深入解析Renesas ICSSSTUAF32868B:28位可配置寄存器緩沖器
在DDR2內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)中,選擇合適的緩沖器至關(guān)重要。Renesas的ICSSSTUAF32868B 28位可配置寄存器緩沖器,為DDR2內(nèi)存模塊提供了強(qiáng)大而可靠的解決方案。下面將從多個(gè)方面詳細(xì)解析這款緩沖器。
文件下載:SSTUAF32868BHLF.pdf
產(chǎn)品概述
ICSSSTUAF32868B是一款28位1:2可配置寄存器緩沖器,專為1.7V至1.9V的VDD操作而設(shè)計(jì)。它的輸入輸出特性豐富,除了芯片選擇門使能(CSGEN)、控制(C)和復(fù)位(RESET)輸入采用LVCMOS電平外,其他輸入都與JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的SSTL_18兼容。輸出方面,除了開漏錯(cuò)誤(QERR)輸出外,其他輸出都是為未端接DIMM負(fù)載優(yōu)化的邊緣控制電路,并且滿足SSTL_18規(guī)范。
產(chǎn)品特性
功能特性
- 奇偶校驗(yàn)功能:該緩沖器具備奇偶校驗(yàn)功能,能有效檢測(cè)數(shù)據(jù)傳輸中的錯(cuò)誤。奇偶校驗(yàn)位(PAR_IN)在對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)輸入一個(gè)周期后到達(dá),設(shè)備會(huì)將其與DIMM獨(dú)立D輸入的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較,若發(fā)生奇偶錯(cuò)誤,開漏QERR引腳(低電平有效)會(huì)指示出來(lái)。
- 低功耗操作:支持低功耗待機(jī)操作。當(dāng)RESET為低電平時(shí),差分輸入接收器被禁用,允許未驅(qū)動(dòng)(浮動(dòng))的數(shù)據(jù)、時(shí)鐘和參考電壓(Vref)輸入。同時(shí),所有寄存器被復(fù)位,除QERR外的所有輸出被強(qiáng)制為低電平。
- 可配置性:C輸入可控制引腳配置,從寄存器A配置(低電平時(shí))切換到寄存器B配置(高電平時(shí))。不過(guò)在正常操作期間不應(yīng)切換C輸入,應(yīng)將其硬連接到有效的低或高電平來(lái)配置寄存器。
電氣特性
- 電壓范圍:VDD工作電壓范圍為1.7V至1.9V,參考電壓VREF標(biāo)稱值為0.9V。
- 輸出緩沖特性:在推薦的工作自由空氣溫度范圍內(nèi),輸出邊緣速率有一定要求,如dV/dt_r和dV/dt_f的最小值和最大值均為4V/ns 。
應(yīng)用場(chǎng)景
ICSSSTUAF32868B主要應(yīng)用于DDR2內(nèi)存模塊,能與ICS98ULPA877A或IDTCSPUA877A提供完整的DDR DIMM解決方案,非常適合DDR2 400、533和667等規(guī)格。
引腳配置與功能
引腳配置
該緩沖器采用176球LFBGA封裝,文檔詳細(xì)給出了引腳配置圖,不同的寄存器配置(C=0和C=1)下引腳功能有所不同。
引腳功能
- 電源與接地:GND為接地輸入,VDD為1.8V標(biāo)稱電源電壓。
- 時(shí)鐘與控制:CLK和CLK為差分輸入主時(shí)鐘,RESET為異步復(fù)位輸入,CSGEN為芯片選擇門使能輸入。
- 數(shù)據(jù)輸入輸出:D1 - D28為數(shù)據(jù)輸入,Q1 - Q28為數(shù)據(jù)輸出,QERR為輸出錯(cuò)誤位。
工作特性與參數(shù)
絕對(duì)最大額定值
- 電壓與電流:電源電壓VDD范圍為 -0.5V至2.5V,輸入電壓范圍VI為 -0.5V至VDD + 2.5V,輸出電壓范圍VO為 -0.5V至VDDQ + 0.5V ,輸入和輸出鉗位電流IIK和IOK均為±50mA ,連續(xù)輸出鉗位電流IO為±50mA ,每個(gè)VDD或GND的連續(xù)電流為±100mA 。
- 溫度與熱阻:存儲(chǔ)溫度范圍為 -65°C至 +150°C,封裝熱阻在0m/s氣流下為40.4°C/W,1m/s氣流下為29.1°C/W。
直流電氣特性
在工作溫度范圍(TA = 0°C至 +70°C)和VDDQ / VDD = 2.5V ± 0.2V的條件下,對(duì)輸出高低電壓、輸入電流、靜態(tài)和動(dòng)態(tài)電流等參數(shù)都有明確的要求。
時(shí)序要求
- 時(shí)鐘頻率:時(shí)鐘頻率fCLOCK最大為410MHz 。
- 脈沖持續(xù)時(shí)間:CLK和CLK的高或低脈沖持續(xù)時(shí)間tW最小為1ns 。
- 建立和保持時(shí)間:不同輸入信號(hào)相對(duì)于時(shí)鐘的建立時(shí)間tSU和保持時(shí)間tH都有相應(yīng)規(guī)定。
測(cè)試電路與波形
文檔提供了詳細(xì)的測(cè)試電路和波形圖,包括模擬負(fù)載電路、生產(chǎn)測(cè)試負(fù)載電路等,以及各種電壓和電流波形,如輸入輸出的脈沖持續(xù)時(shí)間、建立和保持時(shí)間、傳播延遲時(shí)間等。這些測(cè)試電路和波形有助于工程師在實(shí)際應(yīng)用中準(zhǔn)確測(cè)試和驗(yàn)證該緩沖器的性能。
在實(shí)際設(shè)計(jì)DDR2內(nèi)存模塊時(shí),工程師們需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求,結(jié)合ICSSSTUAF32868B的特性和參數(shù)進(jìn)行合理設(shè)計(jì)。大家在使用這款緩沖器的過(guò)程中,有沒有遇到過(guò)什么特別的問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。
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