探索 onsemi NTMTS1D2N08H N 溝道功率 MOSFET

在電子設計領域，功率 MOSFET 是至關重要的元件，它廣泛應用于各種電源管理和功率轉換電路中。今天，我們來深入了解 onsemi 推出的 NTMTS1D2N08H 單 N 溝道功率 MOSFET，看看它有哪些獨特的特性和優勢。

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產品概述

NTMTS1D2N08H 是 onsemi 生產的一款 80V、1.1mΩ、335A 的 N 溝道功率 MOSFET。它采用了 8x8mm 的小尺寸封裝，非常適合緊湊型設計。同時，該器件具有低導通電阻 (R{DS(on)}) 和低柵極電荷 (Q{G}) 及電容，能夠有效降低導通損耗和驅動損耗。此外，它還是無鉛產品，符合 RoHS 標準。

關鍵特性

封裝與設計

• 小尺寸封裝：8x8mm 的封裝尺寸，為緊湊型設計提供了可能，在空間有限的應用場景中具有明顯優勢。
• 環保設計：無鉛且符合 RoHS 標準，滿足環保要求，有助于產品在市場上的推廣。

電氣性能

• 低導通電阻：低 (R{DS(on)}) 能夠有效減少導通損耗，提高電路效率。例如，在 (V{GS}=10V)、(I{D}=90A) 的條件下，(R{DS(on)}) 最大值僅為 1.1mΩ。
• 低柵極電荷和電容：低 (Q_{G}) 和電容可以降低驅動損耗，提高開關速度，使電路響應更加迅速。

最大額定值

電壓與電流

功率與溫度

其他參數

需要注意的是，超過最大額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。

電氣特性

關斷特性

• 漏源擊穿電壓：(V{(BR)DSS}) 在 (V{GS}=0V)、(I_{D}=250A) 時為 80V，其溫度系數為 57mV/°C。
• 零柵壓漏極電流：(I{DSS}) 在 (V{GS}=0V)、(V{DS}=80V) 時，(T{J}=25^{circ}C) 為 10μA，(T_{J}=125^{circ}C) 為 250μA。
• 柵源泄漏電流：(I{GSS}) 在 (V{DS}=0V)、(V_{GS}=20V) 時為 100nA。

導通特性

• 柵極閾值電壓：(V{GS(TH)}) 在 (V{GS}=V{DS})、(I{D}=590A) 時，最小值為 2.0V，典型值為 2.9V，最大值為 4.0V，其閾值溫度系數為 -7.6mV/°C。
• 漏源導通電阻：(R{DS(on)}) 在 (V{GS}=10V)、(I{D}=90A) 時，最小值為 0.93mΩ，最大值為 1.1mΩ；在 (V{GS}=6V)、(I_{D}=59A) 時，最小值為 1.28mΩ，最大值為 1.6mΩ。
• 正向跨導：(g{FS}) 在 (V{DS}=15V)、(I_{D}=90A) 時為 400S。

電荷、電容與柵極電阻

開關特性

漏源二極管特性

典型特性

文檔中還給出了一系列典型特性曲線，包括導通區域特性、傳輸特性、導通電阻與柵源電壓關系、導通電阻與漏極電流和柵極電壓關系、導通電阻隨溫度變化、漏源泄漏電流與電壓關系、電容變化、柵源電壓與總電荷關系、電阻性開關時間隨柵極電阻變化、二極管正向電壓與電流關系、最大額定正向偏置安全工作區、最大漏極電流與雪崩時間關系以及熱響應等。這些曲線可以幫助工程師更好地了解器件在不同條件下的性能表現。

封裝與訂購信息

封裝尺寸

該器件采用 TDFNW8 封裝，尺寸為 8.30x8.40x1.10mm，引腳間距為 2.00mm。文檔中詳細給出了封裝的機械尺寸圖和相關公差要求。

訂購信息

器件型號為 NTMTS1D2N08H，標記為 NTMTS1D2N08H，封裝為 DFNW8（無鉛），每盤 3000 個，采用帶盤包裝。如需了解帶盤規格，可參考 Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D。

總結

NTMTS1D2N08H 是一款性能出色的 N 溝道功率 MOSFET，具有小尺寸、低損耗等優點，適用于各種功率轉換和電源管理應用。工程師在設計電路時，可以根據其最大額定值、電氣特性和典型特性曲線，合理選擇和使用該器件，以實現高效、可靠的電路設計。同時，在使用過程中要注意避免超過最大額定值，確保器件的正常工作和可靠性。大家在實際應用中有沒有遇到過類似 MOSFET 的使用問題呢？歡迎在評論區分享交流。