隨著半導(dǎo)體封裝向高密度、小型化發(fā)展,對封裝材料的純凈度要求日益嚴(yán)苛。環(huán)氧塑封料、底部填充膠、導(dǎo)熱界面材料中的任何微小氣泡都可能成為可靠性隱患。本文介紹一種先進(jìn)的物理脫泡技術(shù)——VTR(真空-薄膜-旋轉(zhuǎn)),并以綿陽世諾科技(SINOMIX) 的脫泡攪拌機(jī)為例,展示其在封裝材料處理中的實(shí)際效果。
一、VTR技術(shù)的工作原理
VTR技術(shù)是一種基于離心力和真空協(xié)同作用的動態(tài)脫泡方法,其工作流程分為三個階段:
真空預(yù)處理:設(shè)備腔體抽至設(shè)定真空度(最低可達(dá)6mbar),使材料中溶解的氣體及微小氣泡核膨脹,降低脫泡難度。
薄膜化分散:通過高速旋轉(zhuǎn)的錐形分散盤,將漿料在離心力作用下攤鋪成亞毫米級薄膜。該過程極大地增加了氣-液界面積,氣泡從漿料內(nèi)部被“擠壓”至表面。
離心分離:在近800G的離心力場中,氣泡因密度遠(yuǎn)小于漿料而被徑向甩出,并迅速破裂;脫泡后的材料則沿腔壁匯集至出料口連續(xù)排出。
與傳統(tǒng)真空脫泡相比,VTR技術(shù)不是被動等待氣泡上浮,而是主動將氣泡“甩”出,因此對高粘度、高固含量材料尤其有效。
二、在半導(dǎo)體封裝材料中的實(shí)測數(shù)據(jù)
測試材料:高粘度環(huán)氧底部填充膠(粘度25000cP,填料粒徑5μm)
測試設(shè)備:綿陽世諾科技 iL-20HV 脫泡攪拌機(jī)
工藝參數(shù):轉(zhuǎn)速1800rpm,真空度10KPa,連續(xù)運(yùn)行
測試結(jié)果:
處理量:280kg/h
脫泡后氣泡殘留:顯微鏡下(100倍)未見氣泡,點(diǎn)膠后X射線檢測空洞率<0.1%
材料溫升:進(jìn)料25℃ → 出料26.5℃,僅升高1.5℃
粘度變化:處理前后粘度波動<3%,未添加任何消泡劑
對比傳統(tǒng)真空箱:處理相同50kg材料,真空箱需靜置6小時,仍殘留微泡;而脫泡攪拌機(jī)僅需約10分鐘(含清洗過渡時間)。
三、實(shí)際應(yīng)用案例
某半導(dǎo)體封裝企業(yè)生產(chǎn)光通訊模塊用Underfill膠,原工藝采用真空攪拌機(jī)+靜置脫泡,批次間空洞率波動大(2%~8%),導(dǎo)致良率損失。引入世諾科技的在線式脫泡攪拌機(jī)后,實(shí)現(xiàn)了連續(xù)脫泡供料,空洞率穩(wěn)定在0.5%以下,設(shè)備清洗時間由3小時縮短至15分鐘,產(chǎn)能提升3倍。
四、技術(shù)選型建議
對于半導(dǎo)體封裝材料脫泡,推薦以下配置:
設(shè)備類型:非接觸式VTR型脫泡攪拌機(jī)(避免金屬污染)
處理方式:連續(xù)在線式(匹配產(chǎn)線節(jié)拍)
溫控:可選配冷卻系統(tǒng),確保溫升≤2℃
材質(zhì):接觸部件為SUS316L+PTFE,耐腐蝕且不吸附材料
綿陽世諾科技(SINOMIX) 深耕脫泡設(shè)備18年,擁有52項(xiàng)專利,其脫泡攪拌機(jī)已服務(wù)于多家國際封裝材料廠商。如需針對您的具體材料進(jìn)行測試,可申請免費(fèi)樣品驗(yàn)證。
(歡迎電子工程師留言討論脫泡技術(shù)問題)
審核編輯 黃宇
-
半導(dǎo)體封裝
+關(guān)注
關(guān)注
4文章
325瀏覽量
15264
發(fā)布評論請先 登錄
電子漿料中的氣泡問題:脫泡攪拌機(jī)如何實(shí)現(xiàn)高可靠性封裝?
【技術(shù)分享】高粘度電子漿料脫泡難的根因分析及VTR在線脫氣解決方案
電子漿料脫泡難?聊聊脫泡攪拌機(jī)在半導(dǎo)體封裝中的應(yīng)用
深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強(qiáng)于2015年在深圳市華強(qiáng)北成立,當(dāng)時掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體
BW-4022A半導(dǎo)體分立器件綜合測試平臺---精準(zhǔn)洞察,卓越測量
無壓燒結(jié)銀膏應(yīng)該怎樣脫泡,手段有哪些?
【「AI芯片:科技探索與AGI愿景」閱讀體驗(yàn)】+半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的前沿技術(shù)
自主創(chuàng)新賦能半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)——江蘇拓能半導(dǎo)體科技有限公司與 “半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計軟件” 的突破之路
TGV視覺檢測 助力半導(dǎo)體封裝行業(yè)# TGV檢測# 自動聚焦系統(tǒng)# 半導(dǎo)體封裝
TGV技術(shù):推動半導(dǎo)體封裝創(chuàng)新的關(guān)鍵技術(shù)
VTR脫泡技術(shù)原理及在半導(dǎo)體封裝材料中的應(yīng)用實(shí)測
評論