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合科泰貼片橋堆系列助力100W PD快充整流橋設計

合科泰半導體 ? 來源:合科泰半導體 ? 2026-03-16 16:12 ? 次閱讀
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前言

在當今科技發(fā)展的浪潮中,USB PD快充技術正不斷突破創(chuàng)新,其功率持續(xù)向100W以上邁進。隨著快充功率的升級,適配器的功率密度也在不斷提升,這使得適配器內(nèi)部的空間變得愈發(fā)緊湊。整流橋作為交流輸入的首要功率器件,在這樣的環(huán)境下,如何平衡其發(fā)熱問題與電磁干擾,成為了設計過程中亟待解決的關鍵挑戰(zhàn)。

傳統(tǒng)的插件式橋堆存在著明顯的弊端,它占用的電路板面積較大,而且散熱性能也十分有限,難以契合當下高密度設計的實際需求。本文將從整流橋在快充中的功能展開,以合科泰的整流橋為例深入探討。

整流橋在快充中的功能分析

在現(xiàn)代PD快充適配器的設計中,通常會采用兩級架構(gòu)。當交流輸入電流進入適配器后,首先會經(jīng)過電磁干擾濾波器,這個濾波器能夠有效過濾掉外界的電磁干擾,保證后續(xù)電路的穩(wěn)定運行。經(jīng)過濾波器處理后的交流電流,會進入整流橋,整流橋會將交流電流轉(zhuǎn)換為脈動直流電流,為后續(xù)的功率因數(shù)校正電路提供合適的輸入。

整流橋在整個快充過程中承受著多方面的工作壓力:

電壓壓力:在實際的使用場景中,輸入電壓最高可達到264V交流。經(jīng)過整流橋的轉(zhuǎn)換后,峰值電壓大約會達到373V。考慮到電網(wǎng)可能存在的波動以及瞬間產(chǎn)生的尖峰電壓,為了確保整流橋的穩(wěn)定運行,在選擇器件時,需要選用耐壓值在600V以上的器件,這樣才能留出足夠的安全余量,避免因電壓過高而對整流橋造成損壞。

電流壓力:整流橋的平均輸入電流主要取決于適配器的輸出功率和效率。但需要特別注意的是,在電容充電的過程中,整流橋需要承受浪涌電流。這種浪涌電流通常是平均電流的3至5倍。這就對整流橋的電流承載能力提出了很高的要求,需要其能夠在短時間內(nèi)承受較大的電流沖擊,而不發(fā)生損壞。

發(fā)熱損耗:整流橋的發(fā)熱損耗主要是由導通損耗構(gòu)成的。當電流流經(jīng)整流橋內(nèi)部的二極管時,由于二極管存在一定的電阻,根據(jù)焦耳定律,電流通過電阻時會產(chǎn)生熱量。這些熱量如果不能及時散發(fā)出去,會導致整流橋的溫度升高,進而影響其性能和壽命。

開關壓力:盡管整流橋是工作在工頻頻率下,但在二極管的關斷過程中,會產(chǎn)生高頻振蕩。這種高頻振蕩會對電磁干擾表現(xiàn)產(chǎn)生影響,可能會干擾周圍其他電子設備的正常運行,同時也可能會導致整流橋自身的電磁兼容性變差。因此,在設計整流橋時,需要采取有效的措施來抑制這種高頻振蕩,以降低電磁干擾。

合科泰整流橋的關鍵特性

合科泰精心打造并提供了一套完整的整流橋產(chǎn)品系列,這些產(chǎn)品專門針對快充應用進行了深度優(yōu)化,展現(xiàn)出諸多卓越特性:

低正向壓降:合科泰整流橋采用了經(jīng)過精心設計與優(yōu)化的芯片結(jié)構(gòu)。相較于行業(yè)平均水平,其正向壓降降低了5%至8%。這一優(yōu)勢能夠顯著減少整流橋在導通狀態(tài)下所產(chǎn)生的發(fā)熱損耗。較低的正向壓降意味著在電流通過整流橋時,電能轉(zhuǎn)化為熱能的比例大幅降低,從而提高了整流橋的工作效率,同時也減少了因發(fā)熱可能帶來的性能衰減和安全隱患。

散熱特性優(yōu)化:合科泰整流橋采用了貼片封裝技術。這種封裝方式通過直接與電路板銅箔焊接,極大地提升了散熱性能。衡量芯片向周圍環(huán)境散熱能力的熱阻參數(shù)可低至35℃每瓦,這一數(shù)值遠優(yōu)于傳統(tǒng)的插件封裝。較低的熱阻意味著芯片產(chǎn)生的熱量能夠更快速、高效地散發(fā)到周圍環(huán)境中,有效避免了因熱量積聚而導致的溫度過高問題,進一步保障了整流橋的穩(wěn)定運行。

高可靠性:合科泰對旗下所有整流橋器件都進行了嚴格的高溫反偏測試。通過這一測試,能夠確保整流橋在長期工作過程中的穩(wěn)定性。在高溫反偏的惡劣條件下,整流橋依然能夠保持良好的性能,不會出現(xiàn)因溫度和電壓變化而導致的性能下降或故障,為快充設備的穩(wěn)定運行提供了堅實的保障。

封裝選型與電路板布局優(yōu)化

從傳統(tǒng)的插件封裝向貼片封裝(例如SOP-4)轉(zhuǎn)變,具有顯著優(yōu)勢。占板面積能夠大幅減少75%,與此同時,熱阻降低約30%。這一轉(zhuǎn)變?yōu)槠渌β势骷尫懦龈嗟目臻g,有助于提升電路板的整體集成度。

針對不同的功率等級需求,合科泰精心提供了諸如SOP-4和SMBF等貼片封裝選項。其中,SOP-4封裝適用于65W級的快充設計,而SMBF封裝則更契合100W級快充設計,為不同功率的快充應用提供了精準適配的解決方案。

總結(jié)

在高功率密度PD快充適配器的設計領域,整流橋的設計至關重要,需進行系統(tǒng)化考量,力求在效率、熱管理與電磁干擾抑制之間達成精妙平衡。合科泰貼片橋堆系列憑借其顯著優(yōu)勢脫穎而出。該系列具備低正向壓降、低熱阻以及高可靠性等突出特點。當它與合理的電路板布局、科學的散熱設計以及有效的吸收電路相結(jié)合時,能夠卓有成效地應對100W級快充所帶來的工程挑戰(zhàn)。

公司介紹

合科泰成立于1992年,是一家集研發(fā)、設計、生產(chǎn)、銷售一體化的專業(yè)元器件高新技術及專精特新企業(yè)。專注提供高性價比的元器件供應與定制服務,滿足企業(yè)研發(fā)需求。

產(chǎn)品供應品類:全面覆蓋分立器件及貼片電阻等被動元件,主要有MOSFETTVS肖特基、穩(wěn)壓管、快恢復、橋堆、二極管、三極管、電阻、電容。

兩大智能生產(chǎn)制造中心:華南和西南制造中心(惠州7.5萬㎡+南充3.5萬㎡)配備共3000多臺先進設備及檢測儀器;2024年新增3家半導體材料子公司,從源頭把控產(chǎn)能與交付效率。

提供封裝測試OEM代工:支持樣品定制與小批量試產(chǎn),配合100多項專利技術與ISO9001、IATF16949認證體系,讓“品質(zhì)優(yōu)先”貫穿從研發(fā)到交付的每一環(huán)。

合科泰在始終以“客戶至上、創(chuàng)新驅(qū)動”為核心,為企業(yè)提供穩(wěn)定可靠的元件。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:100W PD快充整流橋怎么選?高可靠貼片橋堆

文章出處:【微信號:合科泰半導體,微信公眾號:合科泰半導體】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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