安森美NVMYS007N10MCL：高性能N溝道MOSFET的卓越之選
安森美NVMYS007N10MCL：高性能N溝道MOSFET的卓越之選
在電子工程師的設計工作中，MOSFET是不可或缺的關鍵元件。今天，我們就來深入了解安森美（onsemi）推出的NVMYS007N10MCL這款100V、7mΩ、83A的單N溝道功率MOSFET。
文件下載：NVMYS007N10MCL-D.PDF
產品特性
緊湊設計
NVMYS007N10MCL采用5x6mm的小尺寸封裝，這種緊湊的設計對于追求小型化的電子產品來說非常友好，工程師們可以在有限的空間內實現更多的功能布局。
低損耗優勢
- 低導通電阻：低 (R_{DS(on)}) 能夠有效降低導通損耗，提高系統的效率。在實際應用中，這意味著更少的能量浪費和更低的發熱，有助于提升整個系統的穩定性和可靠性。
- 低柵極電荷和電容：低 (Q_{G}) 和電容可以減少驅動損耗，降低對驅動電路的要求，使設計更加簡潔高效。
符合行業標準
該產品采用LFPAK4封裝，符合行業標準AEC?Q101要求，并且具備PPAP能力。同時，它是無鉛、無鹵素、無鈹的，符合RoHS標準，滿足環保要求。
最大額定值
| 參數 | 條件 | 符號 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | (T_{J}=25^{circ} C) | (V_{DSS}) | 100 | V |
| 柵源電壓 | (T_{J}=25^{circ} C) | (V_{GS}) | +20 | V |
| 連續漏極電流（(R_{θJC})） | (T_{C}=25^{circ} C) | (I_{D}) | 83 | A |
| 穩態功率耗散（(R_{θJC})） | (T_{C}=25^{circ} C) | (P_{D}) | 107 | W |
| 連續漏極電流（(R_{θJA})） | (T_{A}=25^{circ} C) | (I_{D}) | 16 | A |
| 穩態功率耗散（(R_{θJA})） | (T_{A}=25^{circ} C) | (P_{D}) | 3.8 | W |
| 脈沖漏極電流 | (T{A}=25^{circ} C)，(t{p}=10mu s) | (I_{DM}) | 539 | A |
| 工作結溫和存儲溫度范圍 | - | (T{J})，(T{stg}) | -55 至 +175 | (^{circ}C) |
| 源極電流（體二極管） | - | (I_{S}) | 82 | A |
| 單脈沖漏源雪崩能量（(I_{L(pk)} = 4.8 A)） | - | (E_{AS}) | 671 | mJ |
| 引腳焊接回流溫度（距外殼1/8英寸，10秒） | - | (T_{L}) | 260 | (^{circ}C) |
需要注意的是，超過最大額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。
熱阻額定值
| 參數 | 符號 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 結到殼穩態熱阻 | (R_{θJC}) | 1.40 | (^{circ}C/W) |
| 結到環境穩態熱阻（注2） | (R_{θJA}) | 40 | (^{circ}C/W) |
這里要提醒大家，熱阻會受到整個應用環境的影響，并非固定值，僅在特定條件下有效。
電氣特性
關斷特性
- 漏源擊穿電壓： (V{(BR)DSS}) 在 (V{GS}=0V)，(I_{D}=250mu A) 時為100V。
- 漏源擊穿電壓溫度系數： (V{(BR)DSS}/Delta T{J}) 為59mV/°C。
- 零柵壓漏極電流： (I{DSS}) 在 (V{GS}=0V)，(V{DS}=100V)，(T{J}=25^{circ}C) 時為1.0(mu A)，(T_{J}=125^{circ}C) 時為100(mu A)。
- 柵源泄漏電流： (I{GSS}) 在 (V{DS}=0V)，(V_{GS}=20V) 時為100nA。
導通特性
- 柵極閾值電壓：有一定的溫度系數，為5.3mV/°C。
- 漏源導通電阻：在 (V{GS}=10V)，(I{D}=25A) 時表現良好，在 (V{GS}=4.5V)，(I{D}=20A) 時為7.9mΩ。
電荷與電容特性
| 參數 | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 輸入電容 | (C_{ISS}) | (V{GS}=0V)，(f = 1MHz)，(V{DS}=50V) | - | 2700 | - | pF |
| 輸出電容 | (C_{OSS}) | - | - | 950 | - | pF |
| 反向傳輸電容 | (C_{RSS}) | - | - | 14 | - | pF |
| 總柵極電荷（(V_{GS}=4.5V)） | (Q_{G(TOT)}) | (V{GS}=4.5V)，(V{DS}=50V)，(I_{D}=25A) | - | 17 | - | nC |
| 總柵極電荷（(V_{GS}=10V)） | (Q_{G(TOT)}) | (V{GS}=10V)，(V{DS}=50V)，(I_{D}=25A) | - | 37 | - | nC |
| 閾值柵極電荷 | (Q_{G(TH)}) | - | - | 4 | - | nC |
| 柵源電荷 | (Q_{GS}) | - | - | 7 | - | nC |
| 柵漏電荷 | (Q_{GD}) | - | - | 4 | - | nC |
| 平臺電壓 | (V_{GP}) | - | - | 3 | - | V |
開關特性
| 參數 | 符號 | 測試條件 | 典型值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 開啟延遲時間 | (t_{d(ON)}) | - | 12.2 | ns |
| 上升時間 | (t_{r}) | (V{GS}=10V)，(V{DS}=50V)，(I{D}=25A)，(R{G}=6.0Omega) | 6.5 | ns |
| 關斷延遲時間 | (t_{d(OFF)}) | - | 45.7 | ns |
| 下降時間 | (t_{f}) | - | 11.5 | ns |
漏源二極管特性
- 正向二極管電壓： (V{SD}) 在 (V{GS}=0V)，(I{S}=25A)，(T{J}=25^{circ}C) 時為0.84 - 1.3V，(T_{J}=125^{circ}C) 時為0.72V。
- 反向恢復時間： (t_{RR}) 為48ns。
- 反向恢復電荷： (Q_{RR}) 為37nC。
- 充電時間： (t_{a}) 為22ns。
- 放電時間： (t_{b}) 為26ns。
典型特性
文檔中還給出了多個典型特性圖，包括導通區域特性、傳輸特性、導通電阻與柵源電壓關系、導通電阻與漏極電流和柵極電壓關系、導通電阻隨溫度變化、漏源泄漏電流與電壓關系、電容變化、柵源電壓與總電荷關系、電阻性開關時間隨柵極電阻變化、二極管正向電壓與電流關系、最大額定正向偏置安全工作區、最大漏極電流與雪崩時間關系以及瞬態熱阻抗等。這些特性圖可以幫助工程師更好地了解器件在不同條件下的性能表現，從而優化設計。
訂購信息
該產品型號為NVMYS007N10MCLTWG，標記為007N10MCL，采用LFPAK4封裝（無鉛），以3000個/卷帶盤的形式發貨。如需了解卷帶盤規格，可參考相關手冊。
封裝尺寸
文檔提供了詳細的封裝尺寸信息，同時對尺寸標注和公差等進行了說明。在進行PCB設計時，工程師需要嚴格按照這些尺寸要求進行布局，以確保器件的正確安裝和使用。
總的來說，安森美NVMYS007N10MCL是一款性能出色的N溝道MOSFET，具有低損耗、緊湊設計等優點，適用于多種電子應用場景。在實際設計中，工程師們可以根據具體需求，結合器件的各項特性進行合理選擇和優化。大家在使用這款器件時，有沒有遇到過什么問題或者有什么獨特的應用經驗呢？歡迎在評論區分享。
-
安森美
+關注
關注
33文章
1989瀏覽量
95733 -
低損耗
+關注
關注
0文章
19瀏覽量
3422
發布評論請先 登錄
工商網監
評論