2026年3月13日,在博格華納舉辦的PDS 2026年全球供應商大會上,士蘭微電子憑借其在車規級半導體產品的技術、質量、交付等方面的卓越貢獻,榮獲大會頒發的“合作貢獻獎”。這既是對士蘭微產品性能的高度認可,更是對雙方深度協同、共同規劃未來發展戰略的有力期許。
作為新能源汽車“新三電”系統的核心,高性能功率IGBT決定了整車的能效與性能上限。士蘭微電子為博格華納多款被定點的新能源車型提供了關鍵動力支持,這些大功率車規級IGBT芯片主要應用于新能源汽車的主電機控制器等核心場景,其性能直接關系到車輛的加速性能、續航里程及系統可靠性。
在新能源汽車產業加速向“技術驅動”轉型的背景下,核心零部件的自主可控成為行業發展的關鍵議題。士蘭微電子作為國內少數實現車規級IGBT、SiC芯片全產業鏈自主可控的企業之一,其產業能力覆蓋了從設計、制造到封測的完整環節。這種全產業鏈布局不僅保障了產品的一致性和高品質交付,也為新能源汽車產業用戶們構建了一條韌性可靠、自主安全的供應鏈體系。
未來,士蘭微電子將繼續與車企、TIE1廠商加強戰略協作,建立更緊密、更具韌性和面向未來的合作關系;為客戶提供更前瞻的半導體技術支撐和更可靠的產能保障,助力國產汽車產業實現高端電動車型的全球化布局,持續推動新能源汽車產業的高質量發展。
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原文標題:喜報 | 士蘭微電子榮獲博格華納“合作貢獻獎”
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