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如何通過高抑制比設計優化射頻轉換器性能

德州儀器 ? 來源:德州儀器 ? 2026-04-14 10:25 ? 次閱讀
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本期為大家帶來的是《雷達應用中射頻轉換器的無雜波電源(第 2 部分)》,介紹了本文闡述了電源噪聲通過 ADC 內部電路耦合對系統性能的負面影響,并重點分析了電源抑制比(PSRR)在其中的關鍵作用 。

引言

本系列的第 1 部分介紹了噪聲如何耦合模數轉換器 (ADC) 電源、噪聲如何通過ADC 電路進行耦合以及一些常見的電源權衡因素。現在,我們將運用這些知識來測量ADC12DJ5200RF ADC 的噪聲和雜散抑制,即電源抑制比 (PSRR) 或電源調制比(PSMR)。

文中通過示例說明 ADC 電源引腳耐受的噪聲大小,從而幫助您在下一個信號鏈設計中適當縮小適用電源管理器件的選擇范圍。此外,還介紹了一些實用的設計指南。

測量 PSRR 或 PSMR

圖 1 展示了使用偏置 T 單獨測試 PSRR 或PSMR 電源節點的測量設置。偏置 T 買來即用,可將交流和直流信號合并至單個被測電源。偏置 T 必須具有足夠高的額定電流以提供足夠的偏置;否則,測量結果可能會不可靠 。

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圖 1用于 PSRR 或 PSMR 測量的工作臺測試設置

PSRR 測量步驟:

上下滑動閱讀

正常設置評估模塊或系統板,然后隔離被測電源。這可能需要移除特定電源域的去耦電容器。

對該電源域應用偏置 T,同時使用干凈的外部工作臺電源設置適當的直流電壓。

使用數字萬用表確認被測電源的測試點盡可能靠近ADC(例如靠近電源引腳),從而確保按照數據表中的標稱值施加適當的直流電壓。可能需要略微調整工作臺電源以補償偏置 T 和電纜損耗。

為 ADC 的其余部分和電路板電源供電,保持這些電源處于標稱值。在第一奈奎斯特區域內選擇一個合適的頻率(本例選擇從 10MHz 開始),并將正弦波信號源注入偏置 T。該信號源被稱為誤差信號。

從低幅度信號開始,慢慢提高幅度,直到本底噪聲產生雜散,同時使用 TI 的高速數據轉換器專業軟件(HSDC-Pro)[2] 來顯示并測量數字輸出快速傅里葉變換 (FFT) 頻譜。誤差雜散在 FFT 頻譜中應足夠高且可重復,在注入的誤差測試頻率 (10MHz) 下很明顯。在本例中,捕獲的誤差雜散幅度為 –78dB。下頁中的圖 2 展示了從輸出頻譜產生的注入誤差信號示例。

示波器或頻譜分析儀記錄注入的誤差信號電平。然后,在 ADC 的被測電源節點(最好是 ADC 的電源引腳)附近再次測量誤差信號電平。記錄在該引腳處注入的電壓峰-峰值 (VPP) 信號,由此可以通過簡單的數學公式計算得出 PSRR。例如,如果測量到應用的誤差信號為 8mVPP,而 ADC的滿量程電壓為 0.8VPP,則只需取這兩個數字的比值,即 20 × log(8mV/800mV) = –40dB。若要計算PSRR,從先前在 FFT 頻譜中確定的誤差雜散幅度中減去這個數字,即 PSRR:–78dB – (–40dB) =–38dB。

至少在 ADC 的第一奈奎斯特區域上測量各種誤差信號注入電平和頻率。

對 ADC 的其余電源節點重復上述步驟。

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圖 2:應用了誤差信號的 ADC 輸出 FFT 頻譜

圖 3 突出顯示了 ADC12DJ5200RF 的PSRR 測量結果。VA11 和 VA19 曲線表明,由于內部 ADC 電路拓撲不同,ADC 模擬電源的穩健性會不如數字電源 (VD11),并且更容易產生電源噪聲,如第 1 部分文章中所述。此外,PSRR 通常會使性能降低,應用的頻率越高,越接近奈奎斯特或 fS/2 區域。這有助于深入了解 ADC 的電源電路設計,凸顯了解低壓降穩壓器 (LDO) 或轉換開關的噪聲分布的重要性。在許多情況下,噪聲分布被認為是“白噪聲”,或在整個頻率范圍內是平坦的,這是應該確認的一點。

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圖 3:ADC12DJ5200RF PSRR 與每個電源域

PSMR 是在 ADC 電源引腳處注入的電源噪聲與 ADC 模擬輸入端施加信號的調制幅度之比。測量 PSMR 的技術與 PSRR 類似,不同之處在于 PSMR 的測量是將電源噪聲或雜散與施加到 ADC 的附加射頻輸入信號進行耦合。如圖 4 所示,利用調制原理,在電源引腳上施加 10MHz 誤差信號將調制到射頻輸入信號上,并在射頻輸入頻率加上或減去誤差信號頻率(fIN+ fError,即 1.2GHz ±10MHz)附近產生調制分量。

若要計算 PSMR,先查看圖 4 所示的fIN- fError(1.2GHz – 10MHz) 的幅度,為–48.13dBFS。如果施加到電源引腳的誤差信號 (fError) 約為 100mVPP且 ADC 的滿量程電壓為 0.8VPP,則只需取這兩個數字的比率,即 20 × log(100mV/800mV) = – 18dB,然后從 FFT 頻譜中的調制幅度減去該數字,即PSMR:–48dB – (–18dB) = –30dB。

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圖 4:應用了強制誤差信號的 PSMR 示例

LDO 和直流/直流轉換器之間的主要區別在于電壓轉換所需的開關機制。直流/直流轉換器被認為噪聲更大,因為它們會產生諧波和紋波。在對噪聲敏感的應用中,通常建議將 LDO用于敏感電源,但隨著電源集成電路 (IC) 設計的改善,新的直流/直流轉換器會非常接近 LDO 的噪聲性能。

圖 5 比較了基于 LDO 的電源設計(LDO + 開關模式電源 [SMPS])與基于直流/直流轉換器的電源(僅SMPS)。這兩條曲線展示了將 1.5GHz 模擬輸入頻率應用到 ADC12DJ5200RF ADC 的情況,并使用平均 FFT數據來比較性能的不同。與 SMPS (TPS62913) 設計相比,LDO 的基頻 (1.502GHz) 附近沒有明顯的電源調制信號。

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圖 5.1.502GHz 輸入信號附近的 PSMR 比較

直流/直流轉換器通常在 20kHz 左右至 2MHz 的頻率下進行開關,因此在 FFT 輸出頻譜中接近 DC (0Hz)的開關頻率處也會出現開關雜散。

圖 6 展示了頻譜中 DC 附近的放大版曲線,并將直流/直流轉換器性能與基于 LDO 的電源設計進行了比較,沒有降低 ADC 性能的明顯雜散。在考察 ADC 性能時,無雜散動態范圍 (SFDR) 是一個重要參數。除了基頻之外,SFDR 是 ADC 頻譜中存在的最高雜散。最高雜散通常與諧波相關,但也可由開關雜散決定。在任一種情況下,由電源或其他耦合噪聲引起的雜散都會使 ADC 的 SFDR 性能降低。

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圖 6.DC 處的 PSMR 比較

圖 7 比較了從近 DC 到近 10GHz 的幾個頻率點上的SFDR 性能。SMPS(直流/直流轉換器)設計的 SFDR 性能與 LDO + SMPS 設計的 SFDR 性能相當。

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圖 7.SFDR 比較

慎重的做法是,比較這兩種設計的信噪比 (SNR)。電源噪聲可能表現為基頻附近不必要的調制信號,或者也可能出現在 DC 附近并影響 ADC 的 SNR 性能。圖 8 比較了兩種電源設計之間的 SNR 性能。同樣,SMPS(直流/直流轉換器)設計與 LDO + SMPS 設計的 SNR 性能相當。

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圖 8.SNR 比較

綜合考量

鑒于 PSRR 和 PSMR 指標對 ADC 性能的影響,以下示例展示了如何為您的下一個電源設計選擇 LDO 或SMPS。

以TPS62913 降壓轉換器為例,數據表顯示,正確使用 LC 濾波時,轉換開關電路將在 100kHz 帶寬上具有綜合積分噪聲和 18.3μVRMS 的輸出電壓紋波。假設噪聲為高斯噪聲,則噪聲密度為 57.8nVRMS/√ Hz。

高速 ADC 模擬電源的典型 PSRR 范圍為 –40dB至–60dB。如圖 3 所示,使用 ADC12DJ5200RF 時,對于 VA11,該電源在奈奎斯特或 fS/2 區域中的 PSRR 平均值為 –40dB (10mV/V)。可以測量或使用公式 1 計算ADC 的本底噪聲。ADC12DJ5200RF 是一款 12位、5.2GSPS (fS) ADC,在第一奈奎斯特區域采樣時具有0.8VPP的差分輸入滿量程范圍 (FSR) 和大約 54dB 的SNR,如圖 8 所示。

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公式 1.

與 ADC 的本底噪聲相比,SMPS 的本底噪聲幾乎高出五倍(即 57.8nV/11.1nV)。當 ADC 的電源引腳引入噪聲(為 –40dB)時,SMPS 穩壓器的 ADC PSRR 衰減將轉化為 578pV/√ Hz 或 57.8nV/√ Hz × 10mV/V 的卷積穩壓器噪聲。請注意,–40dB 遠低于 ADC 的本底噪聲,不會出現在 ADC 的輸出頻譜中,也不會降低 ADC 的交流性能。

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圖 8.SNR 比較

通用電源設計概要和指南

高速、精密和射頻 IC 以及電路對開關元件大電流、輸出電容器等效串聯電阻和使用標準直流/直流轉換器設計時涉及的磁性元件所產生的噪聲和雜散分量很敏感。

當處理輸入端的低噪聲問題時,需要對 ADC 的模擬和時鐘輸入(以及電路)進行超嚴格的審查。但是,電源也是輸入。不能僅因為電源是直流偏置電路,就認為它們不會降低射頻性能。

了解如何在電源設計分析中應用 PSRR 和 PSMR 數值,則能夠更輕松地選擇要使用的穩壓器技術和類型。如果找不到 ADC 的 PSRR 數值,可在 TI 的 E2E 技術支持問題中請求此信息,或使用本文中概述的指南來測量 PSRR。

為任何高速或精密 ADC、射頻或噪聲敏感型 IC 設計電源域時,可參考下列一些技巧來強化抑制電源噪聲的設計:

? 對系統電路板上和 ADC 及其周圍的所有電源軌和總線電壓進行解耦。

? 切記,每個附加的濾波級均可增加大概 20dB/十倍頻程的噪聲抑制。

? 對高頻和低頻進行解耦,這可能需要多個電容值。

? 在電源入口點處(就在去耦電容器接地之前)使用串聯鐵氧體磁珠,無論系統電路板的每一個電源電壓是來自 LDO 還是 SMPS。

? 為了增加電容,請使用緊密堆疊的電源平面和接地平面對(間距 ≤4 密耳),這一做法的目的是向印刷電路板設計添加固有的高頻 (>500MHz) 去耦功能,而且沒有成本。實施良好的布局分區。使有噪聲的電源遠離敏感的模擬電路,如 ADC 的前端級和時鐘電路。

? 在 PCB 的另一側放置一些大電流磁性元件,以增加隔離效果。

? 遵循 IC 制造商的建議;如果應用手冊或數據表中沒有直接說明,請研究評估板,這是一個很好的學習工具。

上述建議可幫助提供可靠的電源設計,從而在許多應用中實現數據表中指明的性能。

你測 PSRR/PSMR 時最頭疼的環節是什么?在評論區留下你的困惑和難點!

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原文標題:雷達系統中的電源噪聲:如何通過高抑制比設計優化射頻轉換器性能?

文章出處:【微信號:tisemi,微信公眾號:德州儀器】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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