探索 onsemi NTMTSC1D6N10MC 單通道 N 溝道功率 MOSFET

在電子設計領域，功率 MOSFET 是不可或缺的元件，它的性能直接影響著電路的效率和穩定性。今天，我們就來深入了解 onsemi 推出的 NTMTSC1D6N10MC 單通道 N 溝道功率 MOSFET，看看它有哪些獨特之處。

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產品概述

NTMTSC1D6N10MC 是 onsemi 生產的一款高性能單通道 N 溝道功率 MOSFET，具有 100V 的漏源擊穿電壓（V(BR)DSS），最大漏源導通電阻（RDS(ON)）為 1.7 mΩ（在 10V 柵源電壓下），最大連續漏極電流（ID MAX）可達 267A。

產品特性

緊湊設計

該 MOSFET 采用了 8x8 mm 的小尺寸封裝，非常適合對空間要求較高的緊湊型設計。這種小尺寸封裝不僅節省了電路板空間，還能提高系統的集成度。

低導通損耗

低 RDS(ON) 特性使得 MOSFET 在導通狀態下的電阻很小，從而有效降低了傳導損耗，提高了電路的效率。這對于需要長時間運行的設備來說尤為重要，可以減少能量損耗，降低發熱。

低驅動損耗

低 QG（柵極總電荷）和電容特性能夠減少驅動損耗，降低對驅動電路的要求。這意味著在設計驅動電路時，可以選擇更簡單、成本更低的方案，同時也能提高整個系統的可靠性。

環保合規

該器件符合 Pb - Free 和 RoHS 標準，是一款環保型產品，滿足了現代電子設備對環保的要求。

最大額定值

電壓和電流額定值

• 漏源電壓（Vpss）：100V
• 柵源電壓（VGs）：+20V
• 連續漏極電流：在 Tc = 25°C 時為 267A，在 Tc = 100°C 時為 189A（ReJc 條件下）；在 TA = 25°C 時為 30A，在 TA = 100°C 時為 21A（RaJA 條件下）
• 脈沖漏極電流（IDM）：在 TA = 25°C，tp = 10s 時為 900A

功率和溫度額定值

• 功率耗散：在 Tc = 25°C 時為 291W，在 Tc = 100°C 時為 145W（ReJc 條件下）；在 TA = 25°C 時為 3.9W，在 TA = 100°C 時為 1.9W（ReJA 條件下）
• 工作結溫和存儲溫度范圍：-55 至 +175°C

其他額定值

• 源極電流（體二極管）：243A
• 單脈沖漏源雪崩能量（L(pk) = 22.3A）：1550mJ
• 焊接用引腳溫度（距外殼 1/8" 處，持續 10s）：260°C

需要注意的是，超過最大額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。

電氣特性

關斷特性

• 漏源擊穿電壓（V(BR)DSS）：100V
• 漏電流（loss）：在 VDS = 100V，TJ = 25°C 時為 μA 級；在 VDS = 0V，VGS = 20V 時為 nA 級

導通特性

• 正向跨導：在 VGS = 6V 時為 233
• 輸入電容：在 VGS = 0V，f = 100KHz，VDS = 50V 時為 7630pF
• 反饋電容（CRSS）：80
• 總柵極電荷（QG(TOT)）：在 VGS = 10V，VDS = 50V，ID = 116A 時，柵源電荷（QGS）為 35，柵漏電荷（QGD）為 5

開關特性

• 導通延遲時間（td(ON)）、上升時間（tf）、關斷延遲時間、下降時間等都有明確的參數。例如，在 ID = 116A，RG = 6Ω 條件下，關斷延遲時間為 69，下降時間為 29。
• 正向二極管電壓：在 TJ = 125°C 時有相應的值
• 反向恢復時間：在 VGS = 0V，dIS/dt = 100A/μs，Is = 58A 時為 82；在 VGS = 0V，dIS/dt = 1000A/μs 時，放電時間為 19

需要注意的是，產品的參數性能是在特定測試條件下給出的，如果在不同條件下運行，性能可能會有所不同。

典型特性

文檔中給出了多個典型特性圖，包括導通區域特性、傳輸特性、導通電阻與柵源電壓關系、導通電阻與漏極電流關系、導通電阻隨溫度變化、漏源泄漏電流與電壓關系、電容變化、柵源電壓與總電荷關系、電阻性開關時間隨柵極電阻變化、二極管正向電壓與電流關系、安全工作區、最大漏極電流與雪崩時間關系、結到環境瞬態熱響應等。這些特性圖可以幫助工程師更好地了解 MOSFET 在不同工作條件下的性能，從而進行更合理的設計。

封裝和訂購信息

封裝

該 MOSFET 采用 TDFNW8 封裝，尺寸為 8.30x8.40x0.92，引腳間距為 2.00P。文檔中還給出了封裝的詳細尺寸圖和推薦焊盤圖案，方便工程師進行 PCB 設計。

訂購信息

器件型號為 NTMTSC1D6N10MCTXG，標記為 1D6N10M，采用 TDFNW8（無鉛）封裝，每卷 3000 個。

總結

onsemi 的 NTMTSC1D6N10MC 單通道 N 溝道功率 MOSFET 具有小尺寸、低導通損耗、低驅動損耗等優點，適用于各種對空間和效率要求較高的電子設備。在使用時，工程師需要根據具體的應用場景，結合產品的最大額定值和電氣特性，合理設計電路，以確保器件的正常運行和系統的穩定性。你在實際設計中有沒有遇到過類似 MOSFET 的應用問題呢？歡迎在評論區分享你的經驗。