解析 onsemi NVMFWS1D7N04XM：高性能 N 溝道 MOSFET 的卓越之選

在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，MOSFET 是至關(guān)重要的元件之一，其性能直接影響著整個(gè)電路的效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來(lái)深入剖析 onsemi 的 NVMFWS1D7N04XM 這款單 N 溝道功率 MOSFET，看看它有哪些獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用場(chǎng)景。

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產(chǎn)品特性

低損耗設(shè)計(jì)

NVMFWS1D7N04XM 具有極低的導(dǎo)通電阻 (R{DS(on)})，在 (V{GS} = 10V)，(I{D} = 14A)，(T{J} = 25^{circ}C) 的條件下，典型值僅為 1.4mΩ，最大值為 1.65mΩ。這一特性能夠有效降低導(dǎo)通損耗，提高電路的效率。同時(shí)，其低電容特性也有助于減少驅(qū)動(dòng)損耗，進(jìn)一步提升整體性能。

緊湊設(shè)計(jì)

該 MOSFET 采用了 DFNW5（SO - 8FL）封裝，尺寸僅為 5 x 6mm，具有小尺寸的優(yōu)勢(shì)，能夠滿(mǎn)足緊湊設(shè)計(jì)的需求，特別適用于對(duì)空間要求較高的應(yīng)用場(chǎng)景。

汽車(chē)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)

NVMFWS1D7N04XM 通過(guò)了 AEC - Q101 認(rèn)證，并且具備 PPAP 能力，這意味著它符合汽車(chē)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，能夠在汽車(chē)電子等對(duì)可靠性要求極高的領(lǐng)域中穩(wěn)定工作。此外，該器件還符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鉛、無(wú)鹵素，環(huán)保性能出色。

應(yīng)用場(chǎng)景

電機(jī)驅(qū)動(dòng)

在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中，NVMFWS1D7N04XM 的低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性能夠有效降低功率損耗，提高電機(jī)的效率和性能。同時(shí)，其高電流承載能力（連續(xù)漏極電流 (I{D}) 在 (T{C} = 25^{circ}C) 時(shí)可達(dá) 154A）也能夠滿(mǎn)足電機(jī)驅(qū)動(dòng)的需求。

電池保護(hù)

對(duì)于電池保護(hù)電路，該 MOSFET 可以作為開(kāi)關(guān)元件，實(shí)現(xiàn)對(duì)電池的過(guò)充、過(guò)放和短路保護(hù)。其低導(dǎo)通電阻能夠減少電池在正常工作時(shí)的能量損耗，延長(zhǎng)電池的使用壽命。

同步整流

在開(kāi)關(guān)電源的同步整流應(yīng)用中，NVMFWS1D7N04XM 能夠提供高效的整流功能，降低整流損耗，提高電源的效率。

關(guān)鍵參數(shù)

最大額定值

熱特性

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓 (V{(BR)DSS})：在 (V{GS} = 0V)，(I{D} = 1mA)，(T{J} = 25^{circ}C) 時(shí)為 40V。
• 漏源擊穿電壓溫度系數(shù) (V{(BR)DSS}/T{J})：參考 25°C 時(shí)為 15mV/°C。
• 零柵壓漏極電流 (I{DSS})：在 (V{DS} = 40V)，(T{J} = 25^{circ}C) 時(shí)為 1.0μA，在 (V{DS} = 40V)，(T_{J} = 125^{circ}C) 時(shí)為 20μA。
• 柵源泄漏電流 (I{GSS})：在 (V{GS} = 20V)，(V_{DS} = 0V) 時(shí)為 100nA。

導(dǎo)通特性

• 漏源導(dǎo)通電阻 (R{DS(on)})：在 (V{GS} = 10V)，(I{D} = 14A)，(T{J} = 25^{circ}C) 時(shí)，典型值為 1.4mΩ，最大值為 1.65mΩ。
• 柵極閾值電壓 (V{GS(TH)})：在 (V{GS} = V{DS})，(I{D} = 70A)，(T_{J} = 25^{circ}C) 時(shí)，范圍為 2.5 - 3.5V。
• 柵極閾值電壓溫度系數(shù) (V{GS(TH)}/T{J})：為 -7mV/°C。
• 正向跨導(dǎo) (g{FS})：在 (V{DS} = 5V)，(I_{D} = 14A) 時(shí)為 77S。

電荷、電容和柵極電阻

• 輸入電容 (C{ISS})：在 (V{GS} = 0V)，(V_{DS} = 25V)，(f = 1MHz) 時(shí)為 1840pF。
• 輸出電容 (C_{OSS})：為 1186pF。
• 反向傳輸電容 (C_{RSS})：為 19pF。
• 總柵極電荷 (Q_{G(TOT)})：為 29nC。
• 閾值柵極電荷 (Q_{G(TH)})：為 5nC。
• 柵源電荷 (Q_{GS})：為 8nC。
• 柵漏電荷 (Q_{GD})：為 6nC。
• 柵極電阻 (R_{G})：在 (f = 1MHz) 時(shí)為 0.7Ω。

開(kāi)關(guān)特性

在電阻性負(fù)載，(V{GS} = 10V)，(V{DD} = 32V)，(I{D} = 14A)，(R{G} = 0) 的條件下：

• 開(kāi)啟延遲時(shí)間 (t_{d(ON)})：為 7ns。
• 上升時(shí)間 (t_{r})：為 13ns。
• 關(guān)斷延遲時(shí)間 (t_{d(OFF)})：為 10ns。
• 下降時(shí)間 (t_{f})：為 17ns。

源漏二極管特性

• 正向二極管電壓 (V{SD})：在 (V{GS} = 0V)，(I{S} = 14A)，(T{J} = 25^{circ}C) 時(shí)，范圍為 0.78 - 1.2V；在 (V{GS} = 0V)，(I{S} = 14A)，(T_{J} = 125^{circ}C) 時(shí)為 0.62V。
• 反向恢復(fù)時(shí)間 (t_{RR})：為 41ns。
• 充電時(shí)間 (t_{a})：為 17ns。
• 放電時(shí)間 (t_)：為 24ns。
• 反向恢復(fù)電荷 (Q_{RR})：為 37nC。

典型特性

數(shù)據(jù)手冊(cè)中還給出了多個(gè)典型特性曲線(xiàn)，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻與柵極電壓關(guān)系、導(dǎo)通電阻與漏極電流關(guān)系、歸一化導(dǎo)通電阻與結(jié)溫關(guān)系、漏極泄漏電流與漏極電壓關(guān)系、電容特性、柵極電荷特性、電阻性開(kāi)關(guān)時(shí)間與柵極電阻關(guān)系、二極管正向特性、最大額定正向偏置安全工作區(qū)以及瞬態(tài)熱響應(yīng)等。這些曲線(xiàn)能夠幫助工程師更好地了解該 MOSFET 在不同工作條件下的性能表現(xiàn)，從而進(jìn)行更合理的設(shè)計(jì)。

訂購(gòu)信息

該器件的型號(hào)為 NVMFWS1D7N04XMT1G，采用 DFNW5（Pb - Free）封裝，每盤(pán) 1500 個(gè)，采用帶盤(pán)包裝。關(guān)于帶盤(pán)規(guī)格的詳細(xì)信息，可參考 Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D。

總結(jié)

onsemi 的 NVMFWS1D7N04XM 是一款性能卓越的單 N 溝道功率 MOSFET，具有低損耗、緊湊設(shè)計(jì)、汽車(chē)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)等諸多優(yōu)勢(shì)，適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池保護(hù)、同步整流等多種應(yīng)用場(chǎng)景。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，工程師可以根據(jù)具體的需求和工作條件，參考其關(guān)鍵參數(shù)和典型特性，合理選擇和使用該器件，以實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的電路設(shè)計(jì)。你在使用類(lèi)似 MOSFET 時(shí)遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見(jiàn)解。