基于K21系列芯片的硬件設計深度剖析
在硬件設計領域,一款性能卓越、功能豐富的芯片往往能為項目帶來質的飛躍。Freescale Semiconductor的K21系列芯片便是這樣一款值得深入研究的產品。本文將基于K21P80M50SF4的數據手冊,為電子工程師們詳細剖析K21系列芯片的特性、應用及設計要點。
文件下載:MK21DN512VLK5.pdf
一、K21系列芯片概述
K21系列芯片支持MK21DX128VLK5、MK21DX256VLK5、MK21DN512VLK5等型號,具備廣泛的應用場景。其工作特性、性能、存儲、時鐘、外設等方面都有出色表現。
1. 工作特性
- 電壓范圍:芯片的電壓范圍為1.71至3.6V,閃存寫入電壓范圍同樣為1.71至3.6V,可適應多種電源環境。
- 溫度范圍:環境溫度范圍為 -40至105°C,能在較為惡劣的環境中穩定工作。
2. 性能表現
芯片采用高達50 MHz的ARM Cortex - M4核心,具備DSP指令,每MHz可提供1.25 Dhrystone MIPS的性能,能滿足較高的運算需求。
3. 存儲與接口
- 存儲容量:無FlexNVM的設備最高支持512 KB的程序閃存,有FlexNVM的設備最高支持256 KB程序閃存,還有64 KB FlexNVM和4 KB FlexRAM,以及最高64 KB的RAM。
- 接口類型:具備串行編程接口(EzPort),方便進行程序燒錄。
4. 時鐘系統
擁有3至32 MHz晶體振蕩器、32 kHz晶體振蕩器和多用途時鐘發生器,為芯片提供穩定的時鐘信號。
5. 系統外設
- 低功耗模式:具備多種低功耗模式,可根據應用需求進行電源優化。
- DMA控制器:16通道DMA控制器,支持多達63個請求源,提高數據傳輸效率。
- 看門狗:包含外部看門狗監測和軟件看門狗,增強系統的穩定性。
- 喚醒單元:低泄漏喚醒單元,可在低功耗狀態下快速喚醒系統。
6. 安全與完整性模塊
具備硬件CRC模塊、篡改檢測和安全存儲、硬件隨機數生成器、硬件加密(支持DES、3DES、AES、MD5、SHA - 1和SHA - 256算法)以及每芯片128位唯一識別(ID)號,保障系統的安全性。
7. 人機接口
提供通用輸入/輸出接口,方便與外部設備進行交互。
8. 模擬模塊
9. 定時器
具備可編程延遲塊、八通道電機控制/通用/PWM定時器、兩個2通道通用定時器(其中一個具備正交解碼器功能)、周期性中斷定時器、16位低功耗定時器、載波調制發射器和實時時鐘,可滿足各種定時和控制需求。
10. 通信接口
支持USB全/低速On - the - Go控制器(帶片上收發器)、USB設備充電器檢測、兩個SPI模塊、兩個I2C模塊、四個UART模塊和I2S模塊,方便與各種外部設備進行通信。
二、芯片訂購與識別
1. 訂購信息
可通過freescale.com網站進行有效訂購部件號的查詢,搜索PK21和MK21即可獲取相關信息。
2. 部件識別
| 芯片的部件號格式為Q K## A M FFF R T PP CC N,各字段含義如下: | 字段 | 描述 | 值 |
|---|---|---|---|
| Q | 資格狀態 | M(完全合格,通用市場流通)、P(預資格) | |
| K## | Kinetis系列 | K21 | |
| A | 關鍵屬性 | D(帶DSP的Cortex - M4)、F(帶DSP和FPU的Cortex - M4) | |
| M | 閃存類型 | N(僅程序閃存)、X(程序閃存和FlexMemory) | |
| FFF | 程序閃存大小 | 32(32 KB)、64(64 KB)、128(128 KB)、256(256 KB)、512(512 KB)、1M0(1 MB)、2M0(2 MB) | |
| R | 硅片版本 | Z(初始)、A(主版本后的修訂)、(空白)(主版本) | |
| T | 溫度范圍 | V( - 40至105°C)、C( - 40至85°C) | |
| PP | 封裝標識符 | FT(48 QFN,7 mm x 7 mm)、LF(48 LQFP,7 mm x 7 mm)等多種選擇 | |
| CC | 最大CPU頻率 | 5(50 MHz)、7(72 MHz)等多種選擇 | |
| N | 封裝類型 | R(卷帶包裝)、(空白)(托盤包裝) |
小封裝設備采用特殊標記格式Q ## C F T PP,各字段含義也有相應規定。
三、術語與準則
1. 定義
- 操作要求:為避免芯片錯誤操作和可能縮短使用壽命,在操作過程中必須保證的技術特性指定值或值范圍。
- 操作行為:在滿足操作要求和其他指定條件的情況下,操作過程中保證的技術特性指定值或值范圍。
- 屬性:無論是否滿足操作要求,都能保證的技術特性指定值或值范圍。
- 額定值:技術特性的最小或最大值,超過該值可能導致芯片永久損壞,分為操作額定值(芯片運行時)和處理額定值(芯片未供電時)。
2. 準則
- 絕不能超過芯片的任何額定值。
- 正常操作期間,不要超過芯片的任何操作要求。
- 若在正常操作以外的時間(如電源排序期間)必須超過操作要求,應盡量限制持續時間。
四、芯片額定值
1. 熱處理額定值
| 符號 | 描述 | 最小值 | 最大值 | 單位 | 備注 |
|---|---|---|---|---|---|
| TSTG | 存儲溫度 | -55 | 150 | °C | 按JEDEC標準JESD22 - A103確定 |
| TSDR | 無鉛焊接溫度 | - | 260 | °C | 按IPC/JEDEC標準J - STD - 020確定 |
2. 濕度處理額定值
MSL(濕度敏感度等級)為3,按IPC/JEDEC標準J - STD - 020確定。
3. ESD處理額定值
| 符號 | 描述 | 最小值 | 最大值 | 單位 | 備注 |
|---|---|---|---|---|---|
| VHBM | 人體模型靜電放電電壓 | -2000 | +2000 | V | 按JEDEC標準JESD22 - A114確定 |
| VCDM | 帶電設備模型靜電放電電壓 | -500 | +500 | V | 按JEDEC標準JESD22 - C101確定 |
| ILAT | 105°C環境溫度下的閂鎖電流 | -100 | +100 | mA | 按JEDEC標準JESD78確定 |
4. 電壓和電流操作額定值
| 符號 | 描述 | 最小值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| VDD | 數字電源電壓 | -0.3 | 3.8 | V |
| IDD | 數字電源電流 | - | 155 | mA |
| VDIO | 數字輸入電壓(除RESET、EXTAL和XTAL) | -0.3 | - | V |
| VAIO | 模擬輸入電壓(RESET、EXTAL和XTAL) | -0.3 | VDD + 0.3 | V |
| ID | 單引腳最大電流限制 | -25 | 25 | mA |
| VDDA | 模擬電源電壓 | VDD - 0.3 | VDD + 0.3 | V |
| VUSB0_DP | USB0_DP輸入電壓 | -0.3 | 3.63 | V |
| VUSB0_DM | USB0_DM輸入電壓 | -0.3 | 3.63 | V |
| VREGIN | USB調節器輸入 | -0.3 | 6.0 | V |
| VBAT | RTC電池電源電壓 | -0.3 | 3.8 | V |
五、通用電氣特性
1. AC電氣特性
傳播延遲從50%到50%點測量,上升和下降時間在20%和80%點測量。
2. 非開關電氣規格
電壓和電流操作要求
| 符號 | 描述 | 最小值 | 最大值 | 單位 | 備注 |
|---|---|---|---|---|---|
| VDD | 電源電壓 | 1.71 | 3.6 | V | - |
| VDDA | 模擬電源電壓 | 1.71 | 3.6 | V | - |
| VDD - VDDA | VDD到VDDA的差分電壓 | -0.1 | 0.1 | V | - |
| VSS - VSSA | VSS到VSSA的差分電壓 | -0.1 | 0.1 | V | - |
| VBAT | RTC電池電源電壓 | 1.71 | 3.6 | V | - |
| VIH | 輸入高電壓 | 根據VDD范圍不同有不同值 | - | V | - |
| VIL | 輸入低電壓 | - | 根據VDD范圍不同有不同值 | V | - |
| VHYS | 輸入滯后 | 0.06 × VDD | - | V | - |
| IICIO | I/O引腳直流注入電流 | -3 | +3 | mA | 模擬引腳有內部鉗位 |
| IICcont | 相鄰引腳直流注入電流區域限制 | -25 | +25 | mA | - |
| VRAM | 保留RAM所需的VDD電壓 | 1.2 | - | V | - |
| VRFVBAT | 保留VBAT寄存器文件所需的VBAT電壓 | VPOR_VBAT - V | - | - | - |
LVD和POR操作要求
包含 (V_{DD}) 電源LVD和POR檢測電壓、低電壓警告閾值、滯后電壓、帶隙電壓參考和內部低功率振蕩器周期等參數。
電壓和電流操作行為
包括輸出高/低電壓、輸出高/低電流、輸入泄漏電流、Hi - Z(關態)泄漏電流、內部上拉/下拉電阻等參數。
電源模式轉換操作行為
給出了POR事件后執行第一條指令的時間、不同低功耗模式到運行模式的恢復時間等參數。
功耗操作行為
詳細列出了不同電源模式下的電流消耗,如運行模式、等待模式、停止模式、極低功耗運行模式等。
EMC輻射發射操作行為
給出了不同頻段的輻射發射電壓和IEC等級。
電容屬性
模擬和數字引腳的輸入電容最大值均為7 pF。
3. 開關規格
設備時鐘規格
不同模式下(正常運行模式、VLPR模式)的系統、總線、閃存、LPTMR等時鐘頻率有相應規定。
通用開關規格
包括GPIO引腳中斷脈沖寬度、外部復位脈沖寬度、端口上升和下降時間等參數。
4. 熱規格
熱操作要求
芯片的結溫范圍為 -40至125°C,環境溫度范圍為 -40至105°C。
熱屬性
不同電路板類型(單層、四層)在自然對流和強制對流情況下的熱阻以及結到板、結到殼的熱阻等參數。
六、外設操作要求和行為
1. 核心模塊
JTAG電氣特性在有限電壓范圍和全電壓范圍下有不同的操作電壓、時鐘頻率、脈沖寬度、數據設置和保持時間等參數。
2. 時鐘模塊
MCG規格
包括內部參考頻率、DCO輸出頻率、FLL和PLL的相關參數,如頻率范圍、抖動、鎖定時間等。
振蕩器電氣規格
包括DC電氣規格(電源電壓、供應電流、負載電容、反饋電阻、串聯電阻、振蕩幅度等)和頻率規格(晶體或諧振器頻率、輸入時鐘頻率、占空比、晶體啟動時間等)。
32 kHz振蕩器電氣特性
包括DC電氣規格(電源電壓、內部反饋電阻、寄生電容、振蕩幅度)和頻率規格(晶體頻率、啟動時間、外部輸入時鐘幅度)。
3. 存儲器和存儲器接口
閃存電氣規格
包括編程和擦除的定時規格(高電壓時間)、命令定時規格(讀取、編程、擦除等操作的執行時間)、高電壓電流行為(編程和擦除時的平均電流)和可靠性規格(數據保留時間、循環耐久性、寫入耐久性)。
EzPort開關規格
規定了操作電壓、時鐘頻率、信號設置和保持時間等參數。
4. 安全和完整性模塊
關于DryIce篡改電氣規格的信息需簽署保密協議后獲取。
5. 模擬模塊
ADC電氣規格
16位精度規格在特定差分引腳可實現,給出了操作條件(電源電壓、參考電壓、輸入電壓、輸入電容、輸入電阻、轉換時鐘頻率等)和電氣特性(供應電流、異步時鐘源、差分和積分非線性、全尺度誤差、量化誤差、有效位數、信號噪聲比等)。
CMP和6 - bit DAC電氣規格
包括電源電壓、供應電流、模擬輸入電壓、輸入偏移電壓、比較器滯后、輸出高/低電壓、傳播延遲、初始化延遲、DAC電流加法器、積分和差分非線性等參數。
6. 定時器
相關規格可參考通用開關規格。
7. 通信接口
USB電氣規格
符合通用串行總線實施者論壇的標準,可訪問usb.org獲取最新標準。
USB DCD電氣規格
規定了USB_DP源電壓、邏輯高閾值電壓、USB_DP源電流、USB_DM吸收電流、D - 下拉電阻和數據檢測電壓等參數。
VREG電氣規格
包括輸入電源電壓、靜態電流、最大負載電流、調節器輸出電壓、外部輸出電容、等效串聯電阻和短路電流等參數。
DSPI開關規格
在有限電壓范圍和全電壓范圍下,分別給出了主模式和從模式的操作電壓、頻率、時鐘周期、信號延遲、數據設置和保持時間等參數。
I2C和UART開關規格
可參考通用開關規格。
正常運行、等待和停止模式性能
給出了I2S/SAI主模式和從模式在不同電壓范圍下的時鐘周期、脈沖寬度、信號延遲、數據設置和保持時間等參數。
VLPR、VLPW和VLPS模式性能
同樣給出了I2S/SAI主模式和從模式在全電壓范圍下的相關參數。
七、尺寸與引腳
1. 尺寸
可通過freescale.com網站搜索相應文檔編號獲取80 - pin LQFP等封裝的尺寸信息。
2. 引腳
詳細列出了K21系列芯片80 LQFP封裝的信號復用和引腳分配情況,以及引腳圖。
八、總結
K21系列芯片以其豐富的功能、出色的性能和廣泛的適用性,為電子工程師們提供了一個強大的硬件平臺。在設計過程中,工程師們需要深入理解芯片的各項特性和參數,合理選擇工作模式和配置,以確保系統的穩定性、可靠性和性能優化。同時,要嚴格遵循芯片的操作要求和額定值,避免因操作不當導致芯片損壞。希望本文能為電子工程師們在使用K21系列芯片進行硬件設計時提供有價值的參考。
大家在使用K21系列芯片進行設計時,有沒有遇到過什么特別的問題或者有什么獨特的設計經驗呢?歡迎在評論區分享交流。
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基于K21系列芯片的硬件設計深度剖析
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