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探索ISL8272MEVAL2Z評估板:高效電源模塊的實(shí)踐之旅

chencui ? 2026-04-13 11:30 ? 次閱讀
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探索ISL8272MEVAL2Z評估板:高效電源模塊的實(shí)踐之旅

在電子設(shè)計領(lǐng)域,電源模塊的性能和穩(wěn)定性至關(guān)重要。ISL8272MEVAL2Z評估板為我們提供了一個深入了解ISL8272M電源模塊的絕佳平臺。今天,就讓我們一起深入探索這款評估板的特性、功能及使用方法。

文件下載:ISL8272MEVAL2Z.pdf

一、ISL8272M模塊概述

ISL8272M是一款50A降壓DC/DC電源模塊,集成了數(shù)字PWM控制器、雙相同步功率開關(guān)、電感器和無源元件。只需輸入、輸出電容器和少量無源元件,就能完成設(shè)計。它能在無需氣流或散熱器的情況下提供50A的連續(xù)輸出電流,采用ChargeMode?控制(ASCR)架構(gòu),可在單個開關(guān)周期內(nèi)響應(yīng)瞬態(tài)負(fù)載。

這種架構(gòu)的優(yōu)勢十分顯著,它大大提高了電源模塊對負(fù)載變化的響應(yīng)速度,確保在各種復(fù)雜的工作場景下都能穩(wěn)定輸出。大家在實(shí)際設(shè)計中,是否也遇到過對負(fù)載響應(yīng)要求極高的情況呢?

二、評估板關(guān)鍵特性

1. 輸入輸出范圍

輸入電壓范圍為4.5V至14V,輸出電壓可在0.6V至5V之間調(diào)節(jié),能滿足多種不同的應(yīng)用需求。

2. 可編程功能

支持可編程輸出電壓、輸出電壓下垂、裕量調(diào)節(jié)、輸入和輸出欠壓/過壓保護(hù)、輸出電流限制、過溫/欠溫保護(hù)、軟啟動、排序和外部同步等功能,為用戶提供了極大的靈活性。

3. 監(jiān)測功能

可監(jiān)測輸入電壓、輸出電壓、輸出電流、溫度、占空比、開關(guān)頻率和故障等參數(shù),方便用戶實(shí)時掌握電源模塊的工作狀態(tài)。

4. 控制架構(gòu)

ChargeMode?控制可通過PMBus進(jìn)行調(diào)節(jié),進(jìn)一步優(yōu)化電源模塊的性能。

5. 負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)評估

配備輸出FET,可用于評估負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng),確保在負(fù)載突變時電源模塊能穩(wěn)定工作。

6. 機(jī)械開關(guān)與指示燈

設(shè)有使能機(jī)械開關(guān)和電源良好LED指示燈,方便用戶操作和觀察電源模塊的工作狀態(tài)。

三、評估板規(guī)格與配置

評估板默認(rèn)配置的工作條件如下:

  • 輸入電壓:5V至12V
  • 輸出電壓:1.2V
  • 最大輸出電流:150A
  • 開關(guān)頻率:421kHz
  • 采用3模塊電流共享,輸出電壓下垂為0.1mV/A
  • 輸出紋波:小于5mVp-p
  • ASCR增益:200,ASCR殘差:90
  • 軟啟動延遲:5ms,軟啟動斜坡時間:4ms

輸出紋波小得益于其優(yōu)秀的電路設(shè)計和電源模塊的高性能。這在對電源穩(wěn)定性要求較高的應(yīng)用中尤為重要,大家在設(shè)計中是否也會特別關(guān)注輸出紋波這一參數(shù)呢?

四、評估板使用方法

1. 推薦設(shè)備

  • 最小15V/40A供電能力的直流電源
  • 能夠吸收高達(dá)150A電流的電子負(fù)載
  • 數(shù)字萬用表
  • 帶寬高于100MHz的示波器

2. 快速啟動指南

引腳帶模式

ISL8272MEVAL2Z可使用標(biāo)準(zhǔn)1% 0603電阻在引腳帶模式下配置。在此模式下,無需PMBus接口即可評估ISL8272M。通過在評估板提供的占位符上安裝推薦電阻,可更改輸出電壓、軟啟動時序、輸入欠壓保護(hù)閾值、ASCR增益和殘差、電流共享配置和設(shè)備PMBus地址等參數(shù)。 操作步驟如下:

  1. 將使能開關(guān)設(shè)置為“DISABLE”。
  2. 將負(fù)載連接到VOUT接線片連接器。
  3. 將電源連接到VIN連接器,連接時確保電源未啟用。
  4. 打開電源。
  5. 將使能開關(guān)設(shè)置為“ENABLE”。
  6. 在標(biāo)記為“VOUT MONITOR”的探測點(diǎn)測量1.2V輸出電壓。
  7. 在標(biāo)記為“PHASE1_1”等的探測點(diǎn)觀察421kHz的開關(guān)頻率和相位擴(kuò)展。
  8. 測量板效率時,將萬用表電壓探頭連接到標(biāo)記為“VIN”、“GND”和“VOUT”、“GND”的探測點(diǎn)。
  9. 若要更改輸出電壓,斷開板與設(shè)置的連接,并在底層的R4、R34和R19占位符位置安裝1%標(biāo)準(zhǔn)0603電阻。
  10. 若要更改軟啟動延遲和斜坡時間,斷開板與設(shè)置的連接,并在底層的R6、R36和R21占位符位置安裝1%標(biāo)準(zhǔn)0603電阻。
  11. 若要更改輸入欠壓保護(hù)閾值,斷開板與設(shè)置的連接,并在底層的R6、R36和R21占位符位置安裝標(biāo)準(zhǔn)0603電阻。
  12. 若要更改ASCR增益和殘差,斷開板與設(shè)置的連接,并在底層的R8、R38和R23占位符位置安裝1%標(biāo)準(zhǔn)0603電阻。
  13. 若要更改電流共享配置,斷開板與設(shè)置的連接,并在底層的R5、R35和R20位置更換1%標(biāo)準(zhǔn)0603電阻。

PMBus模式

使用提供的ZLUSBEVAL3Z加密狗和PowerNavigator?評估軟件,可評估ISL8272MEVAL2Z的所有功能,特別是在電流共享配置方面。 操作步驟如下:

  1. Intersil網(wǎng)站安裝PowerNavigator?評估軟件。
  2. 將使能開關(guān)設(shè)置為“DISABLE”。
  3. 將負(fù)載連接到VOUT接線片連接器。
  4. 將電源連接到VIN連接器,連接時確保電源未啟用。
  5. 打開電源。
  6. 將ZLUSBEVAL3Z加密狗連接到ISL8272MEVAL2Z板的“PMBus DONGLE IN”6針公連接器。
  7. 將提供的USB電纜從計算機(jī)USB連接到ZLUSBEVAL3Z加密狗。
  8. 啟動PowerNavigator?軟件。
  9. 可選擇使用PowerNavigator?軟件從三個單獨(dú)的配置文件加載預(yù)定義設(shè)置。
  10. 將使能開關(guān)設(shè)置為“ENABLE”,也可使用PowerNavigator?軟件中的PMBus命令ON_OFF_CONFIG和OPERATION實(shí)現(xiàn)PMBus使能。
  11. 使用評估軟件中的PMBus命令監(jiān)測和配置ISL8272MEVAL2Z板。若要存儲配置更改,禁用模塊并使用命令STORE_USER_ALL;若要恢復(fù)工廠默認(rèn)設(shè)置,禁用模塊并使用命令RESTORE_FACTORY和STORE_USER_ALL。
  12. Intersil網(wǎng)站提供PowerNavigator?教程視頻。
  13. 若要使用單個ZLUSBEVAL3Z加密狗評估多個Intersil數(shù)字電源產(chǎn)品,可將ISL8272M與其他數(shù)字電源評估板進(jìn)行菊花鏈連接。通過在底層的R3、R33和R18位置更換1%標(biāo)準(zhǔn)0603電阻可更改PMBus地址。

五、評估板測試與測量

1. VOUT瞬態(tài)響應(yīng)測量

評估板內(nèi)置瞬態(tài)負(fù)載測試電路,通過在J16注入柵極驅(qū)動脈沖信號進(jìn)行瞬態(tài)負(fù)載測試,可通過J15監(jiān)測負(fù)載電流。由于兩個MOSFET在柵極導(dǎo)通信號施加時將在飽和區(qū)而非線性區(qū)工作,因此柵極信號的脈沖寬度和占空比必須足夠小,以避免MOSFET過熱(推薦占空比應(yīng)小于2%至3%)??烧{(diào)整柵極驅(qū)動脈沖電壓的幅度以獲得所需的瞬態(tài)負(fù)載電流階躍大小。

MOSFET過熱可能會導(dǎo)致其性能下降、壽命縮短,甚至引發(fā)電路故障。在實(shí)際操作中,大家是否有遇到過MOSFET過熱的情況呢?又是如何解決的呢?

2. 控制環(huán)路波特圖測量

為測量電壓控制環(huán)路的波特圖,需先斷開環(huán)路,以便在某一點(diǎn)注入可變頻率的小信號。在ISL8272MEVAL2Z評估板上,可將VOUT遠(yuǎn)程感測線中的0Ω電阻R58替換為5Ω至10Ω電阻,使用占位符J17和J18從網(wǎng)絡(luò)分析儀注入頻率掃描信號,連接網(wǎng)絡(luò)分析儀輸入(通道A)到J17,輸出(通道B)到J18,以測量電壓環(huán)路傳遞函數(shù)和頻率響應(yīng)。

六、熱考慮與電流降額

電路板布局對于模塊的安全運(yùn)行和最大功率輸出至關(guān)重要。為在高溫環(huán)境下工作并承載大電流,需精心設(shè)計電路板布局以最大化熱性能。評估板在默認(rèn)配置下可在室溫下運(yùn)行150A而無需額外冷卻,但如果輸出電壓增加或在高溫環(huán)境下運(yùn)行,可用輸出電流將降額。對于單模塊操作,可參考ISL8272M數(shù)據(jù)手冊中的降額電流曲線確定模塊可提供的最大輸出電流。

為改善使用ISL8272M的電流共享設(shè)計的熱性能,可遵循以下設(shè)計提示:

  1. 使用頂層和底層承載大電流,如有可用,也可使用一個或多個內(nèi)層。VOUT、PGND和VIN焊盤應(yīng)具有大而實(shí)心的平面,并放置足夠的熱過孔連接不同層的電源平面。
  2. SW1和SW2焊盤是產(chǎn)生開關(guān)噪聲的開關(guān)節(jié)點(diǎn),應(yīng)將這些焊盤置于模塊下方。對于對噪聲敏感的應(yīng)用,建議僅在PCB的頂層和內(nèi)層放置開關(guān)節(jié)點(diǎn)焊盤,避免在底層暴露開關(guān)節(jié)點(diǎn)焊盤。為改善熱性能,可在內(nèi)層(此板的第3層)擴(kuò)展開關(guān)節(jié)點(diǎn)焊盤,并確保第2層和第4層有GND平面覆蓋第3層開關(guān)節(jié)點(diǎn)焊盤的擴(kuò)展區(qū)域,以避免噪聲耦合。
  3. 高頻電感紋波電流創(chuàng)建低阻抗路徑,輸出陶瓷電容器必須靠近模塊VOUT焊盤中心放置,并使用多個過孔將這些陶瓷電容器接地到內(nèi)層的PGND平面,確保這些過孔能夠承受電感紋波電流。
  4. 將模塊均勻放置在電路板上,并在模塊之間留出足夠的空間。若電路板空間有限,可將功率損耗低的模塊靠近放置,同時將功率損耗高的模塊分開。
  5. 若環(huán)境溫度高或電路板空間有限,需要?dú)饬鱽砩l(fā)模塊的更多熱量,也可在模塊頂部安裝散熱器以進(jìn)一步改善熱性能。

ISL8272MEVAL2Z評估板為電子工程師提供了一個全面評估ISL8272M電源模塊的平臺。通過深入了解其特性、功能和使用方法,我們可以更好地利用這款電源模塊,設(shè)計出高效、穩(wěn)定的電源系統(tǒng)。希望本文能對大家在電源設(shè)計方面有所幫助,你在使用類似評估板時有什么獨(dú)特的經(jīng)驗(yàn)或問題嗎?歡迎在評論區(qū)分享交流。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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