深度剖析MAX17558:60V雙輸出同步降壓控制器
在電子設計領域,電源管理芯片的性能直接影響著整個系統的穩定性和效率。今天,我們就來深入探討一款備受關注的芯片——MAX17558,一款60V雙輸出同步降壓控制器。
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芯片概述
MAX17558是一款驅動nMOSFET的雙輸出同步降壓控制器,采用了峰值電流模式、恒定頻率架構,最高可運行至2.2MHz。它既可以配置為兩個單相、獨立的10A電源,也能作為一個雙相、單輸出的20A電源。其獨特的180°異相運行能力,能有效降低因輸入電容ESR導致的功率損耗和噪聲。
這款芯片支持兩種電流檢測方式,既可以使用外部電流檢測電阻以確保高精度,也能采用電感DCR來提高系統效率。在短路情況下,電流折返功能可限制MOSFET的功耗。此外,它還為每個輸出提供獨立的可調軟啟動功能,能夠在預偏置輸出的情況下實現單調啟動。根據不同的需求,芯片可以配置為PWM或DCM工作模式。
MAX17558的工作溫度范圍為 -40°C至 +125°C,采用無鉛、32引腳TQFN封裝,尺寸為5mm x 5mm,帶有裸露焊盤,適用于工業電源、分布式直流電源系統、運動控制、可編程邏輯控制器和計算機數控等多種應用場景。
芯片特性
寬范圍操作
- 輸入輸出電壓范圍廣:輸入電壓范圍為4.5V至60V,輸出電壓范圍為0.8V至24V,能滿足多種不同的電源需求。
- 靈活的電流檢測方式:支持RSENSE或電感DCR電流檢測,可根據實際情況選擇合適的檢測方式。
- 可選的同相或180°異相操作:用戶可以根據需要選擇同相或180°異相操作,以優化電源性能。
- 可調的開關頻率:開關頻率可在100kHz至2.2MHz之間調節,方便用戶根據具體應用進行優化。
- 獨立的使能和PGOOD信號:每個輸出都有獨立的使能和PGOOD信號,便于系統監控和控制。
- 環保封裝:采用無鉛32引腳、5mm x 5mm TQFN - EP封裝,符合環保要求。
高效節能
工業環境可靠性
- 獨立可調軟啟動或跟蹤:每個輸出都有獨立的可調軟啟動功能,還可實現跟蹤功能,確保系統平穩啟動。
- 電流折返保護:在短路情況下,電流折返功能可限制MOSFET的散熱,保護芯片安全。
- 寬溫度范圍工作:可在 -40°C至 +125°C的溫度范圍內正常工作,適應惡劣的工業環境。
- 過壓和過溫保護:具備輸出過壓和過溫保護功能,提高系統的可靠性。
電氣特性
輸入電源
輸入電壓范圍為4.5V至60V,不同工作條件下的工作電源電流和關斷電源電流也有相應的規定。例如,在特定條件下,工作電源電流的典型值為1.5mA,關斷電源電流的典型值為10μA。
VCCINT穩壓器
VCCINT輸出電壓在不同輸入電壓和負載電流條件下保持穩定,其負載調節率、短路輸出電流、壓差電壓等參數也都有明確的規定。例如,在6V < VIN < 60V,IVCCINT = 1mA的條件下,VCCINT輸出電壓的典型值為5.1V。
振蕩器
開關頻率可通過RT引腳進行編程,范圍為100kHz至2.2MHz。不同RT值對應的開關頻率也不同,例如,當RT = 62k時,開關頻率的典型值為440kHz。
其他特性
芯片的柵極驅動器、軟啟動、使能、電流檢測放大器、電流限制、誤差放大器、功率良好輸出和熱關斷等方面也都有詳細的電氣特性參數。例如,DH_至BST_的導通電阻在提供100mA電流時的典型值為1.3Ω。
典型工作特性
效率與輸出電流
不同輸出電壓和輸入電壓條件下,芯片的效率與輸出電流的關系曲線展示了其在不同負載情況下的效率表現。例如,在VOUT = 5V,PWM模式下,當輸入電壓為12V、24V和36V時,效率隨著輸出電流的變化而變化。
輕載時的電感電流
輕載時,電感電流的波形和特性對于理解芯片的工作狀態和效率優化非常重要。例如,在VIN = 24V,VOUT = 3.3V,IOUT = 0.3A的條件下,電感電流的波形展示了其在輕載時的特點。
其他特性
芯片的啟動特性、負載瞬態響應、過流保護、短路保護、閉環波特圖等方面的典型工作特性也都有詳細的圖表和數據展示,幫助工程師更好地了解芯片的性能。
引腳配置和功能
MAX17558采用32引腳TQFN封裝,每個引腳都有特定的功能。例如,CS1 - 和CS2 - 分別是控制器1和控制器2的電流檢測放大器負輸入,RT引腳用于開關頻率編程,SEL_PH引腳用于相位選擇等。
詳細工作原理
內部LDO(VCCINT)
芯片內部有兩個100mA的低壓差(LDO)線性穩壓器為VCCINT供電。根據VCCEXT的電壓水平,其中一個穩壓器會處于工作狀態。當VCCEXT電壓大于4.7V(典型值)時,VCCINT由VCCEXT穩壓器供電;當VCCEXT低于4.55V(典型值)時,VCCINT由IN穩壓器供電。VCCINT輸出電壓為柵極驅動器和內部控制電路供電,并且需要通過至少一個4.7μF的低ESR陶瓷電容與PGND去耦。
低側柵極驅動器(DL_)
低側外部MOSFET柵極驅動器由VCCINT供電。在正常工作條件下,低側柵極驅動器輸出(DL)始終是高側柵極驅動器輸出(DH)的互補信號。芯片內部的專用電路會監控DH_和DL_輸出,確保在另一個柵極驅動信號完全關閉后,才允許該柵極驅動信號開啟,避免上下管同時導通。
高側柵極驅動器(DH_)
高側柵極驅動器由連接在BST_和LX_之間的自舉電容供電。在每個開關周期中,當低側MOSFET導通時,自舉電容通過外部肖特基二極管充電至VCCINT。通過閉合BST_和DH_之間的內部開關,為高側MOSFET提供必要的柵源電壓,使其導通。
關斷和啟動(EN和SS)
芯片的兩個控制器可以通過EN1和EN2引腳獨立關斷和啟用。將這些引腳拉低至1.25V(典型值)以下會關閉相應的控制器,將兩個引腳都拉低至0.7V以下會禁用兩個控制器和大多數內部電路,此時芯片的靜態電流僅為10μA(典型值)。啟動時,每個控制器的輸出電壓由相應的SS_引腳電壓控制。通過在SS_引腳連接外部電容到GND,可以編程輸出電壓的軟啟動時間。
輕載電流操作(SKIP)
MAX17558可以配置為不連續導通(DCM)模式以提高輕載效率,或固定頻率脈寬調制(PWM)模式。選擇DCM模式時,將SKIP引腳連接到1.25V至VCCINT - 1.5V之間的直流電壓;選擇PWM模式時,將SKIP引腳連接到VCCINT。
頻率選擇(RT)
開關頻率的選擇需要在效率和元件尺寸之間進行權衡。通過RT引腳可以將芯片的開關頻率編程在100kHz至2.2MHz之間。例如,將RT連接到VCCINT可設置默認開關頻率為535kHz,連接到GND可設置為350kHz。
0至180°相位操作
通過SEL_PH引腳,用戶可以配置芯片兩個輸出通道之間的相移。相移為180°時,可降低輸入和輸出電容的RMS電流,減少輸入電壓紋波。
輸出過壓保護
當輸出電壓超過其標稱值的10%時,輸出過壓保護電路會關閉高側MOSFET,直到過壓情況消除。低側MOSFET的狀態取決于所選的工作模式。
功率良好(PGOOD1和PGOOD2)引腳
PGOOD_引腳為開漏輸出,當相應的FB_引腳電壓超出0.8V參考電壓的±10%時,PGOOD_引腳會拉低。在軟啟動期間,PGOOD_引腳也為低電平。
折返電流限制
在過載情況下,當輸出電壓降至其標稱值的70%以下時,折返電流限制功能會被激活,逐漸降低電感峰值電流。
峰值電流限制編程(ILIM)
芯片根據ILIM引腳設置提供逐周期峰值電流限制。ILIM是一個三級邏輯輸入,不同的ILIM引腳配置對應不同的逐周期峰值正電流限制閾值和電流檢測放大器增益。
啟動到預偏置輸出
芯片支持在預偏置輸出電壓下單調啟動。啟動時,如果FB_引腳電壓高于SS_引腳電壓,高側MOSFET會保持關閉,低側MOSFET會每10個時鐘周期導通150ns以刷新自舉電容。
工作輸入電壓范圍
對于降壓轉換器,需要根據輸出電壓、最大負載電流、電感直流電阻、最大開關頻率、MOSFET導通電阻、最小關斷時間和最小導通時間等參數來計算最小和最大工作輸入電壓。
熱過載保護
當芯片的結溫超過 +160°C時,熱過載保護功能會關閉芯片,待結溫下降20°C后,芯片會重新啟動并進行軟啟動。
應用信息
設置輸入欠壓鎖定電平
EN_引腳可作為輸入欠壓鎖定檢測器,通過連接電阻分壓器到相應的EN_引腳,可以設置每個控制器的啟動輸入電壓。
設置輸出電壓
通過連接電阻分壓器到FB_引腳,可以設置每個控制器的輸出電壓。需要根據FB_泄漏電流和所需的輸出電壓偏移來選擇合適的電阻值。
軟啟動電容
通過在SS_引腳連接電容到GND,可以編程軟啟動時間。內部5μA電流源會對電容充電,為輸出電壓參考提供線性斜坡電壓。
電感選擇
選擇輸出電感時,需要考慮電感值、電感飽和電流和直流電阻三個關鍵參數。根據電感峰 - 峰紋波交流電流與直流平均電流的比值、開關頻率、輸入電壓、輸出電壓和負載電流等因素來計算所需的電感值。
電流檢測
CS + 和CS - 引腳是內部電流檢測放大器的輸入,其共模工作電壓范圍為0至24V。可以使用外部電流檢測電阻或電感DCR進行電流檢測,根據所選的電流限制閾值、最大負載電流和電感紋波電流等參數來計算所需的電流檢測電阻值。
輸入電容選擇
輸入濾波電容可減少從電源汲取的峰值電流,降低電路開關引起的輸入噪聲和電壓紋波。使用低ESR陶瓷電容,并根據輸入紋波、負載電流、效率和開關頻率等參數來計算所需的輸入電容值。
輸出電容選擇
輸出電容的關鍵選擇參數包括電容值、ESR和電壓額定值。穩態輸出紋波由兩部分組成,分別是由于ESR引起的輸出電壓降和由于電荷存儲變化引起的電壓變化。根據這些因素來計算所需的輸出電容和ESR值。
環路補償
芯片使用內部跨導誤差放大器,其反相輸入和輸出可供用戶進行外部頻率補償。通過選擇合適的補償電阻和電容,可以確保環路的穩定性。
自舉電容選擇
根據所選的高側nMOSFET的總柵極電荷和允許的電壓變化,來選擇合適的自舉電容值。建議使用低ESR陶瓷電容,最小電容值為100nF。
MOSFET選擇
每個控制器驅動兩個外部邏輯電平n溝道MOSFET,選擇這些MOSFET時,需要考慮導通電阻、最大漏源電壓、米勒平臺電壓、總柵極電荷、輸出電容、功率耗散額定值和封裝熱阻等參數。
功率耗散計算
需要計算芯片內部的功率耗散,包括柵極電荷損耗和其他損耗。根據不同的供電方式,使用相應的公式計算芯片的近似損耗,并確保芯片的結溫不超過 +125°C。
PCB布局指南
PCB布局對于實現低損耗、低輸出噪聲和穩定的操作至關重要。需要注意輸入旁路電容、肖特基二極管、自舉電容的放置,以及高速開關節點與敏感模擬區域的隔離等。同時,要確保柵極電流走線短而寬,電流檢測走線短且差分布線。
典型應用電路
文檔中還給出了多種典型應用電路,如基于電阻電流檢測的寬輸入電壓、高效5V和3.3V輸出降壓轉換器,基于電感DCR電流檢測的寬輸入電壓、高效5V和3.3V輸出降壓轉換器,以及基于電阻電流檢測的寬輸入電壓、高效雙相3.3V、20A輸出降壓轉換器等。這些電路為工程師提供了實際應用的參考。
MAX17558是一款功能強大、性能優越的60V雙輸出同步降壓控制器,適用于多種工業和電源管理應用。通過深入了解其特性、工作原理和應用信息,工程師可以更好地利用這款芯片設計出高效、穩定的電源系統。在實際應用中,你是否遇到過類似芯片的使用問題?你又是如何解決的呢?歡迎在評論區分享你的經驗和見解。
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