SGM3760/SGM3760A:高效雙通道屏幕閃光白光 LED 驅動芯片詳解
在智能手機等設備的設計中,屏幕閃光白光 LED 驅動芯片的性能至關重要。今天我們就來深入了解一下 SGMICRO 推出的 SGM3760/SGM3760A 這兩款 2 通道屏幕閃光白光 LED 驅動芯片。
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一、產品概述
SGM3760 和 SGM3760A 具備高效升壓調節器,內置 40V/3.6A 功率 MOSFET,非常適合由單節鋰離子電池供電的智能手機背光應用,其電源電壓工作范圍為 2.7V 至 5.5V。該芯片的升壓輸出具有自適應電壓調節功能,且壓降足夠低,能夠驅動多達 10S2P 的白光 LED 并實現高效率。在智能手機圖像捕捉時,可將顯示設備作為屏幕閃光模式的光源,當 strobe 信號激活時,每通道能在 32V 下驅動高達 80mA(SGM3760)/60mA(SGM3760A)的電流,持續時間為 330ms。
二、產品特性
(一)電氣性能優越
- 寬輸入電壓范圍:輸入電壓范圍為 2.7V 至 5.5V,能適配多種不同的電源環境。
- 高效集成開關:集成 40V/3.6A 開關,最高效率可達 90%,有助于降低功耗。
- 自適應升壓調節:采用自適應升壓調節器,開關頻率為 1.15MHz,優化了上升時間和下降時間,可有效降低 SW 引腳的 EMI。
(二)靈活的電流控制
- 雙電流沉:在背光模式下,每個通道最多可提供 30mA 電流;在屏幕閃光模式下,SGM3760 可在 330ms 超時內提供 4 倍輸出電流,SGM3760A 則為 3 倍。
- 精準的電流匹配:LED 電流匹配和精度調節可達 1%,確保了 LED 發光的一致性。
(三)低功耗與調光功能
- 低壓降:極低的壓降電壓僅為 150mV,減少了能量損耗。
- PWM 調光接口:支持 PWM 調光接口,在超過 1:500 的 PWM 范圍內調光穩定,并且在輕載時采用 PFM 模式,進一步降低功耗。
(四)完善的保護機制
- 軟啟動:具備自動軟啟動功能,可減少浪涌電流,保護芯片和其他元件。
- 多重保護:包含 41.5V 過壓保護、LED 開路或短路保護以及熱關斷保護等,提高了芯片的可靠性和穩定性。
(五)廣泛的工作溫度范圍
工作溫度范圍為 -40℃ 至 +85℃,適用于多種不同的使用環境。
(六)環保封裝
采用綠色 WLCSP - 1.32×1.32 - 9B 封裝,符合環保要求。
三、應用領域
該芯片主要應用于 PDA、手持計算機以及單節電池輸入的媒體格式 LCD 顯示器背光等領域,為這些設備的屏幕顯示提供了可靠的 LED 驅動解決方案。
四、產品選型與訂購信息
| 型號 | 封裝描述 | 指定溫度范圍 | 訂購編號 | 封裝標記 | 包裝選項 |
|---|---|---|---|---|---|
| SGM3760 | WLCSP - 1.32×1.32 - 9B | -40℃ 至 +85℃ | SGM3760YG/TR | XXXX ME6 | 卷帶包裝,3000 個 |
| SGM3760A | WLCSP - 1.32×1.32 - 9B | -40℃ 至 +85℃ | SGM3760AYG/TR | XXXX C04 | 卷帶包裝,3000 個 |
五、引腳配置與功能
(一)引腳配置
SGM3760/A 采用 WLCSP - 1.32×1.32 - 9B 封裝,其引腳配置如下(頂視圖):
1 2 3
A
ISET IFB1
IFB2
B
GND
PWM COMP
STRB VIN SW
C
(二)引腳功能
| 引腳 | 名稱 | 輸入/輸出 | 功能 |
|---|---|---|---|
| A1 | ISET | 輸入 | 電流設置引腳,通過連接外部電阻到地來設置最大 LED 電流。 |
| A2 | IFB2 | 輸入 | 調節電流沉 2。 |
| A3 | IFB1 | 輸入 | 調節電流沉 1。 |
| B1 | PWM | 輸入 | PWM 調光輸入。 |
| B2 | COMP | 輸出 | 跨導誤差放大器輸出,連接外部電容到地以補償轉換器。 |
| B3 | GND | 輸出 | 接地引腳。 |
| C1 | STRB | 輸入 | 頻閃信號輸入引腳,用于同步閃光脈沖和圖像捕捉,一般由圖像傳感器直接生成該信號。 |
| C2 | VIN | 輸入 | 輸入電源引腳。 |
| C3 | SW | 輸入 | 內部低端 N 溝道 MOSFET 的漏極連接。 |
六、典型應用電路
典型應用電路中,輸入電壓 VBAT 范圍為 2.7V 至 5.5V,使用 10μH 的電感 L 和多個電容進行濾波。通過外部電阻 RISET(63.4kΩ)設置背光模式下的默認白光 LED 電流,在操作過程中,可通過向 PWM 引腳施加 PWM 信號來控制 LED 電流。
(一)背光模式
SGM3760/A 能夠以每通道 30mA 的電流驅動 10S2P 的 LED。
(二)閃光模式
SGM3760 能夠在 330ms 內以每通道 80mA 的電流驅動 8S2P 的 LED;SGM3760A 能夠在 330ms 內以每通道 60mA 的電流驅動 10S2P 的 LED。
七、電氣特性
(一)電源相關特性
輸入電壓范圍為 2.7V 至 5.5V,工作靜態電流在 1.7mA 至 2.1mA 之間(VIN = 3.6V,開關頻率 1.15MHz 且無負載),關斷電流最大為 1μA(PWM = 低)。
(二)信號閾值與時間特性
STRB/PWM 邏輯高電壓閾值為 1.65V,邏輯低電壓閾值為 0.50V。PWM 引腳內部下拉電阻為 900kΩ,STRB 引腳內部下拉電阻為 55kΩ。PWM 邏輯高時間到背光模式為 55ms,STRB 邏輯高時間到閃光模式為 50μs,閃光模式定時器為 330ms。
(三)調節特性
ISET 引腳在背光模式全亮度下的電壓為 1.184V 至 1.256V,背光模式電流乘數為 1050,SGM3760 在閃光模式全亮度下的電流乘數為 4200,SGM3760A 為 3150。電流精度在 ±5% 以內,最大電流與平均電流的偏差不超過 2.5%。
(四)功率開關與振蕩器特性
開關 MOSFET 導通電阻在 VIN = 3.6V 時為 0.18Ω,振蕩器頻率為 950kHz 至 1350kHz,最大占空比為 96%。
(五)保護特性
閃光模式開關 MOSFET 電流限制為 3.6A,背光模式開關 MOSFET 電流限制為 1.35A 至 2.10A,開關 MOSFET 啟動電流限制為 0.6A。SW 引腳過壓閾值為 40.0V 至 43.0V,IFBx 引腳過壓閾值為 4.5V,熱關斷閾值為 150℃,熱關斷遲滯為 15℃。
八、推薦測試電路組件
推薦使用 10μH/CD75NP - 100KC 的電感和 MBR0540 的二極管,以及 1μF/C2012X7R1H105JT 的電容。
九、典型性能特性
文檔中給出了多種典型性能特性曲線,包括開關波形、啟動波形、關斷波形、開路 LED 保護、PWM 調光時的輸出紋波、閃光模式啟動和關斷、閃光模式超時保護、調光瞬態波形以及效率與調光占空比的關系等。通過這些曲線,我們可以直觀地了解芯片在不同工作條件下的性能表現。
十、總結
SGM3760/SGM3760A 是兩款性能出色的 2 通道屏幕閃光白光 LED 驅動芯片,具有高效、靈活、可靠等優點。在設計智能手機等設備的背光和閃光功能時,工程師可以根據具體需求選擇合適的型號,并參考其典型應用電路和電氣特性進行設計,以確保設備的性能和穩定性。大家在實際應用中是否遇到過類似芯片的使用問題呢?歡迎在評論區交流分享。
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