在半導體、先進材料及生物電子等前沿領域，微弱電流的精確測量一直是評估器件性能與可靠性的關鍵。面對日益精細的科研與測試需求，聯(lián)訊儀器正式發(fā)布S2017C高精度源測量單元（SMU），以0.1fA分辨率與50fA精度的卓越性能，重新定義低電流測量標準，助力科研與工業(yè)檢測邁向更高精度時代。

S2017C：低漏電流測試的首選

寬域輸出，精準覆蓋

S2017C 支持 ±200 V / ±1 A 寬動態(tài)范圍輸出，兼具直流與脈沖兩種模式，滿足多樣化測試場景。其在電壓與電流測量上分別實現(xiàn)±(0.03 %+50 μV)和±(0.9 %+50 fA)的最佳精度，為高靈敏度測試提供可靠保障。

核心參數(shù)

全鏈路抑制漏電及干擾，專注微弱信號

· 內(nèi)置自動 Guard 技術：動態(tài)匹配高阻節(jié)點電壓，有效減少測試線路中的泄漏電流。

· 三同軸屏蔽保護與智能濾波：采用三同軸結(jié)構(gòu)結(jié)合先進濾波算法，顯著降低熱噪聲與電磁干擾。

· 前置放大器保障：確保 0.1 fA 級別信號的穩(wěn)定捕捉與還原。

APFC動態(tài)調(diào)優(yōu)

支持自適應精密快速控制（APFC）技術，可根據(jù)負載智能調(diào)節(jié)輸出特性，實現(xiàn)亞毫秒級波形穩(wěn)定，瞬態(tài)響應幾乎無延遲。

模塊化集成，擴展靈活

基于PXIe架構(gòu)，支持多卡級聯(lián)與硬件同步觸發(fā)，單機箱最高可擴展17張SMU卡，適用于自動化、多通道測試系統(tǒng)搭建，提供SCPI指令控制及C#、Python、C/C++、LabVIEW等多種編程接口，顯著降低系統(tǒng)集成復雜度。

典型應用場景

S2017C 適用于一切需要對 pA 級以下電流進行精確測量的領域，包括但不限于：

半導體器件研發(fā)

先進邏輯與存儲芯片的柵極漏電與關態(tài)電流測量。

SiC、GaN 等寬禁帶功率器件在高壓條件下的微小漏電評估。

新材料與器件表征

二維材料（如石墨烯）、有機半導體、鈣鈦礦薄膜晶體管的載流子輸運行為分析。

光電探測器、MEMS傳感器等的暗電流與噪聲基底測量。

超低功耗與量子技術

· 物聯(lián)網(wǎng)芯片、生物植入設備的待機功耗驗證。

· 量子點、單電子器件等前沿方向的電學特性研究。

使用 S2017C 配合相應附件，可快速、準確地獲取各類器件的 IV 特性曲線，為科研與工程提供可靠數(shù)據(jù)支撐。

聯(lián)訊儀器，不止儀器

我們深知，高精度儀器的使用離不開專業(yè)的支持。因此，聯(lián)訊儀器為您配套提供：

· 即裝即用的測量軟件：內(nèi)置常見半導體測試算法，大幅縮短準備時間。

· 詳細應用指南：針對典型測量難點（如晶體管關態(tài)電流測量），提供步驟清晰的實操方法與數(shù)據(jù)分析建議。

· 專業(yè)技術支持團隊：經(jīng)驗豐富的應用工程師全程協(xié)助，解答測量搭建與結(jié)果分析中的各類問題。

結(jié)語

聯(lián)訊儀器S2017C不僅是一款高精度SMU，更是面向未來的微弱電流測量解決方案。無論是前沿科研，還是嚴苛的工業(yè)測試，它都將以出色的性能與可靠的穩(wěn)定性，成為您實驗中值得信賴的伙伴。

捕捉微弱信號，洞察細微變化——S2017C，為精密測量而生。