以下文章來源于段段徐徐,作者段段
“在反激開關(guān)電源中為什么MOS管老是燒,在原邊添加的RCD電路起到什么作用,或是如何起作用的。”

一般,反激開關(guān)中有兩種緩沖電路,一個是RCD緩沖電路,在MOSFET關(guān)斷時,鉗位反激初級側(cè)MOSFET的峰值電壓,保護功率管;另一個是在MOSFET開通時,限制整流二極管的峰值電壓,降低震蕩幅度。
01問題的根源
要理解RCD鉗位,首先要明白它要解決什么問題。問題就出在變壓器的漏感上。
理想變壓器:當(dāng)原邊開關(guān)管關(guān)斷時,所有儲存在變壓器原邊電感中的能量,都會通過磁耦合,完美地傳遞到副邊,供給負載。
實際變壓器:由于制造工藝限制,變壓器原邊和副邊繞組不可能100%耦合。總有一部分磁通沒有耦合到副邊,這部分“泄漏”的磁通所對應(yīng)的電感,就是漏感。
關(guān)鍵點:漏感的能量無法傳遞到副邊。當(dāng)原邊開關(guān)管(MOSFET)突然關(guān)斷時,會產(chǎn)生兩個后果:
1. 主勵磁電感的能量正常傳遞到副邊。
2. 漏感的能量無處可去,它會導(dǎo)致原邊繞組產(chǎn)生一個非常高的、急劇上升的電壓尖峰。
這個電壓尖峰會疊加在MOSFET關(guān)斷時已經(jīng)承受的電壓上(輸入電壓 + 反射電壓),其公式大致為:
Vds = Vin + Vor + Vs
Vin:輸入直流電壓
Vor:副邊反射到原邊的電壓 (Vor = (Np/Ns) * (Vo + Vf))
Vs:由漏感產(chǎn)生的電壓尖峰
如果不加以限制,這個 Vs很容易就會超過MOSFET的擊穿電壓 Vds,導(dǎo)致MOSFET永久性損壞。
02RCD鉗位電路的工作原理
RCD鉗位電路的核心作用就是:為漏感能量提供一個泄放通路,吸收掉這個電壓尖峰,從而將MOSFET的漏-源電壓 Vds 鉗位在一個安全的范圍內(nèi)。
它的主要目標(biāo)是保護MOSFET,而不是提高效率(實際上它會降低效率,因為它消耗了能量)。
讓我們分解一下電路的工作過程,下圖是RCD鉗位電路的典型連接方式:

(這是一個簡化的示意圖,C1、R1、D1 構(gòu)成RCD鉗位網(wǎng)絡(luò))
工作過程分解:
1. 開關(guān)管導(dǎo)通階段 (Ton):
MOSFET導(dǎo)通,輸入電壓 Vin加在原邊電感(勵磁電感 + 漏感)上。
電流線性上升,能量儲存在變壓器中(包括勵磁能量和漏感能量)。
鉗位二極管 D1 因陰極電壓高于陽極而處于反向偏置,截止。RCD電路在此期間不工作。
2. 開關(guān)管關(guān)斷瞬間 (Toff開始):
MOSFET迅速關(guān)斷。
原邊電流急劇減小。勵磁電感試圖維持電流,導(dǎo)致原邊電壓極性反轉(zhuǎn)(“反激”)。
此時,副邊繞組電壓極性變?yōu)樯险仑摚敵龆O管導(dǎo)通,勵磁電感的能量開始向副邊傳遞(綠色箭頭)。
然而,漏感的能量由于無法耦合到副邊,會產(chǎn)生一個極高的反向電動勢(電壓尖峰),試圖維持其電流通路。這個尖峰會使MOSFET的漏極電壓 Vds 急劇升高。
3. 鉗位動作階段:
當(dāng) Vds 升高到超過 (Vin + Vc1)時(其中 `Vc1` 是鉗位電容 `C1` 兩端的電壓),鉗位二極管 `D1` 變?yōu)檎蚱枚鴮?dǎo)通。
導(dǎo)通后的 `D1` 為漏感電流提供了一個低阻抗的泄放路徑:漏感電流通過二極管 `D1` 對鉗位電容 `C1` 充電(藍色箭頭)。
這個過程中,漏感的能量被轉(zhuǎn)移并儲存到了電容 `C1` 中。由于電容的電壓不能突變,它有效地吸收了電壓尖峰,將 `Vds` 的最高電壓限制在 `Vin + Vc1 + Vf`(`Vf` 是二極管的導(dǎo)通壓降)左右。
4. 能量消耗階段:
在開關(guān)周期的剩余關(guān)斷時間內(nèi),或者在下一次開關(guān)管導(dǎo)通之前,剛剛被充電的鉗位電容 `C1` 會通過電阻 `R1` 放電(黃色箭頭)。
電容中儲存的能量(即從漏感吸收來的能量)最終在電阻 R1 上以熱量的形式消耗掉。
總結(jié)一下這個循環(huán):
漏感產(chǎn)生尖峰 -> 二極管導(dǎo)通 -> 電容吸收能量(鉗位電壓) -> 電阻消耗能量 -> 為下一次鉗位做準(zhǔn)備。
鉗位電容 (Cclamp):吸收能量,平滑鉗位電壓。它的大小決定了在吸收能量時電壓的波動(紋波)。
鉗位電阻 (Rclamp):消耗掉電容中儲存的能量。
鉗位二極管 (Dclamp):提供快速導(dǎo)通的路徑,并防止電容通過變壓器放電。
5. 總結(jié)與要點
核心功能:RCD鉗位是一個消耗型的緩沖電路,通過將危險的漏感能量以熱的形式消耗掉,來保護功率開關(guān)管。
鉗位電壓:MOSFET關(guān)斷時承受的峰值電壓約為 `Vdsmax ≈ Vin + Vor + Vs`。設(shè)計時需要通過合理選擇 `R1` 來設(shè)定 `Vs`,確保 `Vdsmax` 留有足夠余量(如20-30%)低于MOSFET的額定電壓 `Vdss`。
與TVS鉗位的區(qū)別:TVS管(瞬態(tài)電壓抑制二極管)也可以用于鉗位,但它有一個固定的擊穿電壓。RCD的優(yōu)點是其鉗位電平可以通過 `R` 和 `C` 靈活調(diào)整,并且能吸收更大的能量。
效率影響:RCD鉗位電路會降低電源的整體效率,因為它消耗了能量。在追求高效率的應(yīng)用中,會考慮使用有源鉗位等更復(fù)雜的電路,將漏感能量回收利用而不是簡單地消耗掉。
希望這個詳細的解釋能幫助你徹底理解反激開關(guān)電源中的RCD鉗位原理。
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原文標(biāo)題:反激開關(guān)電源RCD鉗位電路原理
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