詳解SGM61132A:4.5V - 17V輸入、3A輸出同步降壓轉換器
在電子設計領域,電源管理芯片是不可或缺的關鍵組件。今天我們要深入探討的SGM61132A,是一款性能出色的同步降壓轉換器,它在眾多應用場景中展現出了卓越的性能。
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一、產品概述
SGM61132A是一款采用自適應恒定導通時間控制(ACOT)技術的同步降壓轉換器,其輸入電壓范圍寬廣,為4.5V至17V,輸出電流能力可達3A,并且以偽固定頻率運行。它集成了功率開關和內部補償電路,采用小巧的6引腳封裝,支持低等效串聯電阻(ESR)輸出電容器,還具備1ms的軟啟動斜坡,可有效減小浪涌電流。此外,該芯片還擁有一系列保護功能,如逐周期電流限制、打嗝模式短路保護和熱關斷等,在輕載運行時還能進入脈沖跳躍模式以提高效率。
二、主要特性
2.1 電壓范圍
- 輸入電壓:支持4.5V至17V的寬輸入電壓范圍,能適應多種電源環境。
- 輸出電壓:輸出電壓范圍為0.806V至7V,可滿足不同負載的需求。
2.2 輸出能力
- 連續輸出電流:具備3A的連續輸出電流能力,能為負載提供穩定的電源。
2.3 內部集成
- 功率MOSFET:集成了56mΩ/35mΩ的功率MOSFET,可降低導通損耗。
2.4 低功耗
- 關斷電流:典型關斷電流僅為1μA,有效降低了功耗。
2.5 軟啟動
- 內部軟啟動時間:1ms的內部軟啟動時間,可避免啟動時的浪涌電流。
2.6 頻率特性
- 開關頻率:偽固定500kHz的開關頻率,有助于減少電磁干擾。
2.7 控制模式
- 自適應恒定導通時間模式控制:能根據輸入和輸出電壓動態調整導通時間,實現相對恒定的頻率。
- 脈沖跳躍模式:輕載時進入脈沖跳躍模式,提高效率。
2.8 保護功能
- 逐周期過流限制:可防止輸出電流過大。
- 熱關斷自動恢復:當芯片溫度過高時自動關斷,溫度降低后自動恢復。
2.9 封裝形式
- 綠色SOT - 563 - 6封裝:符合環保要求,且體積小巧。
三、應用領域
SGM61132A的應用范圍廣泛,包括但不限于以下領域:
- 12V分布式電源總線:為分布式電源系統提供穩定的降壓轉換。
- 工業和消費應用:如工業自動化設備、消費電子產品等。
- 白色家電:為家電設備提供可靠的電源。
- 監控系統:保障監控設備的穩定運行。
- 機頂盒:滿足機頂盒對電源的需求。
- 通用負載點:適用于各種需要降壓轉換的負載點。
四、引腳配置與功能
4.1 引腳配置
| SGM61132A采用SOT - 563 - 6封裝,其引腳配置如下: | 引腳編號 | 引腳名稱 | 引腳類型 | 功能描述 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | VIN | P | 電源輸入引腳,連接4.5V至17V的電源,需用高頻、低ESR陶瓷電容就近接地去耦。 | |
| 2 | SW | P | 開關節點,連接內部轉換器上下功率MOSFET,連接輸出電感和自舉電容。 | |
| 3 | GND | G | 設備接地參考引腳。 | |
| 4 | BOOT | P | 自舉引腳,為高端驅動器提供自舉電源,需在BOOT和SW引腳間連接0.1μF陶瓷電容。 | |
| 5 | EN | I | 高電平使能輸入引腳,拉高至邏輯高電壓(不高于17V)使能設備,拉低則禁用。可通過電阻分壓器從VIN編程輸入欠壓鎖定(UVLO)電平。 | |
| 6 | FB | I | 反饋引腳,用于設置輸出電壓,需連接輸出反饋電阻分壓器。 |
4.2 引腳功能詳解
- VIN引腳:作為電源輸入,其去耦電容的選擇至關重要。建議使用X5R或更高等級的陶瓷電容,以確保電源的穩定性。
- SW引腳:是開關節點,連接著內部的功率MOSFET,與輸出電感和自舉電容相連,其連接的穩定性直接影響轉換器的性能。
- BOOT引腳:通過自舉電容為高端驅動器提供電源,自舉電容的選擇要考慮其溫度和電壓穩定性,推薦使用X5R或X7R陶瓷電容。
- EN引腳:用于控制芯片的啟用和禁用,可根據系統需求進行靈活配置。
- FB引腳:通過連接反饋電阻分壓器來設置輸出電壓,電阻的精度和熱穩定性會影響輸出電壓的準確性。
五、電氣特性
5.1 電源電流
- 非開關狀態下的工作電源電流:典型值為340μA,最大值為550μA。
- 關斷電源電流:典型值為1μA,最大值為3.6μA。
5.2 邏輯閾值
- EN引腳高電平輸入電壓:典型值為1.2V,最大值為1.3V。
- EN引腳低電平輸入電壓:典型值為1.05V,最小值為0.9V。
- EN引腳到地的電阻:典型值為1.2MΩ。
5.3 參考電壓
- 參考電壓:在25℃時,典型值為806mV,最小值為788mV,最大值為826mV;在 - 40℃至 + 125℃范圍內,最小值為786mV,最大值為828mV。
5.4 MOSFET特性
- 高端開關導通電阻:典型值為56mΩ。
- 低端開關導通電阻:典型值為35mΩ。
5.5 電流限制
- 低端電流限制:在輸出電壓為3.3V、電感為3.3μH、溫度為25℃時,最小值為2.6A,典型值為4.2A,最大值為5.9A。
5.6 熱關斷
- 熱關斷閾值:典型值為160℃。
- 熱關斷遲滯:典型值為30℃。
5.7 導通時間控制
- 最小關斷時間:典型值為300ns。
5.8 軟啟動
- 軟啟動時間:典型值為1.0ms。
5.9 頻率
- 開關頻率:典型值為500kHz。
5.10 輸出欠壓
- 輸出欠壓保護(UVP)閾值:為參考電壓的60%。
- 打嗝延遲:典型值為24μs。
- 重啟前的打嗝時間:典型值為15ms。
5.11 UVLO
- UVLO閾值:上升時典型值為4.0V,最大值為4.4V;下降時最小值為3.2V,典型值為3.6V。
- UVLO閾值遲滯:典型值為0.4V。
六、典型性能特性
6.1 溫度特性
- 關斷電源電流與溫度的關系:隨著溫度的升高,關斷電源電流會有一定的變化。
- 非開關靜態電流與溫度的關系:非開關靜態電流也會受溫度影響。
- 高低端MOSFET導通電阻與溫度的關系:導通電阻會隨溫度升高而增大。
- 參考電壓與溫度的關系:參考電壓在不同溫度下會有微小波動。
- UVLO閾值與溫度的關系:UVLO閾值也會隨溫度變化。
6.2 效率特性
- 效率與輸出電流的關系:在不同的輸入電壓和輸出電壓條件下,效率會隨著輸出電流的變化而變化。
6.3 調節特性
- 線性調節:在不同的輸出電流和輸入電壓下,線性調節率會有所不同。
- 負載調節:負載調節率也會受到輸出電流和輸入電壓的影響。
6.4 頻率特性
- 開關頻率與輸入電壓的關系:開關頻率在一定范圍內相對穩定,但也會受輸入電壓的影響。
- 開關頻率與輸出電流的關系:輸出電流的變化也會對開關頻率產生一定的影響。
6.5 其他特性
- 輸出電壓紋波:輸出電壓紋波會受到多種因素的影響,如電感、電容等。
- 啟動和關斷特性:包括VIN啟動、EN啟動、VIN關斷、EN關斷等特性。
- 負載瞬態特性:在負載變化時,輸出電壓會有一定的波動。
- 短路特性:包括短路進入和短路恢復特性。
七、詳細工作原理
7.1 自適應恒定導通時間控制(ACOT)
與傳統的電壓模式控制(VMC)或電流模式控制(CMC)不同,ACOT控制是一種無時鐘信號的滯回模式控制。當內部比較器檢測到輸出電壓低于期望輸出電壓時,每個開關周期以相對恒定的導通時間脈沖開始。輸出電壓通過反饋(FB)引腳經輸出電阻分壓器進行檢測,并與內部參考電壓(VREF)通過低增益誤差放大器進行比較。當反饋電壓(VFB)低于放大器輸出時,比較器觸發導通時間控制邏輯,使高端開關導通。ACOT控制能夠根據輸入電壓和輸出電壓動態調整導通時間,從而在穩態運行時實現相對恒定的頻率,減少系統中某些敏感頻段的電磁干擾。
7.2 使能功能
EN引腳的電壓用于精確控制SGM61132A的啟用和禁用。當EN引腳電壓超過1.2V且VIN超過其UVLO閾值時,設備啟用;當EN電壓被外部拉低或VIN引腳電壓低于其UVLO閾值時,設備禁用。EN引腳不能懸空,若VIN不高于17V,可將其連接到VIN以啟用設備。
7.3 自舉電壓(BOOT)
為了給高端開關柵極驅動器供電,需要一個高于VIN的電壓。通過在SW和BOOT引腳之間使用0.1μF的自舉電容和內部自舉二極管,采用自舉技術從開關節點提供該電壓。該電壓在內部進行調節,以驅動高端開關。建議使用X5R或X7R陶瓷電容作為CBOOT,以確保電容在溫度和電壓變化時的穩定性。
7.4 輸出電壓編程
輸出電壓通過連接在VOUT和GND之間并連接到FB引腳的電阻分壓器進行設置。為了獲得準確且熱穩定的輸出電壓,建議使用1%或更高質量、低熱容差的電阻。可使用公式 (V{OUT }=V{FB} timesleft[frac{R{FB 1}}{R{FB 2}}+1right]) 計算輸出電壓。需要注意的是,較低的分壓器電阻值會增加損耗并降低輕載效率,可考慮使用較大的電阻來提高輕載效率,底部電阻(RFB2)可從10kΩ開始選擇。同時,如果RFB1過高(> 1MΩ),FB引腳的泄漏電流和其他噪聲可能會影響調節器的準確性和性能。
7.5 內部電壓參考和軟啟動
SGM61132A具有0.806V的內部參考電壓(VREF),用于將輸出編程到所需水平。當轉換器啟動(或啟用)時,內部斜坡電壓從接近0V開始上升,在1ms內略高于0.806V。VREF和該斜坡中的較低值用作誤差放大器的參考。因此,該斜坡在啟動期間為輸出提供軟啟動,避免了因輸出電容和負載上輸出電壓快速增加而導致的高浪涌電流。
7.6 脈沖跳躍模式操作
當SGM61132A在輕載下以不連續導通模式(DCM)運行時,它會進入脈沖跳躍模式,在此模式下內部功耗顯著降低。此外,工作頻率會根據負載開始下降。當電感電流(IL)過零時,通過零交叉檢測器進行監測,當IL過零且VFB > VREF_EA時,高端和低端MOSFET均關斷,直到VFB低于VREF_EA并觸發新的導通時間脈沖。在關斷期間,所有非必要電路關閉以最小化損耗,負載由輸出電容存儲的能量供電。當新的導通脈沖觸發時,控制電路喚醒。
7.7 過流和短路保護
SGM61132A支持過載模式。當系統上電期間輸出電流持續過載時,SGM61132A輸出最大功率,并限制低端FET開關的最大谷值電流。設備保持逐周期限制以滿足系統的功率需求。直到設備發熱并進入熱關斷狀態,設備才會關閉。隨著負載持續增加,輸出電壓降低。如果軟啟動完成且FB電壓降至VREF的60%,則激活打嗝電流保護模式。在打嗝模式下,調節器關閉并通常保持15ms后,SGM61132A嘗試再次啟動。如果過流或短路故障條件仍然存在,打嗝模式將重復,直到故障條件消除。打嗝模式有助于減少功耗,防止設備過熱和潛在損壞。
7.8 熱關斷
如果結溫超過 + 160℃(典型值),設備將被迫停止開關。當TJ降至恢復閾值以下時,設備將自動恢復。
八、應用設計
8.1 參考設計
以一個將4.5V至17V電源電壓轉換為3.3V輸出電壓的應用為例,其參考設計電路如圖所示。僅需幾個外部組件即可在寬輸入電壓范圍內提供恒定的輸出電壓。
8.2 組件選擇
8.2.1 輸入電容選擇
SGM61132A的輸入去耦必須使用高質量的陶瓷電容(X5R或X7R或更好的介電等級)。VIN輸入至少需要3μF的有效電容(降額后)。在某些應用中,當SGM61132A距離輸入源超過5cm時,可能還需要額外的大容量電容。VIN電容的紋波電流額定值必須大于最大輸入電流紋波。輸入電流紋波可使用公式 (I_{CNNRMS }=I{OUT } × sqrt{frac{V{OUT }}{V{IN }} × frac{left(V{IN }-V{OUT }right)}{V{IN }}}=I{OUT } × sqrt{D times(1-D)}) 計算,在50%占空比時達到最大值。對于本設計,需要至少25V電壓額定值的陶瓷電容來支持最大輸入電壓,因此選擇兩個10μF/25V電容用于VIN,以覆蓋所有直流偏置、熱和老化降額。輸入電容決定了調節器的輸入電壓紋波,可使用公式 (Delta V{IN}=frac{I{OUT } × D times(1-D)}{C{IN} × f{S N}}) 計算。此外,建議在VIN和GND引腳旁邊放置一個額外的0.1μF陶瓷電容,用于高頻濾波。
8.2.2 電感選擇
傳統上使用公式 (L=frac{V_{INMAX }-V{OUT }}{I{OUT } × K{IND }} × frac{V{OUT }}{V{INMAX } × f{SW }}) 計算降壓轉換器的輸出電感。電感電流紋波(?IL)與最大輸出電流(IOUT)的比值用KIND因子(?IL / IOUT)表示。電感紋波電流由輸出電容旁路和濾波,電感直流電流傳遞到輸出。電感紋波的選擇需要考慮多個因素,峰值電感電流(IOUT + ?IL / 2)在最壞情況下必須與電感的飽和電流有安全裕度,特別是選擇硬飽和磁芯類型的電感(如鐵氧體)時。紋波電流也會影響輸出電容的選擇,Cout的RMS電流額定值必須高于電感的RMS紋波。通常選擇40%的紋波(KIND = 0.4)。在本示例中,計算得到的電感值為4.43μH,為了緊湊應用場景,選擇3.3μH的電感。電感的紋波、RMS和峰值電流計算分別總結在公式 (Delta I{L}=frac{V{INMAX }-V{OUT }}{L} × frac{V{OUT }}{V{INMAX } × f{SW }})、 (L{-} RMS =sqrt{L{OUT }^{2}+frac{Delta l{L}^{2}}{12}}) 和 (I{L{-} PEAK }=I{OUT }+frac{Delta I_{L}}{2}) 中。需要注意的是,在啟動、負載瞬態或故障條件下,峰值電感電流可能會超過計算值,因此選擇電感的飽和電流應高于開關電流限制。
8.2.3 輸出電容選擇
輸出電容和電感對PWM開關電壓的交流部分進行濾波,并在期望的輸出直流電壓上疊加可接受水平的輸出電壓紋
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