onsemi N-Channel MOSFET：NTB6410AN、NTP6410AN、NVB6410AN 深度解析

在電子設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件，其性能直接影響著整個電路的效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來深入探討 onsemi 推出的 N-Channel MOSFET——NTB6410AN、NTP6410AN 和 NVB6410AN。

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產(chǎn)品特性亮點

低導(dǎo)通電阻與高電流能力

這三款 MOSFET 具有低 RDS(on) 的特性，能夠有效降低導(dǎo)通損耗，提高電路效率。同時，它們具備高電流能力，連續(xù)漏極電流 ID 在 $T_{C}=25^{circ}C$ 時可達(dá) 76A，脈沖漏極電流 IDM 更是高達(dá) 305A，能夠滿足高功率應(yīng)用的需求。

100%雪崩測試

經(jīng)過 100% 雪崩測試，確保了器件在雪崩狀態(tài)下的可靠性和穩(wěn)定性，適用于對可靠性要求較高的應(yīng)用場景。

汽車級應(yīng)用

NVB 前綴的產(chǎn)品專為汽車和其他有獨特場地和控制變更要求的應(yīng)用而設(shè)計，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)，具備 PPAP 能力，為汽車電子等領(lǐng)域提供了可靠的解決方案。

環(huán)保設(shè)計

這些器件為無鉛產(chǎn)品，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，響應(yīng)了環(huán)保要求，也滿足了市場對綠色電子產(chǎn)品的需求。

關(guān)鍵參數(shù)解讀

最大額定值

熱阻額定值

注 1：表面貼裝在 FR4 板上，使用 1 平方英寸焊盤尺寸（銅面積 1.127 平方英寸 [2 oz] 包括走線）。

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓 V(BR)DSS 在 VGS = 0 V，ID = 250 μA 時為 100V。
• 漏源擊穿電壓溫度系數(shù) V(BR)DSS/TJ 為 94 mV/°C。
• 零柵壓漏極電流 IDSS 在 TJ = 25°C 時為 1.0 μA，TJ = 150°C 時為 100 μA。
• 柵源泄漏電流 IGSS 在 VDS = 0 V，VGS = 20 V 時為 100 nA。

導(dǎo)通特性

• 柵極閾值電壓 VGS(th) 在 VGS = VDS，ID = 250 μA 時，最小值為 2.0V，最大值為 4.0V。
• 負(fù)閾值溫度系數(shù) VGS(th)/TJ 為 9.0 mV/°C。
• 漏源導(dǎo)通電阻 RDS(on) 在 VGS = 10V，ID = 76A 時，典型值為 11 mΩ，最大值為 13 mΩ；在 VGS = 10V，ID = 20A 時，典型值為 10 mΩ，最大值為 12 mΩ。
• 正向跨導(dǎo) gFS 在 VDS = 5V，ID = 20A 時，典型值為 40 S。

電荷、電容和柵極電阻

• 輸入電容 Ciss 在 VDS = 25 V，VGS = 0V，f = 1MHz 時為 4500 pF。
• 輸出電容 Coss 為 650 pF。
• 反向傳輸電容 Crss 為 250 pF。
• 總柵極電荷 QG(TOT) 在 VGS = 10V，VDS = 80 V，ID = 76A 時為 120 nC。
• 閾值柵極電荷 QG(TH) 為 5.2 nC。
• 柵源電荷 QGS 為 20 nC。
• 柵漏電荷 QGD 為 57 nC。
• 平臺電壓 VGP 為 5.1 V。
• 柵極電阻 RG 為 2.4 Ω。

開關(guān)特性

在 VGS = 10 V 時，開啟延遲時間 td(on) 為 17 ns，上升時間 tr 為 170 ns，關(guān)斷延遲時間 td(off) 為 120 ns，下降時間 tf 為 190 ns。

漏源二極管特性

• 正向二極管電壓 VSD 在 TJ = 25°C，IS = 76 A 時，最小值為 1.0V，最大值為 1.3V；在 TJ = 125°C 時為 0.9V。
• 反向恢復(fù)時間 trr 為 93 ns，充電時間 ta 為 69 ns，放電時間 tb 為 24 ns，反向恢復(fù)電荷 QRR 為 300 nC。

封裝與訂購信息

封裝形式

提供 TO - 220AB 和 D2PAK 兩種封裝形式，滿足不同的應(yīng)用需求。

訂購信息

應(yīng)用與思考

這些 MOSFET 適用于多種應(yīng)用場景，如電源管理、電機(jī)驅(qū)動、逆變器等。在設(shè)計過程中，工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，合理選擇器件，并注意其最大額定值和電氣特性，以確保電路的可靠性和穩(wěn)定性。例如，在高功率應(yīng)用中，要充分考慮器件的散熱問題，合理設(shè)計散熱方案，以保證器件在安全的溫度范圍內(nèi)工作。同時，對于汽車等對可靠性要求極高的應(yīng)用，NVB 前綴的產(chǎn)品是一個不錯的選擇。

你在實際應(yīng)用中是否使用過類似的 MOSFET 器件？遇到過哪些問題？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。

希望以上內(nèi)容能為電子工程師們在設(shè)計過程中提供有價值的參考。如果你對這些 MOSFET 還有其他疑問，歡迎查閱 onsemi 的官方文檔或咨詢技術(shù)支持人員。