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LTC2158 - 12:高性能雙路12位310Msps ADC的深度剖析

h1654155282.3538 ? 2026-03-31 14:35 ? 次閱讀
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LTC2158 - 12:高性能雙路12位310Msps ADC的深度剖析

在當(dāng)今高速發(fā)展的電子領(lǐng)域,高性能模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC)的需求愈發(fā)迫切。今天,我們就來深入探討一款備受關(guān)注的ADC產(chǎn)品——LINEAR TECHNOLOGY的LTC2158 - 12。

文件下載:LTC2158-12.pdf

一、產(chǎn)品概述

LTC2158 - 12是一款雙路12位、310Msps的A/D轉(zhuǎn)換器,專為高頻、寬動態(tài)范圍信號的數(shù)字化而設(shè)計。它采用單1.8V電源供電,具備諸多出色特性,特別適用于通信、醫(yī)療成像、高清視頻、測試與測量儀器等領(lǐng)域。

(一)關(guān)鍵特性

  1. 出色的AC性能:擁有67.6dBFS的信噪比(SNR)和88dB的無雜散動態(tài)范圍(SFDR),能夠有效處理高頻信號,減少噪聲和雜散干擾,為系統(tǒng)提供高質(zhì)量的數(shù)字化輸出。
  2. 低功耗設(shè)計:總功耗僅為688mW,在保證高性能的同時,降低了系統(tǒng)的能耗,延長了設(shè)備的續(xù)航時間,尤其適用于對功耗敏感的應(yīng)用場景。
  3. DDR LVDS輸出:采用雙倍數(shù)據(jù)速率低壓差分信號(DDR LVDS)輸出,提高了數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣群涂煽啃裕軌驖M足高速數(shù)據(jù)處理的需求。
  4. 寬輸入范圍與帶寬:輸入范圍為1.32VP - P,全功率帶寬達(dá)到1.25GHz,允許ADC對高頻信號進行欠采樣,并且保持良好的性能。
  5. 靈活的配置選項:具備可選的時鐘占空比穩(wěn)定器,可在寬范圍的時鐘占空比下保持高性能;支持低功耗睡眠和打盹模式,進一步降低功耗;通過串行SPI端口進行配置,方便用戶根據(jù)不同的應(yīng)用需求進行個性化設(shè)置。
  6. 引腳兼容的14位版本:提供引腳兼容的14位版本,方便用戶在需要更高分辨率時進行升級,提高了產(chǎn)品的通用性和可擴展性。
  7. 小巧的封裝形式:采用64引腳(9mm × 9mm)QFN封裝,體積小巧,節(jié)省了電路板空間,適合對空間要求較高的設(shè)計。

(二)典型應(yīng)用

  1. 通信領(lǐng)域:在蜂窩基站和軟件定義無線電中,LTC2158 - 12能夠準(zhǔn)確地數(shù)字化高頻信號,為通信系統(tǒng)提供穩(wěn)定、可靠的信號處理能力,確保通信質(zhì)量。
  2. 醫(yī)療成像:在醫(yī)療成像設(shè)備中,如CT、MRI等,該ADC可以將模擬的醫(yī)學(xué)信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號,為醫(yī)生提供清晰、準(zhǔn)確的圖像信息,輔助診斷。
  3. 高清視頻:在高清視頻處理中,LTC2158 - 12能夠快速、準(zhǔn)確地采集視頻信號,保證視頻的高質(zhì)量傳輸和處理。
  4. 測試與測量儀器:在測試與測量儀器中,該ADC可以對各種信號進行精確測量和分析,為科研和工業(yè)生產(chǎn)提供可靠的數(shù)據(jù)支持。

二、技術(shù)參數(shù)詳解

(一)轉(zhuǎn)換器特性

  1. 分辨率:具有12位的分辨率,且無丟失碼,能夠提供精確的數(shù)字化輸出。
  2. 線性誤差:積分線性誤差(INL)典型值為±0.6LSB,差分線性誤差(DNL)典型值為±0.1LSB,保證了信號轉(zhuǎn)換的線性度。
  3. 偏移誤差與增益誤差:偏移誤差典型值為±5mV,增益誤差在內(nèi)部參考和外部參考下有不同的表現(xiàn),能夠根據(jù)實際應(yīng)用進行調(diào)整。
  4. 漂移特性:偏移漂移為±20μV/°C,滿量程漂移在內(nèi)部參考下為±30ppm/°C,外部參考下為±10ppm/°C,確保了在不同溫度環(huán)境下的穩(wěn)定性。
  5. 過渡噪聲:過渡噪聲為0.6LSBRMS,有效減少了信號轉(zhuǎn)換過程中的噪聲干擾。

(二)模擬輸入特性

  1. 輸入范圍:模擬輸入范圍為1.32Vp - p,輸入共模電壓(VIN(CM))在差分輸入時,應(yīng)在VCM - 20mV至VCM + 20mV之間,確保輸入信號的穩(wěn)定性。
  2. 外部參考:外部電壓參考(VSENSE)在外部參考模式下,范圍為1.230V至1.270V,可根據(jù)實際需求選擇合適的參考電壓。
  3. 輸入泄漏電流:模擬輸入、PAR/SER輸入和SENSE輸入的泄漏電流均在 - 1μA至1μA之間,減少了輸入信號的損耗。
  4. 采樣保持特性:采樣保持采集延遲時間(tAP)典型值為1ns,采集延遲抖動(tUITTER)典型值為0.15psRMS,保證了采樣的準(zhǔn)確性。
  5. 共模抑制比:模擬輸入共模抑制比(CMRR)典型值為75dB,有效抑制了共模信號的干擾。
  6. 帶寬:全功率帶寬(BW - 3B)為1250MHz,能夠處理高頻信號。

(三)動態(tài)精度特性

  1. 信噪比(SNR):在不同輸入頻率下,SNR表現(xiàn)出色,如15MHz輸入時為67.6dBFS,70MHz輸入時為67.1dBFS,140MHz輸入時為67.0dBFS。
  2. 無雜散動態(tài)范圍(SFDR):在不同輸入頻率和不同諧波下,SFDR均有良好的表現(xiàn),如2nd或3rd諧波在15MHz輸入時為88dBFS,4th及更高諧波在15MHz輸入時為98dBFS。
  3. 信號與噪聲加失真比(S/(N + D)):在不同輸入頻率下,S/(N + D)也能保持較高的水平,如15MHz輸入時為67.1dBFS,70MHz輸入時為67.0dBFS,140MHz輸入時為66.9dBFS。
  4. 通道間串?dāng)_:通道間串?dāng)_在高達(dá)315MHz輸入時為 - 95dB,有效減少了通道間的干擾。

(四)內(nèi)部參考特性

  1. VCM輸出特性:VCM輸出電壓在I OUT = 0時,范圍為0.435 ? VDD - 18mV至0.435 ? VDD + 18mV,輸出溫度漂移為±37ppm/°C,輸出電阻為4Ω。
  2. VREF輸出特性:VREF輸出電壓在I OUT = 0時,范圍為1.225V至1.275V,輸出溫度漂移為±30ppm/°C,輸出電阻為7Ω,線路調(diào)整率為0.6mV/V。

(五)電源要求

  1. 供電電壓:模擬電源電壓(VDD)和輸出電源電壓(OVDD)推薦范圍均為1.74V至1.9V,典型值為1.8V。
  2. 供電電流:模擬供電電流(IVDD)典型值為370mA,數(shù)字供電電流(IOVDD)在LVDS模式下有不同的值,如1.75mA模式下為42mA至50mA,3.5mA模式下為70mA至81mA。
  3. 功耗:功耗(PDISS)在不同LVDS模式下有所不同,如1.75mA LVDS模式下為688mW至738mW,3.5mA LVDS模式下為756mW至812mW。睡眠模式功率(PSLEEP)在時鐘禁用時小于5mW,打盹模式功率(PNAP)在時鐘頻率為fS(MAX)時為190mW。

(六)數(shù)字輸入輸出特性

  1. 編碼輸入(ENC + /ENC - ):差分輸入電壓(VID)為0.2V,共模輸入電壓(VICM)在內(nèi)部設(shè)置時為1.2V,外部設(shè)置時為1.1V至1.5V,輸入電阻(RIN)為10kΩ,輸入電容(CIN)為2pF。
  2. 數(shù)字輸入(CS、SDI、SCK):高電平輸入電壓(VIH)在VDD = 1.8V時為1.3V,低電平輸入電壓(VIL)為0.6V,輸入電流(IIN)在VIN = 0V至3.6V時為 - 10μA至10μA,輸入電容(CIN)為3pF。
  3. SDO輸出:邏輯低輸出電阻(ROL)在VDD = 1.8V、SDO = 0V時為200Ω,邏輯高輸出泄漏電流(IOH)在SDO = 0V至3.6V時為 - 10μA至10μA,輸出電容(COUT)為4pF。
  4. 數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)輸出:差分輸出電壓(VoD)在不同負(fù)載和模式下有不同的值,如100Ω差分負(fù)載、3.5mA模式下為247mV至454mV,100Ω差分負(fù)載、1.75mA模式下為125mV至250mV;共模輸出電壓(Vos)在不同負(fù)載和模式下均為1.125V至1.375V;片上終端電阻(RTERM)在終端啟用、OVpp = 1.8V時為100Ω。

(七)時序特性

  1. 采樣頻率:采樣頻率(fs)范圍為10MHz至310MHz。
  2. ENC信號時序:ENC低時間(t)和高時間(tH)在時鐘占空比穩(wěn)定器開啟和關(guān)閉時有所不同,開啟時典型值為1.2ns至1.6ns,關(guān)閉時典型值為1.5ns至1.6ns。
  3. 數(shù)據(jù)輸出時序:ENC到數(shù)據(jù)延遲(to)典型值為2ns,ENC到CLKOUT延遲(tc)典型值為1.6ns,DATA到CLKOUT偏斜(tSKEW)典型值為0.4ns,流水線延遲為6個時鐘周期。
  4. SPI端口時序:SCK周期(tsCK)在寫模式和讀回模式下分別為40ns和250ns,CS到SCK設(shè)置時間(ts)、SCK到CS保持時間(tH)、SDI設(shè)置時間(tos)和SDI保持時間(tDH)均為5ns,SCK下降沿到SDO有效時間(too)在讀回模式下為125ns。

三、典型性能特性分析

(一)線性度特性

通過積分非線性(INL)和差分非線性(DNL)曲線可以看出,LTC2158 - 12在整個輸出碼范圍內(nèi)具有良好的線性度,INL誤差在 - 2.0LSB至2.0LSB之間,DNL誤差在 - 0.50LSB至0.50LSB之間,保證了信號轉(zhuǎn)換的準(zhǔn)確性。

(二)FFT特性

不同輸入頻率下的32K點FFT曲線展示了LTC2158 - 12在高頻信號處理方面的能力。在不同輸入頻率下,能夠清晰地分辨出信號的頻譜,并且雜散信號的幅度較低,說明該ADC具有良好的抗干擾能力。

(三)SFDR和SNR特性

SFDR和SNR隨輸入電平、輸入頻率的變化曲線表明,LTC2158 - 12在寬范圍的輸入電平、輸入頻率下都能保持較高的SFDR和SNR,為系統(tǒng)提供了穩(wěn)定的性能。

(四)電流特性

IVDD和IOVDD隨采樣率的變化曲線顯示了該ADC在不同采樣率下的電流消耗情況,用戶可以根據(jù)實際需求選擇合適的采樣率,以平衡性能和功耗。

四、引腳功能與應(yīng)用信息

(一)引腳功能

  1. 電源引腳:VDD為1.8V模擬電源,需要通過0.1μF陶瓷電容旁路到地;GND為ADC電源地,暴露焊盤必須焊接到PCB地;OVDD為1.8V輸出驅(qū)動電源,每個引腳需要通過單獨的0.1μF陶瓷電容旁路到地。
  2. 模擬輸入引腳AINA + /AINA - 和AINB + /AINB - 分別為通道A和通道B的差分模擬輸入,輸入信號應(yīng)圍繞VCM輸出引腳設(shè)置的共模電壓進行差分驅(qū)動。
  3. 參考引腳:SENSE為參考編程引腳,可選擇內(nèi)部參考或外部參考;VREF為參考電壓輸出,需要通過2.2μF陶瓷電容旁路到地;VCM為共模偏置輸出,用于偏置模擬輸入的共模電壓,需要通過0.1μF陶瓷電容旁路到地。
  4. 編碼輸入引腳:ENC + 和ENC - 為編碼輸入,轉(zhuǎn)換分別在上升沿和下降沿開始,信號質(zhì)量對A/D噪聲性能有重要影響,應(yīng)避免與數(shù)字走線相鄰。
  5. 數(shù)字輸入輸出引腳:CS、SCK、SDI和SDO構(gòu)成串行接口,用于配置A/D控制寄存器;LVDS輸出引腳包括DA0_1 - /DA0_1 + 至DA10_11 - /DA10_11 + (通道A)、DB0_1 - /DB0_1 + 至DB10_11 - /DB10_11 + (通道B)、OF - /OF + (溢出輸出)和CLKOUT - /CLKOUT + (數(shù)據(jù)輸出時鐘),輸出電流水平可編程,并且有可選的內(nèi)部100Ω終端電阻。

(二)應(yīng)用信息

  1. 轉(zhuǎn)換器操作:LTC2158 - 12采用單1.8V電源供電,模擬輸入必須差分驅(qū)動,編碼輸入差分驅(qū)動可獲得最佳性能,數(shù)字輸出為DDR LVDS。用戶可以通過串行SPI端口對模式控制寄存器進行編程,選擇額外的功能。
  2. 模擬輸入:模擬輸入為差分CMOS采樣保持電路,輸入應(yīng)圍繞VCM輸出的共模電壓進行差分驅(qū)動,輸入范圍為1.32V時,輸入應(yīng)在VCM - 0.33V至VCM + 0.33V之間,且輸入之間應(yīng)有180°的相位差。
  3. 輸入驅(qū)動電路
    • 輸入濾波:在模擬輸入處應(yīng)設(shè)置RC低通濾波器,以隔離驅(qū)動電路與A/D采樣保持開關(guān),減少寬帶噪聲。
    • 變壓器耦合電路:在不同輸入頻率下,可選擇合適的變壓器耦合電路,如5MHz至70MHz推薦使用圖3所示的電路,15MHz至150MHz推薦使用圖4所示的電路,150MHz至900MHz推薦使用圖5所示的電路。
    • 放大器電路:在高頻情況下,可使用高速差分放大器RF增益塊驅(qū)動模擬輸入,若增益塊為單端輸出,則需要通過變壓器電路將信號轉(zhuǎn)換為差分信號。
  4. 參考電路:LTC2158 - 12具有內(nèi)部1.25V電壓參考,對于1.32V輸入范圍,可通過連接SENSE到VDD選擇內(nèi)部參考,或通過向SENSE施加1.25V參考電壓選擇外部參考。
  5. 編碼輸入:編碼輸入的信號質(zhì)量對A/D噪聲性能有重要影響,應(yīng)將其視為模擬信號,避免與數(shù)字走線相鄰。編碼輸入內(nèi)部通過10k等效電阻偏置到1.2V,若驅(qū)動的共模電壓在1.1V至1.5V之間,可直接驅(qū)動;否則需要使用變壓器或耦合電容。
  6. 時鐘占空比穩(wěn)定器:為保證良好的性能,編碼信號應(yīng)具有50%(±5%)的占空比。若啟用可選的時鐘占空比穩(wěn)定器電路,編碼占空比可在30%至70%之間變化,穩(wěn)定器將保持內(nèi)部50%的占空比。在需要快速改變采樣率的應(yīng)用中,可禁用時鐘占空比穩(wěn)定器,但需確保時鐘占空比為50%(±5%)。
  7. 數(shù)字輸出
    • 輸出特性:數(shù)字輸出為DDR LVDS信號,每個差分輸出對復(fù)用兩個數(shù)據(jù)位。通道A和通道B各有六個LVDS輸出對,溢出(OF/OF)和數(shù)據(jù)輸出時鐘(CLKOUT + /CLKOUT - )各有一個LVDS輸出對,且兩個通道的溢出信號復(fù)用在OF + /OF - 輸出對上。
    • 可編程LVDS輸出電流:默認(rèn)輸出驅(qū)動電流為3.5mA,可通過串行編程模式控制寄存器A3調(diào)整,可選電流水平包括1.75mA、2.1mA、2.5mA、3mA、3.5mA、4mA和4.5mA。
    • 可選LVDS驅(qū)動內(nèi)部終端:在大多數(shù)情況下,使用外部100Ω終端電阻可獲得良好的LVDS信號完整性。此外,可通過串行編程模式控制寄存器A3啟用可選的內(nèi)部100Ω終端電阻,以吸收接收器端不完全終端引起的反射。啟用內(nèi)部終端時,輸出驅(qū)動電流將加倍以保持相同的輸出電壓擺幅。
    • 溢出位:溢出輸出位(OF)在模擬輸入超出范圍時輸出邏輯高電平,與數(shù)據(jù)位具有相同的流水線延遲。OF輸出為DDR信號,CLKOUT + 為低電平時,通道A的溢出信號有效;CLKOUT + 為高電平時,通道B的溢出信號有效。
    • 輸出時鐘相移:為確保輸出數(shù)據(jù)鎖存時有足夠的建立和保持時間,CLKOUT + 信號可能需要相對于數(shù)據(jù)輸出位進行相移。大多數(shù)FPGA具有此功能,通常是調(diào)整時序的最佳選擇。此外,也可通過串行編程模式控制寄存器A2對CLKOUT + /CLKOUT - 信號進行相移,相移角度可為0°、45°、90°或135°。使用相移功能時,時鐘占空比穩(wěn)定器必須開啟。另一個控制寄存器位可獨立于相移反轉(zhuǎn)CLKOUT + 和CLKOUT - 的極性,通過這兩個功能的組合可實現(xiàn)45°至315°的相移。
  8. 數(shù)據(jù)格式
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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