MAX8550評(píng)估套件：DDR電源解決方案評(píng)估利器

在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，電源供應(yīng)的穩(wěn)定性和性能至關(guān)重要，尤其是對(duì)于筆記本電腦、臺(tái)式機(jī)和顯卡等設(shè)備中的DDR內(nèi)存。MAX8550評(píng)估套件（EV kit）為工程師提供了一個(gè)便捷的平臺(tái)，用于評(píng)估MAX8550 DDR電源解決方案。

文件下載：MAX8550EVKIT.pdf

一、套件概述

MAX8550評(píng)估套件旨在評(píng)估適用于筆記本、臺(tái)式機(jī)和顯卡的MAX8550 DDR電源解決方案。該套件的電路板通過(guò)同步PWM降壓輸出產(chǎn)生VDDQ，通過(guò)源/沉LDO線性穩(wěn)壓器輸出產(chǎn)生VTT，通過(guò)參考緩沖器輸出產(chǎn)生VTTR。

輸出參數(shù)

• VDDQ：預(yù)設(shè)為2.5V，最大可提供12A電流。
• VTT：始終為VDDQ的一半，即1.25V，可源/沉最大3A的峰值電流和1.5A的連續(xù)電流。
• VTTR：同樣為1.25V，可源/沉最大10mA電流。

輸入要求

VIN輸入電壓范圍為9V至20V，VDD需要5V偏置電源。

模式選擇

套件方便地設(shè)計(jì)了跳線，可選擇OVP/UVP、TON、SKIP、STBY和SHDN_等模式。電路板的默認(rèn)設(shè)置啟用了OVP（過(guò)壓保護(hù)）、600kHz開關(guān)頻率、低噪聲PWM模式以及VDDQ、VTT和VTTR輸出。

二、元件清單

三、特性亮點(diǎn)

1. 輸出預(yù)設(shè)：VDDQ預(yù)設(shè)為2.5V/12A，VTT 1.25V可源/沉1.5A連續(xù)/3A峰值電流，VTTR 1.25V可源/沉10mA電流，滿足DDR內(nèi)存的供電需求。
2. 寬輸入范圍：VIN范圍為9V至20V，適應(yīng)多種電源環(huán)境。
3. 優(yōu)化開關(guān)頻率：600kHz的開關(guān)頻率經(jīng)過(guò)優(yōu)化，有助于提高電源效率和降低噪聲。
4. 保護(hù)功能：具備過(guò)壓/欠壓保護(hù)、待機(jī)和獨(dú)立關(guān)斷功能，保障電路安全。
5. Power OK指示：方便工程師監(jiān)測(cè)電源狀態(tài)。

四、訂購(gòu)信息

若要評(píng)估MAX8550A或MAX8551，可在訂購(gòu)MAX8550評(píng)估套件時(shí)申請(qǐng)免費(fèi)樣品。

五、快速啟動(dòng)步驟

1. 確保在跳線JU1的1 - 4引腳之間放置分流器，以啟用OVP和UVP。
2. 確保在跳線JU2的1 - 2引腳之間放置分流器，將開關(guān)頻率設(shè)置為約600kHz。
3. 確保在跳線JU3的1 - 2引腳之間放置分流器，啟用低噪聲PWM模式。
4. 確保在跳線JU4的2 - 3引腳之間放置分流器，禁用VDDQ降壓輸出。
5. 確保在跳線JU5的1 - 2引腳之間放置分流器，啟用VTT和VTTR輸出。
6. 確保在跳線JU6的2 - 3引腳之間放置分流器，將電路板設(shè)置為正常運(yùn)行模式。
7. 將5VDC電源連接到VDD焊盤和最靠近VIN的PGND焊盤。
8. 將12VDC電源連接到VIN焊盤和相應(yīng)的PGND焊盤。
9. 打開兩個(gè)電源。
10. 設(shè)置JU4（1 - 2），開啟VDDQ。
11. 使用一個(gè)數(shù)字電壓表（DVM），驗(yàn)證VDDQ和PGND焊盤之間的VDDQ電壓為2.5V（±2%）。
12. 使用另一個(gè)DVM，驗(yàn)證VTT和PGND焊盤之間的VTT電壓為1.25V（±2%）。

六、跳線選擇

不同的跳線位置可實(shí)現(xiàn)不同的功能，以下是部分跳線的詳細(xì)說(shuō)明：

OVP/UVP控制輸入（JU1）

導(dǎo)通時(shí)間選擇輸入（JU2）

脈沖跳躍控制輸入（JU3）

關(guān)斷控制輸入A（JU4）

關(guān)斷控制輸入B（JU5）

待機(jī)控制輸入（JU6）

七、設(shè)置降壓調(diào)節(jié)器輸出電壓（VDDQ）

對(duì)于DDR內(nèi)存應(yīng)用，MAX8550評(píng)估套件上的降壓調(diào)節(jié)器輸出電壓預(yù)設(shè)為2.5V。若要將輸出電壓引腳固定為1.8V，可按以下步驟操作：

1. 移除R9。
2. 將步驟1中的0Ω電阻焊接到R7位置。如需優(yōu)化性能，可參考MAX8550/MAX8551數(shù)據(jù)手冊(cè)更改外部元件。

八、低側(cè)MOSFET緩沖電路（降壓）

快速開關(guān)轉(zhuǎn)換會(huì)因開關(guān)LX節(jié)點(diǎn)處的寄生電感和電容形成的諧振電路而產(chǎn)生振鈴，這可能會(huì)干擾電路性能并產(chǎn)生EMI。為了抑制這種振鈴，在低側(cè)開關(guān)兩端添加了可選的串聯(lián)RC緩沖電路。以下是選擇緩沖電路串聯(lián)RC值的簡(jiǎn)單步驟：

1. 將示波器探頭連接到MAX8550評(píng)估套件原理圖上標(biāo)記的LX節(jié)點(diǎn)，觀察振鈴頻率fR。
2. 通過(guò)找到一個(gè)電容值（當(dāng)從LX連接到PGND1時(shí)，該電容值可使振鈴頻率降低一半）來(lái)估算LX處的電路寄生電容（CPAR），CPAR可近似為找到的電容值的1/3。
3. 根據(jù)公式[L{PAR}=frac{1}{left(2 pi × f{R}right)^{2} × C_{PAR}}]估算電路寄生電感（LPAR）。
4. 根據(jù)公式[R12 =2 pi × fR × L_{PAR}]計(jì)算用于臨界阻尼的R12值。可根據(jù)需要調(diào)整電阻值以實(shí)現(xiàn)所需的阻尼和峰值電壓偏移。
5. 電容C15的值應(yīng)至少為CPAR的2至4倍，以確保有效。

緩沖電路的功率損耗（PWR_SNUB）會(huì)在電阻中耗散，可根據(jù)公式[PWRSNUB =C 15 × VIN^{2} × f{SW}]計(jì)算，其中VIN為輸入電壓，fSW為開關(guān)頻率。應(yīng)根據(jù)上述公式計(jì)算的功率耗散和特定應(yīng)用的降額規(guī)則選擇R12的功率額定值。該評(píng)估套件推薦的緩沖值為3Ω（R12）和2.2nF（C15）。

綜上所述，MAX8550評(píng)估套件為工程師提供了一個(gè)全面的平臺(tái)，用于評(píng)估MAX8550 DDR電源解決方案。通過(guò)合理設(shè)置跳線和元件，工程師可以靈活調(diào)整電源輸出，滿足不同應(yīng)用的需求。你在使用類似評(píng)估套件時(shí)是否也遇到過(guò)一些挑戰(zhàn)呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。