電子發燒友網報道（文/李彎彎）近期，三星電子公布了其第一季度初步業績報告，數據令人矚目：預計營業利潤將達到57.2萬億韓元，與去年同期的6.69萬億韓元相比，增長了八倍以上，遠超市場預期的40.6萬億韓元。同時，公司預計一季度總營收將增長68%，達到133萬億韓元。

這一業績的飆升，主要得益于人工智能基礎設施建設引發的芯片供應短缺及價格飆升，而三星電子憑借其在高帶寬內存（HBM）領域的突破和傳統內存市場的回暖，成功抓住了這一歷史機遇。

由于生產線集中生產高附加值的HBM芯片，通用DRAM的產量相對減少，加劇了供應緊張。預計內存短缺將持續至2027年。根據最新數據，三星在2026年第一季度將DRAM平均價格上調了約100%，且已確定第二季度再漲價30%。SK海力士和美光科技也預計將提高HBM4價格，以應對成本上升和市場需求激增。


三星最新HBM4縮小與SK海力士差距

高帶寬內存（HBM）是基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，通過垂直堆疊多個DRAM芯片并用硅通孔（TSV）互聯，帶寬提升、能耗降低。人工智能快速發展，算力需求大增，HBM成為AI服務器核心標配，解決了傳統存儲帶寬瓶頸問題。

目前，三星電子、SK海力士、美光科技主導全球存儲芯片供應，三家公司紛紛將產能轉向用于AI加速器的HBM，收緊傳統存儲芯片供應，推動HBM市場快速增長。行業分析機構預測，到2026年，HBM市場規模將增長近60%，占DRAM市場近四成份額。

大約一年前，三星因在為英偉達AI芯片提供關鍵HBM方面落后于競爭對手，首席執行官曾公開致歉。不過，隨著最新HBM4芯片推出，三星正逐步縮小與韓國對手SK海力士的差距。

在HBM4開發進度上，各公司競爭激烈。SK海力士于2025年完成HBM4開發并構建量產體系，計劃年底量產。美光科技在2026年第一季度宣布量產36GB 12層堆疊的HBM4產品，并向客戶發送48GB 16層堆疊樣品。三星電子布局早有規劃，2025年初完成HBM4內存邏輯芯片設計，10月在SEDEX 2025半導體博覽會上首次公開展示。2026年2月三星宣布大規模生產HBM4并交付客戶。

三星HBM4芯片性能卓越。采用第六代10nm級（1c）DRAM工藝與4nm邏輯制程，數據處理速度高達11.7Gbps（最高可擴展至13Gbps），單堆棧帶寬最高達3.3TB/s，層堆疊容量36GB，未來16層堆疊可達48GB。還引入直觸液冷（D2C）等先進散熱方案，散熱效率是風冷的3倍，有效應對高功耗問題。

架構優化上，三星同步開發混合鍵合（HCB）和TC - NCF（熱壓縮非導電薄膜）兩種鍵合工藝，支持12層及16層堆疊，提升堆疊層數和性能。同時，HBM4支持定制化Base Die（邏輯底座），可與LPDDR內存直接連接，優化成本與延遲。

三星與英偉達、AMD等科技巨頭達成合作。英偉達CEO黃仁勛在GTC開發者大會宣布與三星建立代工合作關系并提及HBM4芯片，2026年3月，英偉達在GTC 2026大會展示搭載三星HBM4的Vera Rubin平臺，三星HBM4正式進入英偉達供應鏈。三星還與AMD達成合作，成為其企業數據中心用MI455X加速器主要供應商，提供HBM4，還將為相關系統供應DDR5內存芯片。

價格方面，三星計劃將HBM4定價高于HBM3E，SK海力士預計也將提高HBM4價格。由于生產線集中生產高附加值HBM芯片，通用DRAM產量減少，供應緊張，預計內存短缺將持續至2027年。


AI推理帶動傳統內存需求反彈

隨著AI大模型和AI Agent應用廣泛普及，全球算力基礎設施重心從“訓練”轉向“推理”。推理服務器雖無需極致的HBM，但對標準DDR5內存需求大增，龐大的數據吞吐促使服務器DRAM消耗量同比激增40%至50%。

DDR5與DDR4相比，性能更強、功耗更低，電壓從1.2V降至1.1V，每通道32/40位（ECC）、總線效率提高，還增加預取的Bank Group數量以提升性能。三星已采用12納米級工藝技術、硅通孔（TSV）和極紫外光刻（EUV）技術，開發出目前最大的1TB容量DDR5內存模組。

DDR5具有高達7200百萬比特/秒（Mbps）的傳輸速度，有效處理對更大、更復雜數據工作量的需求。與DDR4相比，DDR5的性能提升了一倍多，突發長度從8翻倍至16，存儲庫數量從16翻倍至32。此外，DDR5還具備自糾錯解決方案的強大可靠性，應用于DDR5的ODECC（片上糾錯碼）技術幾乎消除了單比特錯誤，提高了數據可靠性。

三星的12納米級DDR5 DRAM不僅性能出色，能效也顯著提升。與上一代產品相比，其功耗降低了23%，晶圓生產率提高了20%。這使得DDR5成為全球IT企業服務器和數據中心節能減排的優秀解決方案。

AI推理不僅僅發生在云端，現在越來越多的AI功能被部署在本地設備（如AI PC、AI手機）上。為了在本地流暢運行大模型，消費級設備對內存容量和速度提出了更高要求，例如從DDR4加速向DDR5切換，對LPDDR5X需求增加。這直接拉動了三星在消費電子領域的傳統內存出貨。

三星電子推出的LPDDR5X是高性能低功耗DRAM產品的代表。該內存于2022年3月首次采用14nm工藝制造，傳輸速度較前代提升約1.2倍。2024年7月，其最新版本通過12nm工藝實現了10.7Gbps的業界最高傳輸速率，并在聯發科天璣9400平臺完成驗證。

LPDDR5X內存已廣泛應用于vivo S50、OPPO Find X9 Pro、榮耀WIN系列、iQOO Z11 Turbo、realme真我Neo8以及榮耀Magic8 RSR保時捷設計等智能手機，最高提供24GB容量。此外，三星發布的Exynos 2600芯片也支持LPDDR5X內存。蘋果公司選定三星作為其iPhone 17及未來iPhone 18機型LPDDR5X內存芯片的供應商。

在PC領域，LPDDR5X內存同樣表現出色。英特爾發布的酷睿Ultra 3系列Panther Lake處理器和高通技術公司發布的驍龍X2 Plus平臺均支持LPDDR5X內存。三星通過動態電壓頻率調節技術優化功耗，并推出厚度僅0.65毫米的超薄封裝版本，滿足端側AI設備的散熱需求。


寫在最后

在人工智能算力驅動下，半導體市場正經歷顛覆性變化。AI基礎設施成為未來十年半導體增長的核心引擎，其中GPU市場預計到2030年將達到3260億美元。HBM作為AI服務器的核心標配，是解決傳統存儲帶寬瓶頸的關鍵技術。三星通過推出HBM4芯片，不僅縮小了與競爭對手的差距，還鞏固了其在AI內存市場的地位。

同時，傳統內存需求在AI推理的帶動下反彈，服務器端對通用DRAM的需求激增，邊緣AI也推動了PC和手機的升級。三星的DDR5和LPDDR5X內存憑借出色的性能和能效，滿足了市場對高性能內存的需求，進一步推動了三星業績的增長。

展望未來，存儲已成為AI基礎設施的核心資源。面對指數級增長的內存需求，三星等存儲原廠正將新增產能重點投向HBM等高端產品，同時優化傳統DRAM的產能布局。隨著人工智能從生成式邁向智能體時代，內存正成為制約發展的關鍵瓶頸。產業界已開始探索如高帶寬閃存（HBF）等新型存儲方案，以應對未來高性能設備的需求。