深入解析 onsemi NTTFS4C13N N 溝道 MOSFET

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件，其性能直接影響著電路的效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來(lái)深入探討 onsemi 推出的 NTTFS4C13N 單 N 溝道 MOSFET，看看它有哪些獨(dú)特之處。

文件下載：NTTFS4C13N-D.PDF

一、產(chǎn)品概述

NTTFS4C13N 是一款 30V、38A 的單 N 溝道功率 MOSFET，采用 8FL（WDFN8）封裝。它具有低導(dǎo)通電阻、低電容和優(yōu)化的柵極電荷等特點(diǎn)，能夠有效降低傳導(dǎo)損耗、驅(qū)動(dòng)損耗和開關(guān)損耗。此外，該器件符合無(wú)鉛、無(wú)鹵素/BFR 以及 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保性能出色。其應(yīng)用場(chǎng)景廣泛，包括 CPU 電源供應(yīng)和 DC - DC 轉(zhuǎn)換器等。

二、關(guān)鍵特性

（一）低損耗特性

• 低導(dǎo)通電阻（(R_{DS(on)})）：低導(dǎo)通電阻能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗，提高電路效率。在不同的柵源電壓下，(R{DS(on)})表現(xiàn)出色，例如在 (V{GS}=10V)、(I{D}=30A) 時(shí)，典型值為 7.5mΩ，最大值為 9.4mΩ；在 (V{GS}=4.5V)、(I_{D}=12A) 時(shí)，典型值為 11.2mΩ，最大值為 14mΩ。
• 低電容：低電容有助于減少驅(qū)動(dòng)損耗，使 MOSFET 能夠更快地響應(yīng)開關(guān)信號(hào)。輸入電容 (C{ISS}) 為 770pF（(V{GS}=0V)，(f = 1MHz)，(V{DS}=15V)），輸出電容 (C{OSS}) 為 443pF，反向傳輸電容 (C_{RSS}) 為 127pF。
• 優(yōu)化的柵極電荷：優(yōu)化的柵極電荷可以降低開關(guān)損耗，提高開關(guān)速度。總柵極電荷 (Q{G(TOT)}) 在不同條件下有不同的值，例如在 (V{GS}=4.5V)、(V{DS}=15V)、(I{D}=30A) 時(shí)為 7.8nC，在 (V{GS}=10V)、(V{DS}=15V)、(I_{D}=30A) 時(shí)為 15.2nC。

（二）電氣特性

1. 擊穿電壓：漏源擊穿電壓 (V_{(BR)DSS}) 為 30V，能夠承受一定的電壓沖擊。
2. 閾值電壓：柵極閾值電壓 (V{GS(TH)}) 在 (V{GS}=V{DS})、(I{D}=250mu A) 時(shí)，典型值為 1.3V，最大值為 2.1V，且具有負(fù)閾值溫度系數(shù)（(V{GS(TH)}/T{J}) 為 4.8mV/°C）。
3. 跨導(dǎo)：正向跨導(dǎo) (g{FS}) 在 (V{DS}=1.5V)、(I_{D}=15A) 時(shí)為 40S，反映了 MOSFET 對(duì)輸入信號(hào)的放大能力。

（三）熱特性

熱阻是衡量 MOSFET 散熱能力的重要指標(biāo)。該器件的結(jié)到殼熱阻 (R{JC}) 為 5.8°C/W，結(jié)到環(huán)境熱阻在不同條件下有所不同，穩(wěn)態(tài)時(shí)（采用 1 平方英寸焊盤、1oz 銅）(R{JA}) 為 60.8°C/W，采用最小推薦焊盤尺寸時(shí) (R{JA}) 為 160°C/W，在 (t ≤ 10s) 時(shí)（采用 1 平方英寸焊盤、1oz 銅）(R{JA}) 為 33.5°C/W。

三、最大額定值

在使用 NTTFS4C13N 時(shí)，需要關(guān)注其最大額定值，以確保器件的安全可靠運(yùn)行。以下是一些重要的最大額定值：

• 電壓額定值：漏源電壓 (V{DSS}) 為 30V，柵源電壓 (V{GS}) 為 ±20V。
• 電流額定值：連續(xù)漏極電流在不同溫度和條件下有所不同，例如在 (T{A}=25°C)、采用特定散熱條件時(shí)，連續(xù)漏極電流 (I{D}) 最大可達(dá) 38A；脈沖漏極電流 (I{DM}) 在 (T{A}=25°C)、(t = 10s) 時(shí)為 68A。
• 功率額定值：功率耗散在不同溫度和條件下也不同，例如在 (T{A}=25°C)、采用特定散熱條件時(shí)，功率耗散 (P{D}) 最大可達(dá) 21.5W。
• 溫度范圍：工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度范圍為 -55°C 至 +150°C。

四、典型特性曲線

文檔中提供了一系列典型特性曲線，這些曲線對(duì)于理解 MOSFET 的性能和設(shè)計(jì)電路非常有幫助。例如，導(dǎo)通電阻與柵源電壓、漏極電流和溫度的關(guān)系曲線，可以幫助我們選擇合適的工作點(diǎn)；電容變化曲線可以讓我們了解電容隨電壓的變化情況；開關(guān)時(shí)間與柵極電阻的關(guān)系曲線可以指導(dǎo)我們優(yōu)化開關(guān)電路的設(shè)計(jì)。

五、封裝與尺寸

NTTFS4C13N 采用 WDFN8 封裝，尺寸為 3.3x3.3，引腳間距為 0.65mm。文檔詳細(xì)給出了封裝的機(jī)械尺寸，包括各部分的最小、標(biāo)稱和最大尺寸，以及公差要求。同時(shí)，還提供了焊接腳印圖和通用標(biāo)記圖，方便工程師進(jìn)行 PCB 設(shè)計(jì)和器件安裝。

六、訂購(gòu)信息

七、總結(jié)與思考

NTTFS4C13N 作為一款高性能的 N 溝道 MOSFET，在降低損耗、提高效率方面表現(xiàn)出色。其豐富的電氣特性和詳細(xì)的參數(shù)說(shuō)明，為工程師提供了很大的設(shè)計(jì)靈活性。在實(shí)際應(yīng)用中，我們需要根據(jù)具體的電路需求，合理選擇工作點(diǎn)和散熱方式，以充分發(fā)揮該器件的性能。同時(shí)，我們也應(yīng)該關(guān)注器件的最大額定值，避免因超過(guò)額定值而導(dǎo)致器件損壞。大家在使用這款 MOSFET 時(shí)，有沒(méi)有遇到過(guò)什么問(wèn)題或者有什么獨(dú)特的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)?zāi)兀繗g迎在評(píng)論區(qū)分享。