不少公司的采購會發現，拿到工程師提供的BOM中的器件去采購物料時，經常供應商還會問得更仔細，否則就不知道供給你哪種物料，嚴重時，采購回來的物料用不了。

為什么會有這種情況呢？問題就在于，很多經驗不夠的工程師，沒有把器件型號寫完整。下面舉例來說明，完整的器件型號是怎么樣的。

完整的器件型號，一般都是包括主體型號、前綴、后綴等組成。一般工程師只關心前綴和主體型號，而會忽略后綴，甚至少數工程師連前綴都會忽略。當然，并不是所有器件一定有前綴和后綴，但是，只要這個器件有前綴和后綴，就不可以忽略。

器件前綴一般是代表器件比較大的系列，比如邏輯IC中的74LS系列代表低功耗肖特基邏輯IC，74ASL系列代表先進的低功耗肖特基邏輯IC，74ASL系列比74LS系列的性能更好。

又比如，2N5551三極管和MMBT5551三極管兩者封裝不同，一個是插件的(TO-92)，一個是貼片的(SOT-23)。如果BOM上只寫5551三極管，那肯定不知道是哪個。

忽略前綴的現象一般稍少一點，但是忽略后綴的情況就比較多了。一般來說，后綴有以下這些用處：

1、 區分細節性能

比如，拿MAXIM公司的復位芯片MAX706來說，同樣是706，但是有幾種閥值電壓，比如MAX706S的閥值電壓為2.93V，MAX706T的閥值電壓為3.08V，這里的后綴“S”和“T”就代表不同的閥值電壓。

2、區分器件等級和工作溫度

比如TI公司的基準電壓芯片TL431，TL431C代表器件的工作溫度是0度至70度（民用級），TL431I代表器件的工作溫度是-40度至85度（工業級），其中后綴“C”和“I”就代表不同的工作溫度。

3、 區分器件封裝形式

比如TI公司的基準電壓芯片TL431，TL431CP代表的是PDIP封裝，TL431CD代表的是SOIC封裝，其中后綴“P”和“D”代表的就是不同封裝（“C”代表溫度，在上面已經解釋）。

4、區分訂貨包裝方式

比如，TI公司的基準電壓芯片TL431 CD，如果要求是按盤裝（2500PCS/盤）的采購，那么必須按TL431 CDR的型號下單，這里的后綴“R”代表的就是盤裝。否則，按TL431 CD下單，買回來的可能是管裝(75PCS/管)的物料。

5、區分有鉛和無鉛

比如，ON公司的比較器芯片LM393D（“D”表示是SOIC封裝），如果要用無鉛型號，必須按LM393DG下單，這里的后綴“G”就表示無鉛型號，沒這個后綴就是有鉛型號。

后綴可能還有其他特殊的用處，總之，后綴的信息不能省略，否則買回來的可能就不是你想要的物料。

不同的公司的前綴和后綴可能是不同的（也有少數公司的一些前綴后綴一致），這需要參考實際選用廠家的具體情況。

各國半導體元器件型號的命名方法

一、中國半導體器件型號命名方法

半導體器件型號由五部分(場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分)組成。五個部分的意義分別如下：

第一部分：用數字表示半導體器件有效電極數目。2-二極管、3-三極管

第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。

表示二極管時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。

表示三極管時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、 C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的內型。

P-普通管、V-微波管、W-穩壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、

N-阻尼管、U-光電器件、K-開關管、X-低頻小功率管(f <3MHz,Pc<1W)、

G-高頻小功率管(f >3MHz,Pc<1W)、D-低頻大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、

A-高頻大功率管(f >3MHz,Pc>1W)、T-半導體晶閘管(可控整流器)、

Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢復管、CS-場效應管、

BT-半導體特殊器件、FH-復合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

第四部分：用數字表示序號

第五部分：用漢語拼音字母表示規格號例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管。

二、日本半導體分立器件型號命名方法

日本生產的半導體分立器件，由五至七部分組成。

通常只用到前五個部分，其各部分的符號意義如下：

第一部分：用數字表示器件有效電極數目或類型。

0-光電(即光敏)二極管三極管及上述器件的組合管、

1-二極管、

2三極或具有兩個pn結的其他器件、

3-具有四個有效電極或具有三個pn結的其他器件、

┄┄依此類推。

第二部分：日本電子工業協會JEIA注冊標志。

S-表示已在日本電子工業協會JEIA注冊登記的半導體分立器件。

第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型。

A-PNP型高頻管、

B-PNP型低頻管、

C-NPN型高頻管、

D-NPN型低頻管、

F-P控制極可控硅、

G-N控制極可控硅、

H-N基極單結晶體管、

J-P溝道場效應管，如 2SJ—-

K-N溝道場效應管，如 2SK—-

M-雙向可控硅。

第四部分：用數字表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號。

兩位以上的整數-從“11”開始，表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號；

不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號；數字越大，越是近期產品。

第五部分：用字母表示同一型號的改進型產品標志。

A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號產品的改進產品。

三、美國半導體分立器件型號命名方法

美國晶體管或其他半導體器件的命名法較混亂。

美國電子工業協會半導體分立器件命名方法如下：

第一部分：用符號表示器件用途的類型。

JAN-軍級、

JANTX-特軍級、

JANTXV-超特軍級、

JANS-宇航級、

無—非軍用品。

第二部分：用數字表示pn結數目。1-二極管、2=三極管、3-三個pn結器件、n-n個pn結器件。

第三部分：美國電子工業協會(EIA)注冊標志。

N-該器件已在美國電子工業協會(EIA)注冊登記。

第四部分：美國電子工業協會登記順序號。

多位數字-該器件在美國電子工業協會登記的順序號。

第五部分：用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄-同一型號器件的不同檔別。如：

JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開關三極管

JAN-軍級、

2-三極管、

N-EIA注冊標志、

3251-EIA登記順序號、

A-2N3251A檔。

四、國際電子聯合會半導體器件型號命名方法

德國、法國、意大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家，大都采用國際電子聯合會半導體分立器件型號命名方法。

這種命名方法由四個基本部分組成，各部分的符號及意義如下：

第一部分：用字母表示器件使用的材料。

A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6~1.0eV如鍺、

B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、

C-器件使用材料的Eg >1.3eV如砷化鎵、

D-器件使用材料的Eg <0.6eV如銻化銦、

E-器件使用復合材料及光電池使用的材料。

第二部分：用字母表示器件的類型及主要特征。

A-檢波開關混頻二極管、

B-變容二極管、

C-低頻小功率三極管、

D-低頻大功率三極管、

E-隧道二極管、

F-高頻小功率三極管、

G-復合器件及其他器件、

H-磁敏二極管、

K-開放磁路中的霍爾元件、

L-高頻大功率三極管、

M-封閉磁路中的霍爾元件、

P-光敏器件、

Q-發光器件、

R-小功率晶閘管、

S-小功率開關管、

T-大功率晶閘管、

U-大功率開關管、

X-倍增二極管、

Y-整流二極管、

Z-穩壓二極管。

第三部分：用數字或字母加數字表示登記號。

三位數字-代表通用半導體器件的登記序號、 一個字母加二位數字-表示專用半導體器件的登記序號。

第四部分：用字母對同一類型號器件進行分檔。

A、B、C、D、E、、、表示同一型號的器件按某一參數進行分檔的標志。

除四個基本部分外，有時還加后綴，以區別特性或進一步分類。常見后綴如下：

1、穩壓二極管型號的后綴。其后綴的第一部分是一個字母，表示穩定電壓值的容許誤差范圍，字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為±1%、±2%、±5%、±10%、±15%； 其后綴第二部分是數字，表示標稱穩定電壓的整數數值； 后綴的第三部分是字母V，代小數點， 字母V之后的數字為穩壓管標稱穩定電壓的小數值。

2、整流二極管后綴是數字，表示器件的最大反向峰值耐壓值，單位是伏特。

3、晶閘管型號的后綴也是數字，

通常標出最大反向峰值耐壓值和最大反向關斷電壓中數值較小的那個電壓值。 如：BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管，AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管。

五、歐洲早期半導體分立器件型號命名法

歐洲有些國家，如德國、荷蘭采用如下命名方法：

第一部分：O-表示半導體器件。

第二部分：A-二極管、C-三極管、 AP-光電二極管、CP-光電三極管、AZ-穩壓管、RP-光電器件。

第三部分：多位數字-表示器件的登記序號。

第四部分：A、B、C、、、表示同一型號器件的變型產品。