共陰極放大。6H14п產于1962年，采用玻殼小9腳雙三極管封裝，屬旁熱式中低μ低內阻電壓放大管，參數見附表。本級供電電壓為100VDC，陽極電阻取22kΩ，額定功率1W。陰極電阻取510Ω，額定功率0.5W。柵極電阻取220kΩ，額定功率0.5W。本級靜態電流為2.6mA，柵負壓為一1.36V，開環電壓放大倍數為21倍。本級有電流負反饋與越級電壓負反饋雙重負反饋。

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電壓放大級由OTK產6H8C及南京6N8P(6H8C)輪流擔任，共陰極放大。OTK的6H8C產于1958年，南京6N8P(6H8C)產于1961年，玻殼8腳雙三極管封裝，屬旁熱式低μ低內阻電壓放大管，參數見附表。本級供電電壓為260V ，陽極電阻取51kΩ，額定功率1W。陰極電阻取1.5kΩ，額定功率為0.5 W ；柵極電阻取220kΩ，額定功率0.5W。本級靜態電流仍為2.6mA，柵負壓為一4V，開環電壓放大倍數為17倍。
電流輸出級由6P1擔任，采用曙光1977年J級產品。本級為陰極輸出器，無電壓放大功能，但有較強電流放大能力。本級供電電壓為275VDC，陰極電阻取270Ω，額定功率2W；陰極負載電阻取2kΩ，額定功率5W；柵極電阻取270kΩ，額定功率0.5W。本級靜態電流為33mA，柵負壓為－9V，本級有100％ 電壓負反饋。6P1陽極功耗為6.6W。該陰極輸出器若用6P14，則陰極電阻應取130Ω，額定功率2W，其余無需更改。
本機膽管參數見附表。

2.電源部分
圖2是本機電源部分的原理圖。電源電路采用傳統電子管整流CLC濾波加充氣管穩壓電路。高壓供電分兩路：輸入級與電壓放大級共用一路，輸出級一路，左右聲道共用。兩只高壓變壓器均使用同一型號的6燈電子管收音機的拆機品，額定功率為50W。濾波電感L1與L2均使用同一型號的上海無線電二十七廠的額定功率為45W的電子管收音機電源變壓器一次側代替。

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附表6H14п、6H8C和6P1的參數

參數\膽管 聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。 舉報投訴 收藏 人收藏 掃一掃，分享給好友 復制鏈接分享 加入交流群 掃碼添加小助手 加入工程師交流群 評論 發布評論請先 登錄 相關推薦 熱點推薦 安森美NTMFS6D1N08H N溝道功率MOSFET深度解析 安森美NTMFS6D1N08H N溝道功率MOSFET深度解析 在電子設計領域，功率MOSFET作為關鍵元件，對電路性能起著至關重要的作用。今天，我們將深入探討安森美（onsemi）推出 發表于 04-10 17:25 ?614次閱讀 深入解析 NTMFS6H800N：高性能 N 溝道 MOSFET 的卓越之選 （onsemi）推出的 NTMFS6H800N 這款 N 溝道功率 MOSFET，剖析其特性、參數以及在實際應用中的表現。 文件下載： NTMFS6H800N-D.PDF 一、產品特性亮點 1. 緊湊 發表于 04-10 17:20 ?593次閱讀 onsemi NTMFS6H818NL MOSFET：高效性能與緊湊設計的完美結合 NTMFS6H818NL 是一款具備出色性能的 MOSFET，其額定電壓為 80V，極低的導通電阻 (R_{DS(on)}) 僅為 3.2 mΩ，連續漏極電流可達 135A（(T_C = 25^{circ}C)）。 發表于 04-10 17:15 ?591次閱讀 安森美NTMFS6H836NL N溝道功率MOSFET的特性與應用解析 安森美NTMFS6H836NL N溝道功率MOSFET的特性與應用解析 在電子設計領域，功率MOSFET作為關鍵的電子元件，廣泛應用于各種電源管理和功率轉換電路中。安森美（onsemi）推出 發表于 04-10 17:10 ?602次閱讀 深入解析 onsemi NVMFS6D1N08H N 溝道功率 MOSFET 深入解析 onsemi NVMFS6D1N08H N 溝道功率 MOSFET 在電子設計領域，功率 MOSFET 是至關重要的元件，廣泛應用于各種電源和功率轉換電路中。今天，我們將深入探討 發表于 04-09 11:40 ?206次閱讀 Onsemi NVMFS6H824NL單通道N溝道MOSFET深度解析 的NVMFS6H824NL單通道N溝道MOSFET，看看它有哪些獨特之處。 文件下載： NVMFS6H824NL-D.PDF 1. 核心特性亮點 1.1 緊湊設計 NVMFS6H824 發表于 04-09 11:10 ?156次閱讀 深入剖析NVMFS6H824N：高性能N溝道MOSFET的卓越之選 （onsemi）推出的一款N溝道MOSFET——NVMFS6H824N，看看它在實際應用中能為我們帶來哪些優勢。 文件下載： NVMFS6H824N-D.PDF 1. 產品概述 NVMFS6H 發表于 04-09 11:05 ?152次閱讀 深入解析onsemi NVTFS6H888NL單通道N溝道MOSFET NVTFS6H888NL是一款耐壓80V、導通電阻低至50mΩ、最大電流可達14A的單通道N溝道MOSFET。其采用小型封裝（3.3 x 3.3 mm），非常適合緊湊設計，能有效節省電路 發表于 04-08 11:30 ?202次閱讀 ESP32-C6-MINI-1U-H8實戰指南：不止是Wi-Fi 6，更是物聯網的“全能模組” ESP32-C6-MINI-1U-H8的出現，正在打破這些“不可能三角”。這顆基于RISC-V架構的模組，將Wi-Fi 6、藍牙5、Zigbee和Thread四種無線協議集成在單一芯片中，以極致緊湊的封裝形態，為開發者打開了前所未有的設計空間。 作為ESP32- 發表于 04-07 17:37 ?1054次閱讀 Onsemi NVMFS6D1N08H：高性能N溝道MOSFET的技術解析 Onsemi NVMFS6D1N08H：高性能N溝道MOSFET的技術解析 引言 在電子工程師的日常設計中，MOSFET是不可或缺的關鍵元件。Onsemi的NVMFS6D1N08H作為一款80V 發表于 04-03 16:40 ?179次閱讀 安森美NVMFS6H818N：高性能N溝道MOSFET的卓越之選 安森美NVMFS6H818N：高性能N溝道MOSFET的卓越之選 引言 在電子設計領域，MOSFET作為關鍵的功率開關器件，其性能直接影響著整個電路的效率和穩定性。安森美（onsemi）推出 發表于 04-03 16:30 ?95次閱讀 深入解析 onsemi NVMFS6H848N 功率 MOSFET 的 NVMFS6H848N 單通道 N 溝道功率 MOSFET，看看它有哪些獨特之處。 文件下載： NVMFS6H848N-D.PDF 1. 產品概述 NVMFS6H848N 是一款耐 發表于 04-03 16:10 ?172次閱讀 使用TTP233H-BA6時這6個細節要注意！ TTP233H-BA6TTP233H-BA6使用時這6個細節要注意在電子設計中，選擇一款合適的觸摸檢測芯片至關重要。TTP233H-BA6作為一款單鍵觸摸板檢測器IC，以其低功耗、寬工作電壓和穩定 發表于 12-10 17:41 ?822次閱讀 長虹H14K8電路圖資料 長虹H14K8電路圖 發表于 08-19 16:51 ?0次下載 DS-CR1A H00-CN-V6 電子發燒友網站提供《DS-CR1A H00-CN-V6.pdf》資料免費下載 發表于 06-26 15:07 ?0次下載 電子發燒友 My ElecFans APP 網站地圖 設計技術 可編程邏輯 電源/新能源 MEMS/傳感技術 測量儀表 嵌入式技術 制造/封裝 模擬技術 RF/無線 接口/總線/驅動 處理器/DSP EDA/IC設計 存儲技術 光電顯示 EMC/EMI設計 連接器 行業應用 LEDs 汽車電子 音視頻及家電 通信網絡 醫療電子 人工智能 虛擬現實 可穿戴設備 機器人 安全設備/系統 軍用/航空電子 移動通信 工業控制 便攜設備 觸控感測 物聯網 智能電網 區塊鏈 新科技 特色內容 專欄推薦 學院 設計資源 設計技術 電子百科 電子視頻 元器件知識 工具箱 VIP會員 最新技術文章 產品地圖 品牌地圖 社區 小組 論壇 問答 評測試用 企業服務 產品 資料 文章 方案 企業 供應鏈服務 硬件開發 媒體服務 網站廣告 在線研討會 活動策劃 新聞發布 新品發布 小測驗 設計大賽 電子發燒友 關于我們 聯系我們 舉報投訴 社交網絡 微博 移動端 發燒友APP WAP 聯系我們 廣告合作 王婉珠：wangwanzhu@elecfans.com 內容合作 張迎輝：mikezhang@elecfans.com 關注我們的微信 下載發燒友APP 電子發燒友觀察 版權所有 ? 長沙勒克斯教育咨詢有限公司 湖南省長沙市開福區月湖街道匍園路20號聚恒科技園1棟2301-1房 電子發燒友 （電路圖） 湘公網安備43011202000918 工商網監 湘ICP備2023036445號-105-1