深入剖析 NTTFS080N10G 單通道 N 溝道功率 MOSFET

在電子設計領域，功率 MOSFET 是不可或缺的關鍵元件，廣泛應用于各種電源管理和開關電路中。今天，我們將深入探討安森美（onsemi）的 NTTFS080N10G 單通道 N 溝道功率 MOSFET，了解其特性、參數及典型應用。

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產品概述

安森美（原 ON Semiconductor）推出的 NTTFS080N10G 是一款 100V、72mΩ、16A 的單通道 N 溝道功率 MOSFET。它采用小型封裝（3.3 x 3.3 mm），非常適合緊湊型設計。同時，該器件符合 RoHS 標準，無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑，環保性能出色。

產品特性

線性模式操作優勢

該 MOSFET 具有寬安全工作區（SOA），適用于線性模式操作。這意味著它在處理復雜的電路環境時，能夠穩定地工作，為電路的可靠性提供了保障。

低導通電阻

低 (R_{DS(on)}) 特性可有效降低導通損耗，提高能源效率。在實際應用中，這有助于減少發熱，延長設備的使用壽命，同時也能降低整體功耗。

高抗雪崩能力

具備高峰值非鉗位感性開關（UIS）電流能力，增強了器件的堅固性。在面對感性負載的開關操作時，能夠承受較大的電流沖擊，不易損壞。

小型封裝設計

3.3 x 3.3 mm 的小尺寸封裝，為緊湊型設計提供了可能。在空間有限的電路板上，能夠更靈活地布局，滿足各種小型化設備的需求。

典型應用

NTTFS080N10G 適用于多種應用場景，如 48V 熱插拔系統、負載開關、軟啟動和電子保險絲等。這些應用場景對 MOSFET 的性能要求較高，而 NTTFS080N10G 的特性正好能夠滿足這些需求。

關鍵參數

最大額定值

熱阻額定值

電氣特性

關斷特性

• 漏源擊穿電壓 (V{(BR)DSS})：在 (V{GS} = 0V)，(I_D = 250mu A) 時，最小值為 100V。
• 漏源擊穿電壓溫度系數：(87.6mV/^{circ}C)。
• 零柵壓漏極電流 (I{DSS})：在 (V{GS} = 0V)，(V_{DS} = 80V) 時，(T_J = 25^{circ}C) 為 1(mu A)，(T_J = 150^{circ}C) 為 100(mu A)。
• 柵源泄漏電流 (I{GSS})：在 (V{DS} = 0V)，(V_{GS} = ±20V) 時，為 ±100nA。

導通特性

• 柵極閾值電壓 (V{GS(TH)})：在 (V{GS} = V_{DS})，(I_D = 22A) 時，范圍為 2.0 - 4.0V。
• 柵極閾值電壓溫度系數：(-9.37mV/^{circ}C)。
• 漏源導通電阻 (R{DS(on)})：在 (V{GS} = 10V)，(I_D = 4A) 時，范圍為 60 - 72mΩ。
• 正向跨導 (g{FS})：在 (V{DS} = 5V)，(I_D = 4A) 時，為 6S。
• 柵極電阻 (R_G)：在 (T_A = 25^{circ}C) 時，為 0.53Ω。

電荷和電容特性

• 輸入電容 (C{iss})：在 (V{GS} = 0V)，(f = 1MHz)，(V_{DS} = 50V) 時，為 560.5pF。
• 輸出電容 (C_{oss})：為 64pF。
• 反向傳輸電容 (C_{rss})：為 9pF。
• 總柵極電荷 (Q{G(TOT)})：在 (V{GS} = 10V)，(V_{DS} = 50V)，(I_D = 4A) 時，為 8.6nC。
• 閾值柵極電荷 (Q_{G(TH)})：為 1.7nC。
• 柵源電荷 (Q_{GS})：為 3.2nC。
• 柵漏電荷 (Q_{GD})：為 2nC。
• 輸出電荷 (Q{OSS})：在 (V{GS} = 10V)，(V_{DS} = 50V) 時，為 6.1nC。

開關特性

• 開啟延遲時間 (t{d(on)})：在 (V{GS} = 10V)，(V_{DS} = 50V)，(I_D = 4A)，(R_G = 4.7Ω) 時，為 8.4ns。
• 上升時間 (t_r)：為 3ns。
• 關斷延遲時間 (t_{d(off)})：為 11.9ns。
• 下降時間 (t_f)：為 2.8ns。

漏源二極管特性

• 正向二極管電壓 (V{SD})：在 (V{GS} = 0V)，(I_S = 4A) 時，(T_J = 25^{circ}C) 為 0.83 - 1.2V，(T_J = 125^{circ}C) 為 0.70V。
• 反向恢復時間 (t{RR})：在 (V{GS} = 0V)，(dI_S/dt = 300A/mu s)，(I_S = 2A) 時，為 17ns；在 (dI_S/dt = 1000A/mu s)，(I_S = 2A) 時，為 14ns。
• 反向恢復電荷 (Q_{RR})：在 (dI_S/dt = 300A/mu s)，(I_S = 2A) 時，為 37nC；在 (dI_S/dt = 1000A/mu s)，(I_S = 2A) 時，為 60.5nC。

典型特性曲線

文檔中還給出了一系列典型特性曲線，包括導通區域特性、傳輸特性、導通電阻與柵源電壓和漏極電流的關系、導通電阻隨溫度的變化、漏源泄漏電流與電壓的關系、電容變化、柵源電壓與總電荷的關系、電阻性開關時間隨柵極電阻的變化、二極管正向電壓與電流的關系、最大額定正向偏置安全工作區以及最大漏極電流與雪崩時間的關系等。這些曲線能夠幫助工程師更好地理解器件的性能，在實際設計中做出更合理的選擇。

訂購信息

如需了解卷帶規格，包括零件方向和卷帶尺寸，請參考安森美的卷帶包裝規格手冊 BRD8011/D。

總結

NTTFS080N10G 單通道 N 溝道功率 MOSFET 憑借其優異的特性和豐富的參數，為電子工程師在設計電源管理和開關電路時提供了一個可靠的選擇。在實際應用中，工程師需要根據具體的電路需求，結合器件的參數和特性曲線，合理選擇和使用該器件，以確保電路的性能和可靠性。大家在使用這款 MOSFET 時，有沒有遇到過什么特別的問題呢？歡迎在評論區分享交流。