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12位A/D轉(zhuǎn)換器AD1671的技術(shù)解析與應(yīng)用指南

h1654155282.3538 ? 2026-04-01 15:45 ? 次閱讀
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12位A/D轉(zhuǎn)換器AD1671的技術(shù)解析與應(yīng)用指南

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,A/D轉(zhuǎn)換器是連接模擬世界和數(shù)字世界的關(guān)鍵橋梁。今天,我們將深入探討Analog Devices公司的12位A/D轉(zhuǎn)換器AD1671,詳細(xì)解析其規(guī)格、性能參數(shù)以及測(cè)試要求。

文件下載:AD1671S.pdf

一、產(chǎn)品概述

AD1671是一款空間級(jí)的12位A/D轉(zhuǎn)換器,本規(guī)格書(shū)詳細(xì)記錄了基于Analog Devices公司QML認(rèn)證生產(chǎn)線制造的空間合格產(chǎn)品的詳細(xì)要求,除本文另有修改外,均符合MIL - PRF - 38535 Level V標(biāo)準(zhǔn)。該產(chǎn)品的商業(yè)級(jí)版本在www.analog.com/AD1671上有更詳細(xì)的操作說(shuō)明和完整的數(shù)據(jù)手冊(cè)。

二、產(chǎn)品型號(hào)與封裝

2.1 型號(hào)

AD1671有不同的型號(hào),如AD1671 - 703D、AD1671 - 703F和AD1671 - 713F,均為12位A/D轉(zhuǎn)換器,其中AD1671 - 713F經(jīng)過(guò)輻射測(cè)試。

2.2 封裝

  • D封裝:CDIP2 - T28,28引腳側(cè)邊釬焊雙列直插封裝(.6")。
  • F封裝:CDFP3 - F28,28引腳底部釬焊扁平封裝。

三、絕對(duì)最大額定值與熱特性

3.1 絕對(duì)最大額定值

在環(huán)境溫度(T_{A}=25^{circ}C)(除非另有說(shuō)明)的條件下,AD1671的各項(xiàng)絕對(duì)最大額定值如下:

  • 電源電壓:VCC到ACOM為 - 0.5V至 + 6.5V;VEE到ACOM為 - 6.5V至 + 0.5V;VLOGIC到DCOM為 - 0.5V至 + 6.5V等。
  • 輸入電壓AIN到ACOM為 - 11V至 + 11V。
  • 功耗:最大1000mW。
  • 溫度范圍:工作溫度范圍為 - 55°C至 + 125°C;存儲(chǔ)溫度范圍為 - 65°C至 + 150°C;引腳焊接溫度(60秒)為 + 300°C;結(jié)溫(TJ)為 + 150°C。

3.2 熱特性

  • D封裝:結(jié)到殼熱阻(Theta{JC}=28^{circ}C/W) Max,結(jié)到環(huán)境熱阻(Theta{JA}=60^{circ}C/W) Max。
  • F封裝:結(jié)到殼熱阻(Theta{JC}=22^{circ}C/W) Max,結(jié)到環(huán)境熱阻(Theta{JA}=60^{circ}C/W) Max。

四、電氣參數(shù)

4.1 主要電氣參數(shù)

參數(shù) 符號(hào) 條件 子組 最小值 最大值 單位
分辨率 RES 1, 2, 3 12 Bits - -
積分非線性 INL 所有代碼直方圖,2, 3 - 3 3 LSB
差分非線性 + DNL - DNL 所有代碼直方圖,1, 2, 3 0 - 1 2 LSB
單極性偏移誤差 VOSE 2.5V, 5V量程,1 - 9 9 LSB
單極性偏移漂移 TCVOS 2.5V, 5V量程,(T_{A} = - 55^{circ}C, + 125^{circ}C),2,3 ±20 ppm/°C -
增益誤差 AE 單極性和雙極性,1 0.37 %FSR -
增益漂移 TCA 單極性和雙極性,(T_{A} = - 55^{circ}C, + 125^{circ}C),2,3 ±40 ppm/°C -
雙極性零誤差 BPOE 2.5V, 5V量程,1 - 10 10 LSB
雙極性零漂移 TCBPO 2.5V, 5V量程,(T_{A} = - 55^{circ}C, + 125^{circ}C),2,3 ±30 ppm/°C -
模擬輸入范圍 VIN 單極性,(R_{in}=10MΩ),3/ 1,2,3 2.5 V -
參考電壓 VRO 單極性和雙極性,2/ 2.475 2.525 V
參考漂移 TCVRO 單極性和雙極性,(T_{A} = - 55^{circ}C, + 125^{circ}C),2,3 ±30 ppm/°C -
參考電流 IREF 單極性模式,2/ 2.5 mA -
功耗 PD (V{S} = ±5.25V),(V{LOGIC} = + 5.5V),1,2,3 750 mW -
電源電流 ICC 靜態(tài)條件下測(cè)試,1,2,3 75 mA -
信號(hào)與噪聲加失真比 SINAD (f{IN} = 100KHz),(f{S} = 1MHz), - 0.5dB輸入,4,5,6 68 dB -
有效位數(shù) ENOB - 4,5,6 11 Bits -
總諧波失真 THD - 4,5,6 - 73 dB -
峰值雜散分量 PS - 4,5,6 - 75 - -
互調(diào)失真 Σ2nd 2階產(chǎn)物,4,5,6 - 75 - -
采樣率轉(zhuǎn)換時(shí)間 TCONV - 9,10,11 800 ns -

4.2 參考電壓說(shuō)明

AD1671內(nèi)置 + 2.5V參考電壓。參考輸入引腳(REF IN)可連接到參考輸出引腳(REF OUT),也可選擇標(biāo)準(zhǔn)外部 + 2.5V參考電壓以滿足特定系統(tǒng)要求。為防止AD1671的內(nèi)置參考在未連接到REF IN時(shí)振蕩,REF OUT必須連接到 + 5V。

五、時(shí)序參數(shù)

5.1 編碼脈沖

  • 編碼高電平寬度(短編碼):(t_{ENC}),20 - 50ns。
  • 編碼低電平寬度(長(zhǎng)編碼):(t_{ENCL}),20ns。

    5.2 數(shù)據(jù)有效脈沖

  • DAV脈沖寬度:(t_{DAV}),150 - 300ns。

    5.3 延遲參數(shù)

  • 編碼下降沿延遲:(t_{F}),0ns。
  • 開(kāi)始新轉(zhuǎn)換延遲:(t_{R}),0ns。
  • DAV下降沿?cái)?shù)據(jù)和QTR延遲:(t_{DD}),20ns。
  • DAV上升沿?cái)?shù)據(jù)和OTR延遲:(t_{SS}),20ns。

六、電氣測(cè)試要求

6.1 測(cè)試要求分組

根據(jù)MILPRF - 38535的表III,測(cè)試要求分為不同的子組,包括臨時(shí)電氣參數(shù)、最終電氣參數(shù)等,不同的測(cè)試組對(duì)應(yīng)不同的參數(shù)測(cè)試。

6.2 壽命測(cè)試/老化測(cè)試增量限制

測(cè)試項(xiàng)目 老化測(cè)試端點(diǎn) 壽命測(cè)試端點(diǎn) 增量 單位
ICC 75 75 ±7.5 mA max
VOH 2.4 2.4 ±0.24 V min
VOL 0.4 0.4 ±0.1 V max

七、壽命測(cè)試/老化測(cè)試電路

  • HTRB不適用于本產(chǎn)品。
  • 老化測(cè)試按照MIL - STD - 883方法1015,測(cè)試條件B進(jìn)行。
  • 穩(wěn)態(tài)壽命測(cè)試按照MIL - STD - 883方法1005,測(cè)試條件B進(jìn)行。

八、規(guī)格書(shū)修訂歷史

規(guī)格書(shū)有多次修訂,每次修訂都對(duì)產(chǎn)品的參數(shù)、測(cè)試要求或說(shuō)明進(jìn)行了更新,如更改參數(shù)的子組、添加新的參數(shù)說(shuō)明等。

在實(shí)際設(shè)計(jì)中,工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)景,綜合考慮AD1671的各項(xiàng)參數(shù),如分辨率、線性度、功耗等,以確保設(shè)計(jì)的系統(tǒng)能夠滿足性能要求。同時(shí),嚴(yán)格按照測(cè)試要求進(jìn)行測(cè)試,保證產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。大家在使用AD1671的過(guò)程中,有沒(méi)有遇到過(guò)一些特殊的問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。

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