探索ISL6539EVAL1:DDR電源解決方案評估板
在DDR內存系統的電源設計領域,ISL6539EVAL1評估板無疑是一款極具價值的工具。它能幫助電子工程師深入了解ISL6539芯片在DDR電源解決方案中的性能和應用。接下來,我們就一起詳細探討這款評估板。
文件下載:ISL6539EVAL1.pdf
一、ISL6539芯片概述
ISL6539能夠為DDRI、DDRII或DDRIII內存系統的電源需求提供完整解決方案。它既可以配置為雙開關穩壓器,也能作為DDR穩壓器使用。本文重點關注其作為DDR穩壓器的應用。
作為DDR穩壓器,ISL6539為(V{DDQ})和(V{TT})軌提供控制和保護,同時為DDR系統提供(V{REF})。(V{DDQ})和(V{TT})通過同步降壓調節提供,(V{REF})則通過低電流緩沖器提供。開關頻率固定為300kHz,兩個通道可相移90°以減少相互干擾。此外,它還集成了電壓前饋斜坡調制、電流模式控制和內部反饋補償,能對輸入電壓和輸出負載瞬變做出快速響應。保護功能包括欠壓和過壓保護,以及利用下MOSFET的(r_{DS(ON)})的可編程過流保護。
二、快速啟動評估
ISL6539EVAL1評估板開箱即用,包裝盒內包含應用筆記、ISL6539數據手冊和評估板。該評估板支持使用實驗室電源進行測試,兩個穩壓輸出可通過外部負載進行測試。板上有用于連接負載和監測電壓的接口,還有一個LED指示燈顯示PGOOD信號狀態。此外,還有三個示波器探頭測試點用于深入分析,以及兩個接口用于監測任一通道的使能信號,同時提供了四個跳線用于控制和監測。
推薦測試設備
為了全面測試ISL6539的功能,建議使用以下設備:
- 兩個實驗室電源
- 兩個電子負載
- 帶探頭的四通道示波器
- 精密數字萬用表
三、電路設置
跳線設置
評估板上有四個跳線:
- JP3:短接時將EN1引腳拉至VCC,用于啟用通道1((V_{DDQ})穩壓器)。
- JP4:短接時啟用通道2((V{TT})穩壓器),需注意(V{TT})穩壓器的輸入軌是(V{DDQ})軌。若要禁用(V{DDQ})軌并啟用(V{TT})軌,則(V{DDQ})軌必須由外部電源供電,并在C21位置安裝一個0.01μF的電容,以使(V_{TT})軌正常軟啟動。
- JP1:可通過連接電流表到兩個跳線引腳來監測ISL6539的偏置電流。若不監測偏置電流,則必須短接該跳線。
- JP5:用于設置兩個開關穩壓器之間的相角。
連接負載
負載應僅連接到(V{DDQ})和(V{TT})軌:
- 加載(V{DDQ}):將電子負載的正極端子連接到(V{DDQ})接口(J5),返回端子連接到相鄰的GND接口(J7)。
- 加載(V{TT}) - 源電流:將電子負載的正極端子連接到(V{TT})接口(J6),返回端子連接到相鄰的GND接口(J9)。
- 加載(V{TT}) - 吸收電流:將電子負載的正極端子連接到(V{DDQ})接口(J5),返回端子連接到(V_{TT})接口(J6),需注意負載的返回端子必須浮空。
連接探頭
評估板提供了多個監測位置,示波器探頭測試點提供低阻抗接地連接,所有GND接口都可作為探頭的接地連接。此外,J12(EN1)和J13(EN2)端子還可連接到脈沖發生器,用于控制相應穩壓器的開關操作,但要確保使能電壓的信號發生器不超過5V,并移除相應的使能跳線。
連接電源
在將電源連接到評估板之前,應先關閉電源或禁用輸出。VCC電源連接:將實驗室電源的正極端子連接到VCC接口(J4),返回端子連接到相鄰的GND接口(J1)。VIN電源連接:將實驗室電源的正極端子連接到VIN接口(J2),返回端子連接到相鄰的GND接口(J3)。
四、操作步驟
施加電源
施加電源前,要確保跳線JP1和JP5處于所需位置,所有負載和探頭都正確連接。施加電源后,可根據需要短接或移除跳線JP3和JP4。必須先開啟或啟用(V{IN})電源,且最后關閉或禁用該電源,其電壓范圍為1.2(V{DDQ})至18V。啟用(V{IN})電源后,可啟用VCC電源,其電壓必須為5V。PGOOD狀態LED會直觀顯示(V{DDQ})穩壓器的電平。
檢查波形
上電復位(POR)后立即啟動,可使用示波器或其他實驗室設備研究輸出的斜坡上升和/或調節情況。可通過電子負載對輸出進行加載,也可使用其他方法。
五、評估板設計與性能
評估板設計
評估板采用2盎司、四層印刷電路板,設計用于在室溫自然對流冷卻條件下,支持(V{DDQ})軌連續負載5A,(V{TT})軌同時連續負載3A,(V_{REF})的負載不應超過10mA。文檔末尾提供了評估板的原理圖、物料清單和布局圖。
評估板性能
- 上電:當VCC電壓超過POR電平,ISL6539開始軟啟動程序。不同情況下的啟動波形可參考文中的圖2、圖3和圖4。
- 輸出紋波:圖5和圖6分別展示了兩個穩壓器之間有90°相移和無相移時(V{DDQ})和(V{TT})軌的紋波情況。
- 瞬態性能:圖7、圖8和圖9分別展示了(V{DDQ})軌瞬態加載、(V{TT})軌源瞬態負載和(V{TT})軌吸收瞬態負載時(V{DDQ})和(V_{TT})軌的情況。
- 效率:圖10展示了單個穩壓器的效率,這些效率是在互補穩壓器禁用時測量的。
六、評估板定制
設計師可根據不同需求對ISL6539EVAL1評估板進行多種修改,例如:
- 更改(V{DDQ})和(V{TT})穩壓器的輸出電感L1和L2。
- 改變輸入電容,評估板出廠時配備兩個10μF陶瓷電容C2和C3作為輸入電容,C1位置可安裝一個10mm直徑的通孔鋁電解電容。
- 修改任一穩壓器的輸出電容,評估板每個穩壓器輸出配備一個220μF電容,(V{DDQ})穩壓器有兩個空位C13和C24,(V{TT})穩壓器有一個空位C15。
- 通過OCSET電阻R9編程(V_{DDQ})穩壓器的過流跳閘點。
- 改變C20的值可改變軟啟動時輸出的上升時間。
- 通過更換MOSFET(U2和U3)提高任一軌的負載能力,可能需要修改ISEN電阻值(R4和R5)和過流電阻值(R9)。
- 通過改變電阻R10修改(V_{DDQ})穩壓器的輸出電壓。
- 通過改變電阻R11和R14組成的電阻分壓器修改(V{TT})軌和(V{REF})電壓跟蹤(V_{DDQ})軌的百分比。
ISL6539EVAL1評估板為電子工程師提供了一個全面了解ISL6539在DDR內存系統中功能的平臺,同時具有很高的靈活性,可根據不同需求進行定制。大家在使用過程中有沒有遇到過什么有趣的問題或者獨特的解決方案呢?歡迎在評論區分享交流。
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